充電器mos,1000v2a,to220,KNP41100A場效應管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-24
KNP41100A超高壓場效應管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導通電阻RDS(開啟) 9.6Ω，最大限度地減少導電損耗，超低柵極電荷，開關速度快，高效低耗；快速恢復體二極管用于反向電壓保護和續(xù)流功能，提高器件的開關速度和效率，穩(wěn)定可靠，符合RoHS，環(huán)保無鉛；廣泛應用于SMPS備用電源、適配器、充電器；封裝形式：TO-220，散熱出色、適合高功率場景。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：1000V
漏極電流：2A
導通電阻：9.6Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：8A
雪崩能量單脈沖：80MJ
最大功耗：60W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：370PF
輸出電容：40PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：36nS
上升時間：6ns
下降時間：15ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
