電機(jī)控制,12N10mos,?12N10場效應(yīng)管,KCT012N10N參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-09
KCT012N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；100% DVDS測試、100% 雪崩測試、符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，穩(wěn)定可靠，在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TOLL，廣泛應(yīng)用于高功率密度場景。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：100V
漏極電流：330A
導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1320A
單脈沖雪崩能量：540MJ
功率耗散：461W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：260nC
輸入電容：15800PF
輸出電容：1930PF
反向傳輸電容：75PF
開通延遲時(shí)間：81nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：167nS
上升時(shí)間：178ns
下降時(shí)間：68ns
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