【KIA 原廠】KNC2404A 40V/190A 低內(nèi)阻 MOSFET

TO-252-7 大散熱封裝｜2.2mΩ 低內(nèi)阻｜190A 大電流｜高雪崩｜原廠直供

KNC2404A

KIA KNC2404A 190A/40V N溝道MOSFET 規(guī)格參數(shù)
一、產(chǎn)品核心特性
低導(dǎo)通電阻	Rds(on)=2.2mΩ(典型值)@VGS=10V
環(huán)保特性	無(wú)鉛綠色器件，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
性能優(yōu)勢(shì)	極低導(dǎo)通損耗，高雪崩電流能力
二、典型應(yīng)用場(chǎng)景
應(yīng)用領(lǐng)域	電源供應(yīng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)控制
三、引腳配置（TO-252-7封裝）
引腳1	Gate（柵極）
引腳2/3/5/6/7	Source（源極）
引腳4	Drain（漏極）
四、絕對(duì)最大額定值
漏源電壓VDS	40V
柵源電壓VGS	±25V
連續(xù)漏極電流ID(Tc=25℃)	硅限制：190A 封裝限制：120A
連續(xù)漏極電流ID(Tc=100℃)	109A
脈沖漏極電流IDP	480A
雪崩電流IAS(L=0.5mH)	46A
單脈沖雪崩能量EAS(L=0.5mH)	529mJ
功耗PD(Tc=25℃)	123W
功耗PD(Tc=100℃)	82W
存儲(chǔ)/工作結(jié)溫范圍	-55℃~+150℃
五、熱特性參數(shù)
結(jié)-殼熱阻RθJC	1.02℃/W(典型值)
結(jié)-環(huán)境熱阻RθJA	80℃/W(典型值)
六、電氣特性參數(shù)(TA=25℃)
漏源擊穿電壓BVdss	40V(最小值，VGS=0V,IDS=250μA)
零柵壓漏極電流IDSS	≤1μA(最大值，VDS=64V,VGS=0V)
柵極閾值電壓VGS(th)	2~4V(最小值/最大值，VDS=VGS,IDS=250μA)
柵極漏電流IGSS	±100nA(最大值，VGS=±25V,VDS=0V)
導(dǎo)通電阻Rds(on)	2.2~3.5mΩ(典型2.2mΩ，VGS=10V,IDS=30A)
正向跨導(dǎo)Gfs	135S(典型值，VDS=5V,ID=40A)
體二極管正向壓降VSD	0.9~1.3V(典型/最大值，ISD=40A,VGS=0V)
體二極管連續(xù)正向電流IS	≤190A(最大值)
反向恢復(fù)時(shí)間trr	≤55ns(最大值，IS=40A,dl/dt=100A/μs)
反向恢復(fù)電荷Qrr	≤70nC(最大值，同上條件)
柵極串聯(lián)電阻RG	2.0Ω(典型值，VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz)
輸入電容Ciss	6010pF(典型值，VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz)
輸出電容Coss	1400pF(典型值，同上條件)
反向傳輸電容Crss	675pF(典型值，同上條件)
開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)	25ns(典型值，VDD=25V,ID=90A,VGS=10V,RG=2.7Ω)
上升時(shí)間tr	102ns(典型值，同上條件)
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)	62ns(典型值，同上條件)
下降時(shí)間tf	84ns(典型值，同上條件)
總柵極電荷Qg	150nC(典型值，VDS=40V,VGS=10V,ID=32A,F=1MHz)
柵源電荷Qgs	32nC(典型值，同上條件)
柵漏電荷Qgd	70nC(典型值，同上條件)
七、典型特性曲線說(shuō)明
輸出特性曲線	展示不同VGS下ID與VDS的關(guān)系，體現(xiàn)低內(nèi)阻特性
轉(zhuǎn)移特性曲線	展示不同溫度下ID與VGS的關(guān)系，體現(xiàn)溫度穩(wěn)定性
Rds(on)特性曲線	展示Rds(on)隨ID、VGS、溫度的變化趨勢(shì)
電容特性曲線	展示Ciss/Coss/Crss隨VDS的變化趨勢(shì)
柵極電荷特性曲線	展示VGS隨Qg的變化，體現(xiàn)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)特性
體二極管特性曲線	展示不同溫度下正向電流與壓降的關(guān)系
功耗與電流降額曲線	展示器件功耗與電流隨殼溫的變化限制
安全工作區(qū)(SOA)曲線	展示不同脈沖寬度下ID與VDS的安全工作范圍
瞬態(tài)熱阻抗曲線	展示不同占空比下器件的熱阻抗特性

