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KIA2806A 60V150A MOS 管 低發(fā)熱不炸機

信息來源：本站　日期：2026-05-13　

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KIA2806A 60V150A MOS 管 低發(fā)熱不炸機

TO-263 封裝 逆變器 UPS 專用 100% 雪崩測試

KIA2806A

KIA2806A/KNB2806A 150A 60V N溝道MOSFET 規(guī)格參數(shù)

1. 產(chǎn)品基本信息

項目 參數(shù)
型號 KIA2806A
訂貨型號 KNB2806A
類型 N-CHANNEL MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
封裝形式 TO-263
版本日期 Rev 1.8 Mar. 2026

2. 核心特性

  • RDS(ON) = 3.5mΩ(typ.) @ VGS=10V
  • 100% 雪崩測試 (100% avalanche tested)
  • 可靠耐用 (Reliable and rugged)
  • 無鉛環(huán)保，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

3. 典型應(yīng)用

  • 開關(guān)應(yīng)用 (Switching application)
  • 逆變器系統(tǒng)電源管理 (Power management for inverter systems)
  • 不間斷電源 (UPS)

KIA2806A 60V/150A N溝道MOSFET 產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品簡介：KIA2806A是一款專為大電流應(yīng)用設(shè)計的高壓N溝道MOSFET，采用TO-263貼片封裝，具備60V耐壓、150A連續(xù)電流、3.5mΩ超低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，100%通過雪崩測試，可靠性卓越，是逆變器、UPS、電機驅(qū)動等場景的理想選擇。

核心優(yōu)勢：3.5mΩ低導(dǎo)通電阻｜150A大電流｜100%雪崩測試｜快速開關(guān)｜TO-263貼片封裝｜RoHS合規(guī)

典型應(yīng)用：逆變器電源管理、UPS不間斷電源、電機驅(qū)動、鋰電池保護、DC-DC轉(zhuǎn)換器、大電流開關(guān)電源

一、行業(yè)競品對標(biāo)表（直接替代無需改板）

品牌 競品型號 核心對標(biāo)參數(shù) KIA2806A 優(yōu)勢
士蘭微 SVT2806A 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.8mΩ 導(dǎo)通電阻更低，發(fā)熱更小
華潤微 CR2806A 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.6mΩ 雪崩能量更高(1200mJ)
新潔能 NCE2806A 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.5mΩ 交期更穩(wěn)定，現(xiàn)貨充足
揚杰 YJ2806A 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.7mΩ 反向恢復(fù)時間更短(30ns)
東微半導(dǎo) OSG2806A 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.5mΩ 性價比更高
英飛凌 IRL3713 60V/150A TO-263 Rds(on)=4.0mΩ 成本降低30%以上
安森美 NTD60N03L 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.9mΩ 國產(chǎn)替代首選
意法半導(dǎo)體 STP150N6F7 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.8mΩ 100%雪崩測試，可靠性更高

二、產(chǎn)品基本參數(shù)

項目 參數(shù)
型號 KIA2806A
訂貨型號 KNB2806A
類型 N-CHANNEL MOSFET
封裝 TO-263
漏源電壓 VDSS 60V
連續(xù)漏極電流 ID 150A(Tc=25℃)
導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 3.5mΩ(typ)@VGS=10V
柵源電壓 VGSS ±25V
工作結(jié)溫 -55℃ ~ +175℃
合規(guī)標(biāo)準(zhǔn) RoHS 無鉛環(huán)保

三、絕對最大額定值（TA=25℃ 除非另有說明）

參數(shù) 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 60 V
柵源電壓 VGSS ±25 V
二極管連續(xù)正向電流 IS 150 A
連續(xù)漏極電流(Tc=25℃) ID 150 A
連續(xù)漏極電流(Tc=100℃) ID 105 A
脈沖漏極電流 IDM 580 A
單脈沖雪崩能量 EAS 1200 mJ
最大耗散功率(Tc=25℃) PD 230 W
最高結(jié)溫 TJ 175 ℃
存儲溫度范圍 TSTG -55 ~ +175 ℃

四、熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號 額定值 單位
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 62.5 ℃/W
結(jié)到外殼熱阻 RθJC 0.65 ℃/W

五、核心電氣特性（TA=25℃ 除非另有說明）

參數(shù) 符號 條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 60 V
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 3 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=60A 3.5 mΩ
輸入電容 Ciss VDS=25V, 1MHz 4376 pF
總柵極電荷 Qg VDS=48V, ID=60A 130 nC
反向恢復(fù)時間 trr IF=60A 30 ns
二極管正向電壓 VSD ISD=60A, VGS=0V 0.8 V


備注：
1) 脈沖測試：脈沖寬度≤300us，占空比≤2%
2) 設(shè)計保證，不進行生產(chǎn)測試
3) 封裝限制電流為75A，連續(xù)電流基于最大允許結(jié)溫計算
4) 重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制
5) 起始結(jié)溫TJ=25℃，電感L=1mH

KIA2806A

4. 引腳定義 (TO-263)

引腳號 功能
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)

5. 絕對最大額定值 (TA=25℃ 除非另有說明)

參數(shù) 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 60 V
柵源電壓 VGSS ±25 V
二極管連續(xù)正向電流 IS 150 A
連續(xù)漏極電流 ID 150 (TC=25℃) A
105 (TC=100℃) A
脈沖漏極電流 (TC=25℃) IDM 580 A
單脈沖雪崩能量 (L=1mH) EAS 1200 mJ
最大耗散功率 PD 230 (TC=25℃) W
115 (TC=100℃) W
最高結(jié)溫 TJ 175 ℃
存儲溫度范圍 TSTG -55 ~ +175 ℃

6. 熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號 額定值 單位
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 62.5 ℃/W
結(jié)到外殼熱阻 RθJC 0.65 ℃/W

7. 電氣特性 (TA=25℃ 除非另有說明)

參數(shù) 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 60 - - V
零柵壓漏電流 IDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
VDS=48V, VGS=0V, TJ=85℃ - - 10 μA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 2 3 4 V
柵極漏電流 IGSS VGS=±25V, VDS=0V - - ±100 nA
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=60A - 3.5 4.5 mΩ
柵極電阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 0.7 - Ω
二極管正向電壓 VSD ISD=60A, VGS=0V - 0.8 1.2 V
反向恢復(fù)時間 trr IF=60A, VDD=50V, diSD/dt=100A/μs - 30 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr - 50 - nC
輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 4376 - pF
輸出電容 Coss - 857 - pF
反向傳輸電容 Crss - 334 - pF
開通延遲時間 td(on) VDD=30V, IDS=60A, RG=25Ω, VGS=10V - 28 - ns
上升時間 tr - 18 - ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) - 42 - ns
下降時間 tf - 54 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=48V, VGS=10V, IDS=60A - 130 - nC
柵源電荷 Qgs - 24 -- nC
柵漏電荷 Qgd - 47 -- nC


備注：
1) 脈沖測試：脈沖寬度≤300us，占空比≤2%
2) 設(shè)計保證，不進行生產(chǎn)測試
3) 封裝限制電流為75A，連續(xù)電流基于最大允許結(jié)溫計算
4) 重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制
5) 起始結(jié)溫TJ=25℃，電感L=1mH



聯(lián)系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

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