電機mos,12a900v場效應管,to247封裝,KNM6390A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-09
KNM6390A場效應管漏源擊穿電壓900V，漏極電流12A，采用高級平面工藝制造，低導通電阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷最小化開關損耗，提高系統效率；具有低電荷，低反向傳輸電容，開關速度快，加固多晶硅柵極結構，穩定可靠；廣泛應用于無刷直流電機驅動器、電焊機、高效開關電源等；封裝形式：TO-247，散熱出色、適用于高耐壓場景。
漏源電壓：900V
漏極電流：12A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量單脈沖：1200MJ
總功耗：175W
總柵極電荷：84nC
閾值電壓：2-4V
輸入電容：3002PF
輸出電容：248PF
反向傳輸電容：75PF
開通延遲時間：26nS
關斷延遲時間：66nS
上升時間：80ns
下降時間：78ns
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