600v4a場效應管,600vmos,to252,?KND4360A參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-03
KND4360A場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流4A，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.9Ω，最大限度地減少導電損耗，表現出卓越的導通特性；還具有快速切換能力，提高效率，經過100%雪崩測試、改進的dv/dt能力能夠更好地應對電路中的快速變化，能夠在高頻率下穩(wěn)定工作；廣泛應用于高頻開關電源、UPS、充電器以及電子鎮(zhèn)流器等；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：600V
漏極電流：4.0A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
雪崩能量單脈沖：180MJ
總功耗：44.6W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15.3nC
輸入電容：511PF
輸出電容：56.6PF
反向傳輸電容：5.55PF
開通延遲時間：11.3nS
關斷延遲時間：37.6nS
上升時間：14.7ns
下降時間：10.4ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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