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KIA3004B 40V/120A MOSFET|DFN5*6 封裝 超低內(nèi)阻大電流管

信息來(lái)源:本站 日期:2026-05-07 

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KIA3004B 120A 40V N溝道MOSFET 參數(shù)詳情

KIA3004B 40V/120A MOSFET|DFN5*6 封裝 超低內(nèi)阻大電流管

1. 產(chǎn)品特性

工藝技術(shù) Advanced Trench technology(先進(jìn)溝槽工藝)
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 典型值2.4mΩ @ VGS=10V,最大值3.2mΩ
柵極電荷特性 Super Low Gate Charge(超低柵極電荷)
環(huán)保特性 Green Device Available(綠色環(huán)保器件)
EMI性能 Excellent CdV/dt effect decline(出色的CdV/dt效應(yīng)抑制)
可靠性測(cè)試 100% ΔVds TESTED(100%電壓變化測(cè)試)、100% UIS TESTED(100%非鉗位感性開(kāi)關(guān)測(cè)試)

2. 引腳定義(DFN5*6封裝)

引腳號(hào) 功能定義
4 Gate(柵極)
5, 6, 7, 8 Drain(漏極)
1, 2, 3 Source(源極)
KIA3004B

KIA3004B 產(chǎn)品介紹

KIA3004B(KNY3004B)是一款采用先進(jìn)溝槽工藝制造的**40V 120A 超低內(nèi)阻N溝道MOSFET**,DFN5×6小型化大功率封裝,具備超低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、超強(qiáng)散熱能力,專為大電流、高密度、高效率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品完美解決大電流設(shè)備發(fā)熱高、內(nèi)阻大、體積受限、效率不足等痛點(diǎn),廣泛用于動(dòng)力電池保護(hù)、大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充電源、無(wú)人機(jī)、儲(chǔ)能模塊等高要求場(chǎng)景,性能對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌,是大電流低壓MOS的優(yōu)選方案。

核心優(yōu)勢(shì)亮點(diǎn)

1. 40V耐壓 + 120A超大電流,滿足大功率大電流需求

2.超低導(dǎo)通電阻,典型值2.4mΩ,最大僅3.2mΩ

3. 超低柵極電荷,開(kāi)關(guān)速度快、損耗極低

4.DFN5×6超薄封裝,體積小、散熱強(qiáng)、密度高

5. 100%通過(guò)UIS雪崩測(cè)試,可靠性拉

6. 優(yōu)異dv/dt抑制能力,EMI性能更強(qiáng)

7. 工作溫度-55℃~150℃,工業(yè)級(jí)高穩(wěn)定

8.綠色環(huán)保器件,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

KIA3004B

KIA3004B 直接競(jìng)品型號(hào)一覽表

品牌 競(jìng)品型號(hào) 規(guī)格匹配 封裝
英飛凌 BSC010N04LS 40V 120A N溝道 DFN5×6
安森美 FDMS0304S 40V 120A N溝道 DFN5×6
威世 SiS410DN 40V 120A N溝道 DFN5×6
東芝 TPN1R404 40V 120A N溝道 DFN5×6
士蘭微 SVF120N04D 40V 120A N溝道 DFN5×6
新潔能 NCE3004BG 40V 120A N溝道 DFN5×6
華之鵬 HP3004B 40V 120A N溝道 DFN5×6
揚(yáng)杰 YJ120N04D 40V 120A N溝道 DFN5×6

KIA3004B VS 競(jìng)品核心參數(shù)對(duì)比

參數(shù) KIA3004B 國(guó)際品牌競(jìng)品 國(guó)內(nèi)品牌競(jìng)品
耐壓 Vdss 40V 40V 40V
連續(xù)電流 Id 120A 100~120A 100~120A
導(dǎo)通電阻 2.4mΩ(典型) 2.5~3.5mΩ 2.8~4.0mΩ
封裝 DFN5×6 DFN5×6 DFN5×6
柵極電荷 110nC 115~130nC 120~140nC
優(yōu)勢(shì) 內(nèi)阻更低、發(fā)熱更小、一致性更好 價(jià)格昂貴、交期不穩(wěn)定 內(nèi)阻偏高、可靠性一般

型號(hào)與封裝選型

完整型號(hào) 封裝 適用場(chǎng)景
KNY3004B DFN5×6 大電流電源、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充、無(wú)人機(jī)

典型應(yīng)用場(chǎng)景

動(dòng)力電池保護(hù)板
大功率快充電源 & 移動(dòng)電源
無(wú)人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng) & 航模電調(diào)
直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) / 無(wú)刷電機(jī)控制
儲(chǔ)能設(shè)備、大電流負(fù)載開(kāi)關(guān)
小型化高密度電源模塊

3. 型號(hào)與封裝信息

型號(hào) 封裝 品牌
KNY3004B DFN5*6 KIA

4. 絕對(duì)最大額定值 (TA=25℃)

參數(shù) 符號(hào) 規(guī)格 單位
漏源電壓 (VGS=0V) VDS 40 V
柵源電壓 (VDS=0V) VGS ±20 V
連續(xù)漏極電流 ID 120 (Tc=25℃) A
77 (Tc=100℃) A
脈沖漏極電流 IDM 480 A
總耗散功率 (Tc=25℃) PD 88.2 W
雪崩能量 EAS 361 mJ
工作與存儲(chǔ)溫度范圍 TJ & TSTG -55 ~ +150

5. 熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) 最大值 單位
結(jié)-殼熱阻 RθJC 1.7 ℃/W

6. 電氣特性 (TA=25℃)

參數(shù)類別 參數(shù)名稱 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
關(guān)斷特性 漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
導(dǎo)通特性 柵極閾值電壓 VGS(th) VGS=VDS, ID=250μA 1.0 1.6 2.5 V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=30A - 2.4 3.2
VGS=4.5V, ID=20A - 3.0 4.2
動(dòng)態(tài)特性 柵極電阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1.0MHz - 1.4 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz - 5020 - pF
輸出電容 Coss - 415 - pF
反向傳輸電容 Crss - 350 - pF
開(kāi)關(guān)特性 開(kāi)通延遲時(shí)間 td(on) VDS=20V, VGS=10V, RG=2.0Ω, ID=30A - 13 - ns
上升時(shí)間 tr - 15 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - 48 - ns
下降時(shí)間 tf - 20 - ns
柵極電荷特性 總柵極電荷 Qg VDS=20V, VGS=10V, ID=30A - 110 - nC
柵源電荷 Qgs - 8.2 - nC
柵漏電荷 Qgd - 26 - nC
體二極管特性 連續(xù)源極電流 ISD - - - 120 A
二極管正向壓降 VSD VGS=0V, ISD=30A, Tj=25℃ - - 1.2 V
反向恢復(fù)時(shí)間 trr Tj=25℃, IF=30A, diF/dt=100A/μs - 42 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr - 46 - nC
固有開(kāi)通時(shí)間 ton - Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS + LD) - - - -

注:以上數(shù)據(jù)基于TA=25℃條件,完整特性曲線、測(cè)試電路及波形請(qǐng)參考原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)。

聯(lián)系方式:鄒先生

座機(jī):0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950(微信同號(hào))

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個(gè)qq)

聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902

KIA3004B

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