草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全絕緣

信息來源：本站　日期：2026-05-27　

分享到：

KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全絕緣

低阻低損耗 開關電源/充電器專用 原廠直供

KNF6765A

KNF6765A N溝道MOSFET規格書

KNF6765A - N溝道MOSFET規格書

1. 產品基礎信息

項目 參數說明
產品型號 KNF6765A
器件類型 N溝道增強型MOSFET
關鍵規格 650V / 16A / RDS(on)=0.45Ω
封裝類型 TO-220F（全絕緣封裝）

一、產品基本信息

項目 參數
產品型號 KNF6765A
封裝類型 TO-220F 全絕緣封裝
器件類型 N溝道增強型MOSFET
核心規格 650V 16A RDS(on)=0.45Ω
適用領域 開關電源、適配器、充電器、工業電源

二、核心產品優勢

650V超高耐壓，電源系統更安全
0.45Ω低內阻，低損耗低發熱
TO-220F全絕緣，安裝安全不短路
低柵極電荷，開關速度快效率高
內置快恢復體二極管，抗浪涌能力強
符合RoHS無鉛環保，批量一致性好

三、全品牌直接競品型號對照表

KNF6765A

品牌 平替型號 規格對標
英飛凌 IPA16N65C 650V 16A 完全對標
英飛凌 SPA16N65C 650V 16A 直接對標
安森美 NTD16N65 650V 16A 直接對標
新潔能 NCE65T160 650V 16A 完全對標
新潔能 NCE65T180 650V 18A 同類對標
長電 CJQ16N65 650V 16A 直接對標
士蘭微 SVF16N65 650V 16A 直接對標
華微 HY65160 650V 16A 完全對標
UTC 16N65 650V 16A 直接對標
捷捷微 JJW16N65 650V 16A 直接對標
東微 TDM16N65 650V 16A 直接對標
萬代/AOS AOT16N65 650V 16A 完全對標

四、官網宣KNF6765A 650V/16A高壓MOS管介紹

標題：KNF6765A 650V/16A高壓MOS管
副標題：TO-220F全絕緣 電源專用低損耗MOSFET
產品特點1：650V高耐壓，適配高壓電源系統
產品特點2：低內阻低發熱，長期工作更穩定
產品特點3：TO-220F全絕緣，安裝安全更可靠
產品特點4：快恢復二極管，抗沖擊能力更強
適用場景：開關電源、電源適配器、充電器、
LED驅動、工業電源、家電控制、逆變電源
品質承諾：原廠正品，一致性好，
長期穩定供貨，無鉛環保

五、核心參數速覽

參數 符號 數值 單位
漏源電壓 VDS 650 V
連續電流 ID 16 A
導通電阻 RDS(on) 0.45 Ω
柵源電壓 VGS ±30 V
工作溫度 TJ -55~150 ℃
封裝 - TO-220F -

2. 產品特性

采用專利全新平面工藝制造
符合RoHS環保標準，無鉛工藝
低導通電阻RDS(on)=0.45Ω（典型值，VGS=10V）
低柵極電荷，有效降低開關損耗
內置快恢復體二極管，反向恢復性能優異

3. 應用領域

電源適配器、充電器
開關電源（SMPS）待機電源電路

4. 引腳配置說明

引腳號 功能定義
1 柵極（Gate）
2 漏極（Drain）
3 源極（Source）

5. 訂購信息

部件型號 封裝 品牌
KNF6765A TO-220F KIA

6. 絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數名稱 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDS 650 V
柵源電壓 VGS ±30 V
連續漏極電流 ID 16 A
脈沖漏極電流（VGS=10V） IDM 64 A
單脈沖雪崩能量（L=30mH） EAS 1100 mJ
耗散功率 PD 65 W
25℃以上降額系數 - 0.52 W/℃
焊接引腳最高溫度（10秒） TL 300 ℃
封裝體最高溫度（10秒） TPAK 260 ℃
工作/存儲溫度范圍 TJ&TSTG -55 ~ 150 ℃

7. 熱特性參數

參數名稱 符號 額定值 單位
結到外殼熱阻 RθJC 1.92 ℃/W
結到環境熱阻 RθJA 100 ℃/W

8. 電氣特性（Tc=25℃，除非另有說明）

關斷特性

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVOSS VGS=0V, ID=250μA 650 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1 μA
VDS=520V, TJ=125℃ - - 100 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA

導通特性

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
靜態漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=8A - 0.45 0.55 Ω
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V

動態特性

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz - 2300 - pF
輸出電容 Coss - 220 - pF
反向傳輸電容 Crss - 100 - pF
總柵極電荷 Qg VDD=325V, ID=16A, VGS=10V - 35 - nC
柵源電荷 Qgs - 10 - nC
柵漏電荷（米勒電荷） Qgd - 6 - nC

電阻開關特性

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
開通延遲時間 td(on) VDD=325V, ID=16A, VGS=10V, RG=25Ω - 30 - ns
上升時間 trise - 40 - ns
關斷延遲時間 td(off) - 80 - ns
下降時間 tfall - 40 - ns

源漏體二極管特性

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
連續源極電流 ISD MOSFET內集成PN結二極管 - - 16 A
脈沖源極電流 ISM - - 64 A
二極管正向電壓 VSD IS=16A, VGS=0V - - 1.5 V
反向恢復時間 trr IS=16A, VGS=10V, di/dt=100A/μs - 550 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 4.2 - uC

9. 備注說明

注1：工作結溫范圍為+25℃到+150℃。

注2：脈沖測試條件：脈寬≤380μs，占空比≤2%。

注3：雪崩測試條件：ISD=16A, di/dt<100A/μs, VDD

警告：超過絕對最大額定值的應力可能導致器件永久損壞。

10. 典型特性曲線（參考）

1. 結到外殼歸一化瞬態熱阻抗曲線
2. 耗散功率與外殼溫度關系曲線
3. 連續漏極電流與外殼溫度關系曲線
4. 典型輸出特性曲線（ID vs VDS）
5. 導通電阻與柵極電壓/漏極電流關系曲線
6. 峰值電流能力曲線
7. 傳輸特性曲線（ID vs VGS）
8. 無鉗位電感開關能力曲線
9. 導通電阻與漏極電流關系曲線
10. 導通電阻與結溫關系曲線
11. 擊穿電壓與結溫關系曲線
12. 閾值電壓與結溫關系曲線
13. 安全工作區（SOA）曲線
14. 電容與漏源電壓關系曲線
15. 柵極電荷與柵源電壓關系曲線
16. 體二極管傳輸特性曲線


聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KNF6765A

搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持



s