一、KNC2404A 產(chǎn)品基礎(chǔ)信息
產(chǎn)品型號(hào)	KNC2404A
封裝形式	TO-252-7（7腳貼片大功率封裝）
產(chǎn)品類型	N溝道增強(qiáng)型MOSFET
核心規(guī)格	40V 190A 超低內(nèi)阻MOS管
二、主流產(chǎn)品平替型號(hào)對(duì)照表（同規(guī)格可替代）
品牌	競(jìng)品型號(hào)	對(duì)應(yīng)規(guī)格
萬(wàn)代AOS	AON6414	40V 180A 低內(nèi)阻
萬(wàn)代AOS	AON6512	40V 120A 通用對(duì)標(biāo)
英飛凌	IRL3803	30V 140A 耐壓偏低
英飛凌	IRLMS3803	30V 160A 小體積
安森美	NTMFS4C06	40V 100A 常規(guī)款
國(guó)產(chǎn)通用	AP2404	40V 120A 通用型
國(guó)產(chǎn)通用	CS2404	40V 120A 常規(guī)內(nèi)阻
國(guó)產(chǎn)通用	HY2404	40V 120A 標(biāo)準(zhǔn)款
三、核心參數(shù)優(yōu)勢(shì)對(duì)比
參數(shù)項(xiàng)目	KNC2404A	競(jìng)品平均水平
耐壓VDS	40V	30V-40V
連續(xù)電流ID	190A(硅) / 120A(封裝)	100A-140A
導(dǎo)通電阻	2.2mΩ@10V	≥2.8mΩ
雪崩能量EAS	529mJ	≤300mJ
封裝結(jié)構(gòu)	TO-252-7 大散熱	普通TO-252 散熱弱
可靠性	100%雪崩測(cè)試	部分批次測(cè)試
四、官網(wǎng)官方KNC2404A介紹
型號(hào)	KNC2404A（TO-252-7）
短標(biāo)題	40V190A大功率MOSFET 低內(nèi)阻大電流
產(chǎn)品賣點(diǎn)	TO-252-7七腳貼片封裝 2.2mΩ超低導(dǎo)通電阻 190A超大電流承載能力 529mJ高雪崩能量發(fā)熱低、損耗小、壽命長(zhǎng) 散熱結(jié)構(gòu)升級(jí) 穩(wěn)定性更強(qiáng)
適用場(chǎng)景	大功率電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)板工業(yè)控制、光伏儲(chǔ)能模塊大功率快充、逆變器設(shè)備
宣傳口號(hào)	國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)選大電流MOS管標(biāo)桿交期穩(wěn)定價(jià)格優(yōu)勢(shì) 原廠直供
五、痛點(diǎn)解決方案
客戶痛點(diǎn)	我司產(chǎn)品解決方案
電流不足帶載弱	190A大電流滿足大功率需求
內(nèi)阻高發(fā)燙嚴(yán)重	2.2mΩ超低內(nèi)阻溫升更低
進(jìn)口貨期長(zhǎng)價(jià)高	國(guó)產(chǎn)原廠現(xiàn)貨穩(wěn)定性價(jià)比高
散熱差易炸管	TO-252-7封裝散熱結(jié)構(gòu)強(qiáng)化