65n06場效應(yīng)管參數(shù),60v65a,to220,KIA65N06-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-24
KIA65N06場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流65A，采用特有的平面條狀DMOS技術(shù)制造，經(jīng)過專門優(yōu)化，有效降低導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。65n06具有低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.016Ω，以及低柵極電荷、低漏電以及快速開關(guān)能力、100%雪崩測試和改進(jìn)的dv/dt能力，高效率低損耗；廣泛應(yīng)用于汽車電子、直流/直流轉(zhuǎn)換器等低壓應(yīng)用領(lǐng)域，以及便攜式和電池供電設(shè)備的高效開關(guān)功率管理；封裝形式：TO-220。
漏源電壓：60V
漏極電流：65A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：260A
雪崩能量單脈沖：650MJ
最大功耗：150W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：40nC
輸入電容：2000PF
輸出電容：450PF
反向傳輸電容：32.5PF
開通延遲時(shí)間：12nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：41nS
上升時(shí)間：33ns
下降時(shí)間：12ns
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