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KIA4590A 900V6A MOS管|適配器充電器專用現貨

信息來源：本站　日期：2026-04-29　

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KIA4590A 900V6A MOS管|適配器充電器專用現貨


一、KIA4590A 完整替代競品清單（900V/6A/TO-220/TO-220F）

1. 國際品牌直接替代（Pin to Pin 兼容）

英飛凌：FQP6N90C、FQA6N90C

意法 ST：STP6NK90Z、STP6NK90ZFP、STB6NK90ZT4

ON 安森美：NDF6N90、NTGF6N90

Vishay 威世：SUP6N90、SIHP6N90

東芝：TK6A90E、2SK4005

2. 國產品牌同參數替代

新潔能：NCE690F、NCE6N90

華潤微：CR6N90、CRS6N90

士蘭微：SVT6N90、SL6N90

微碧：VBM6N90、VBL6N90

東微 / 瑞森 / 飛虹：OSG6N90、RS6N90、FHP6N90



KIA4590A 900V/6A 高壓 MOS 管｜適配器 / 充電器 / 待機電源專用 零改板替代

還在為高壓電源炸管、發熱大、效率不達標、供貨不穩發愁？KIA4590A 專為適配器、充電器、

開關電源待機電源打造，900V 高耐壓 + 6A 大電流 + 1.6Ω 低內阻 + 快速恢復體二極管，完美解決小功率高壓電源的四大核心痛點：

1. 適配器 / 充電器場景（最核心）

痛點：高壓尖峰擊穿、發熱嚴重、溫升超標、體積受限

? 900V 足額耐壓：無懼 AC-DC 母線高壓尖峰，杜絕炸管擊穿

? 1.6Ω 低導通電阻：導通損耗更低，溫升下降明顯，散熱更輕松

? 快速恢復體二極管：反向恢復干凈，EMI 更好過，無需額外緩沖電路

? TO-220F 絕緣封裝：安全不短路，小體積電源也能放心用

2. 開關電源 / 待機電源場景

痛點：待機損耗高、效率低、長期工作不穩定

? 超低柵極電荷 Qg=38nC：開關損耗小，整機效率提升更明顯

? 低漏電流 I_DSS≤1μA：待機功耗更低，輕松滿足六級能效

? 150℃寬溫穩定：7×24 小時連續工作不衰減，可靠性拉滿

? RoHS 無鉛環保：全球認證齊全，出口產品無憂

3. 替代升級場景（客戶最關心）

痛點：進口貴、交期長、國產參數虛標、一致性差

? Pin to Pin 完美兼容：直接替換 FQP6N90/STP6NK90Z 等，零改板、零重測

? 參數實打實不虛標：RDS (on)=1.6Ω 典型值，6A 連續電流足額不虛標

? 全批次品控穩定：一致性好，量產不翻車，售后成本大幅降低

? 現貨穩定 + 性價比高：告別進口斷供漲價，成本直降 30%+

三、簡短營銷口號（海報 / Banner 用）

KIA4590A｜900V 高壓 MOS 管，適配器 / 充電器穩用之選

不炸管、低發熱、高效率｜KIA4590A 高壓電源專用 MOS

900V/6A 足額參數，直接替代進口，零改板更省心

小功率高壓電源優選：耐壓足、損耗低、供貨穩

KIA4590A


KNF4590A

1. Features 產品特性

  • 漏源導通電阻 RDS(ON)=1.6Ω(典型值) @ VGS=10V
  • RoHS Compliant 符合RoHS環保指令，無鉛環保
  • Low Gate Charge Minimize Switching Loss 低柵極電荷，有效降低開關損耗
  • Fast Recovery Body Diode 內置快速恢復體二極管

2. Applications 應用場景

  • Adaptor 適配器
  • Charger 充電器
  • SMPS Standby Power 開關電源待機電源

3. Symbol 符號與引腳配置

本產品提供兩種封裝形式：TO-220、TO-220F，引腳功能統一定義如下：

Pin 引腳號 Function 引腳功能
1 Gate 柵極 (G)
2 Drain 漏極 (D)
3 Source 源極 (S)


器件內部集成體二極管，標準N溝道MOSFET電路結構，支持常規開關電源、適配器等電路應用。

KIA4590A

4. Ordering Information 訂購信息

Part Number 產品型號 Package 封裝形式 Brand 品牌
KNF4590A TO-220F KIA
KNP4590A TO-220 KIA

5. Absolute maximum ratings 絕對最大額定值

(TC=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)

Parameter 參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Units 單位
TO-220F TO-220
Drain-source voltage 漏源電壓 VDSS 900 V
Gate-to-Source Voltage 柵源電壓 VGSS ±30 V
Continuous drain current 連續漏極電流 ID 6 A
Pulsed Drain Current at VGS=10V 脈沖漏極電流 IDM 24 A
Single pulse avalanche energy 單脈沖雪崩能量 EAS 700 mJ
Power dissipation 功耗 TC=25℃ PD 45 120 W
Derate above 25℃ 25℃以上降額 0.29 0.96 W/℃
Soldering Temperature (Distance of 1.6mm from case for 10 seconds) 焊接溫度（距殼體1.6mm，10秒） TL 300 ℃
Operating junction and storage temperature range 工作與存儲溫度范圍 TJ,TSTG -55 to 150 ℃

Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 注意：超過上述絕對最大額定值可能導致器件永久損壞。

6. Thermal characteristics 熱特性

Parameter 參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
TO-220F TO-220
Thermal resistance junction-case 結-殼體熱阻 RθJC 2.78 1.04 ℃/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 結-環境熱阻 RθJA 100 62 ℃/W

7. Electrical characteristics 電氣特性

(TJ=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，結溫均為25℃)

Parameter 參數 Symbol 符號 Test Conditions 測試條件 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Units 單位
Drain-source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900 - - V
Drain-source leakage current 漏源漏電流 IDSS VDS=900V, VGS=0V - - 1 uA
VDS=720V, TJ=125℃ - - 100 uA
Gate-source forward leakage 柵源正向漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA
Drain-source on-resistance 漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=3A - 1.6 2.0 Ω
Gate threshold voltage 柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 3.0 - 5.0 V
Forward Transconductance 正向跨導 gfs VDS=15V, ID=3A - 8.0 - S
Input capacitance 輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 1462 - pF
Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 Crss - 24 -
Output capacitance 輸出電容 Coss - 132 -
Total gate charge(10V) 總柵極電荷 Qg VDD=450V, ID=6A, VGS=0~10V - 38 - nC
Gate-source charge 柵源電荷 Qgs - 8.1 -
Gate-drain charge 柵漏電荷 Qgd - 15 -
Turn-on delay time 開通延遲時間 td(on) VDD=450V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=6A - 23 - ns
Rise time 上升時間 tr - 46 -
Turn-off delay time 關斷延遲時間 td(off) - 32 -
Fall time 下降時間 tf - 38 -
Continuous Source Current 連續源極電流 ISD Integral PN-diode in MOSFET - - 6 A
Pulsed Source Current 脈沖源極電流 ISM - - 24 A
Diode forward voltage 二極管正向電壓 VSD IS=6A, VGS=0V - - 1.5 V
Reverse Recovery Time 反向恢復時間 trr VGS=0V, IS=IS, dlF/dt=100A/μs - - 390 nS
Reverse Recovery Charge 反向恢復電荷 Qrr - 1.4 - nC

Note 備注:
1) TJ=+25℃ to +150℃
2) Pulse width≤380us; duty cycles≤2% 脈沖測試：脈沖寬度≤380us，占空比≤2%

8. Typical operating characteristics 典型工作特性

本產品完整特性測試包含以下項目，對應特性曲線說明如下：

  • Figure 1. Maximum Safe Operating Area 最大安全工作區曲線
  • Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 連續漏極電流隨殼溫變化曲線
  • Figure 3.1. Maximum Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220F) TO-220F功耗隨殼溫變化曲線
  • Figure 3.2. Max. Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220) TO-220功耗隨殼溫變化曲線
  • Figure 4. Typical Output Characteristics 典型輸出特性曲線
  • Figure 5. Maximum Transient Thermal Impedance 最大瞬態熱阻抗曲線
  • Figure 6. Peak Current Capability 峰值電流能力曲線
  • Figure 7. Typical Transfer Characteristics 典型轉移特性曲線
  • Figure 8. Typical Drain to Source ON Resistance vs Gate Voltage and Drain Current 導通電阻隨柵極電壓、漏極電流變化曲線
  • Figure 9. Typical Drain to Source ON Resistance vs Drain Current 導通電阻隨漏極電流變化曲線
  • Figure 10. Typical Drain to Source ON Resistance vs Junction Temperature 導通電阻隨結溫變化曲線
  • Figure 11. Typical Threshold Voltage vs Junction Temperature 閾值電壓隨結溫變化曲線
  • Figure 12. Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature 擊穿電壓隨結溫變化曲線
  • Figure 13. Capacitance vs Vds 電容隨漏源電壓變化曲線
  • Figure 14. Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage 柵極電荷隨柵源電壓變化曲線
  • Figure 15. Typical Body Diode Transfer Characteristics 體二極管轉移特性曲線
  • Figure 16. Unclamped Inductive Switching Capability 無鉗位感性開關能力曲線

9. Test Circuits and Waveforms 測試電路與波形

本產品完整測試電路與波形包含以下項目：

  • Fig.1.1 Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit 二極管反向恢復dv/dt測試電路
  • Fig.1.2 Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms 二極管反向恢復dv/dt測試波形
  • Fig.2.1 Switching Test Circuit 開關特性測試電路
  • Fig.2.2 Switching Waveforms 開關特性測試波形
  • Fig.3.1 Gate Charge Test Circuit 柵極電荷測試電路
  • Fig.3.2 Gate Charge Waveform 柵極電荷測試波形
  • Fig.4.1 Unclamped Inductive Switching Test Circuit 無鉗位感性開關測試電路
  • Fig.4.2 Unclamped Inductive Switching Waveforms 無鉗位感性開關測試波形


聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

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