10n65場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,650v10a,KNF10N65B現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-19
KNF10N65B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，采用高級平面工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.75Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，開關(guān)速度快，降低開關(guān)損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，快速恢復(fù)體二極管，性能穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于適配器、充電器、SMPS待機(jī)電源等；封裝形式：TO-220F，散熱良好。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻：0.75Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：45W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：30nC
輸入電容：1600PF
輸出電容：14PF
反向傳輸電容：110PF
開通延遲時(shí)間：10nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：35nS
上升時(shí)間：14ns
下降時(shí)間：15ns
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