100n03場效應管參數(shù),30v90a,KIA100N03AD參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-13
KIA100N03AD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用KIA半導體的先進平面條紋DMOS技術制造，極低RDS(on)=3.3mΩ，最小化通態(tài)電阻，提供了優(yōu)越的開關性能；100n03場效應管在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖，具有增強的dv/dt能力、快速切換等特性，綠色設備可用；適用于高效率開關電源，有功功率因數(shù)校正基于半橋拓撲以及小功率LED、鋰電池保護板等產(chǎn)品領域，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：30V
漏電流連續(xù)：90A
柵源電壓：±20A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
柵極閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：24nC
輸入電容：3070PF
輸出電容：400PF
反向傳輸電容：315PF
開啟延遲時間：12.6ns
關斷延遲時間：12.6ns
上升時間：42.8ns
下降時間：13.2ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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