草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國(guó)家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

KNY3403C 30V 80A MOSFET DFN5*6 大電流專用

信息來源:本站 日期:2026-06-08 

分享到:

KNY3403C 30V 80A MOSFET DFN5*6 大電流專用

4.3mΩ 低內(nèi)阻 高散熱 高可靠性

KNY3403C

KNY3403C、KNY3403C MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N溝道MOSFET

KNG/KNY/KND/KNB3403C (3403C) 規(guī)格參數(shù)表
KNG/KNY/KND/KNB3403C (3403C) 80A 30V N溝道MOSFET
1. 產(chǎn)品基本信息
品牌 KIA 器件類型 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓VDS 30V 額定電流ID(Tc=25℃) 80A
DFN封裝典型Rds(on) 4.3mΩ@VGS=10V TO封裝典型Rds(on) 4.5mΩ@VGS=10V
2. 型號(hào)與對(duì)應(yīng)封裝
Part Number Package Brand 備注
KNG3403C DFN3*3 KIA 8引腳封裝
KNY3403C DFN5*6 KIA 8引腳封裝
KND3403C TO-252 KIA 3引腳封裝
KNB3403C TO-263 KIA 3引腳封裝
3. 產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 極低導(dǎo)通電阻,降低電路損耗
  • 低Crss,開關(guān)速度快,效率高
  • 快速開關(guān)特性,適配高頻應(yīng)用
  • 100%雪崩測(cè)試,可靠性高
  • 優(yōu)異dv/dt抗干擾能力
4. 典型應(yīng)用
  • PWM控制電路、電源管理系統(tǒng)
  • 負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換電路
  • 電池保護(hù)板、BMS系統(tǒng)
5. 引腳定義
封裝類型 引腳編號(hào) 引腳功能 說明
DFN3*3/DFN5*6 4 Gate(柵極) 控制極
DFN3*3/DFN5*6 5,6,7,8 Drain(漏極) 電流輸入端
DFN3*3/DFN5*6 1,2,3 Source(源極) 電流輸出端
TO-252/TO-263 1 Gate(柵極) 控制極
TO-252/TO-263 2 Drain(漏極) 電流輸入端
TO-252/TO-263 3 Source(源極) 電流輸出端
6. 絕對(duì)最大額定值 (Tc=25℃)
參數(shù)名稱 符號(hào) 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 30 V
連續(xù)漏極電流(Tc=25℃) ID 80 A
連續(xù)漏極電流(Tc=100℃) ID 45 A
脈沖漏極電流 IDM 320 A
柵源電壓 VGS ±20 V
單脈沖雪崩能量 EAS 306 mJ
功耗(DFN封裝, Tc=25℃) PD 70 W
功耗(TO封裝, Tc=25℃) PD 83 W
工作/存儲(chǔ)溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150
焊接最高溫度(5秒) TL 300
7. 熱特性參數(shù)
參數(shù)名稱 符號(hào) 最大值 單位
結(jié)到殼熱阻(DFN封裝) RθJC 1.8 ℃/W
結(jié)到殼熱阻(TO封裝) RθJC 1.5 ℃/W
8. 電氣特性參數(shù) (Tc=25℃)
參數(shù)名稱 測(cè)試條件 典型/范圍值 單位
漏源擊穿電壓BVdss VGS=0V, ID=250uA Min: 30V V
漏源漏電流IDSS VDS=30V, VGS=0V Max: 1uA uA
柵源漏電流IGSS VGS=±20V, VDS=0V Max: ±100nA nA
柵極閾值電壓VGS(th) VDS=VDS, ID=250uA 1.0~2.2V(典型1.6V) V
導(dǎo)通電阻Rds(on)(DFN) VGS=10V, ID=20A 4.3~6.0mΩ(典型4.3mΩ)
導(dǎo)通電阻Rds(on)(TO) VGS=10V, ID=20A 4.5~6.0mΩ(典型4.5mΩ)
導(dǎo)通電阻Rds(on)(DFN) VGS=4.5V, ID=20A 6.7~9.2mΩ(典型6.7mΩ)
導(dǎo)通電阻Rds(on)(TO) VGS=4.5V, ID=20A 7.5~9.2mΩ(典型7.5mΩ)
輸入電容Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型1972pF pF
輸出電容Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型214pF pF
反向傳輸電容Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型176pF pF
開通延遲時(shí)間td(on) VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A 典型21ns ns
上升時(shí)間tr VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A 典型16ns ns
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A 典型62ns ns
下降時(shí)間tf VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A 典型12ns ns
總柵極電荷Qg VDS=15V, ID=30A, VGS=10V 典型37.2nC nC
柵源電荷Qgs VDS=15V, ID=30A, VGS=10V 典型5.7nC nC
柵漏電荷Qgd VDS=15V, ID=30A, VGS=10V 典型7.6nC nC
連續(xù)二極管正向電流Is 80 A
脈沖二極管正向電流Ism 320 A
二極管正向電壓VSD ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ 1.2 V
反向恢復(fù)時(shí)間trr IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ 典型32ns ns
反向恢復(fù)電荷Qrr IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ 典型12nC nC
KNG/KNY/KND/KNB3403C 型號(hào)封裝表
產(chǎn)品型號(hào) 封裝規(guī)格 產(chǎn)品型號(hào) 封裝規(guī)格
KNG3403C DFN3*3 KNY3403C DFN5*6
KND3403C TO-252 KNB3403C TO-263
核心參數(shù)
類型 N溝道MOSFET 耐壓 30V
電流 80A 內(nèi)阻 4.3mΩ起
特性 低損耗、低發(fā)熱、高頻快速開關(guān)
官方官宣KNY3403C(客戶痛點(diǎn)版)
1. 解決電源發(fā)熱大、效率低、溫升超標(biāo)
2. 超低內(nèi)阻,降低損耗,提升轉(zhuǎn)換效率
3. 開關(guān)速度快,適合高頻快充與電源
4. 全系列封裝,滿足不同結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5. 高可靠性,雪崩測(cè)試,減少燒管風(fēng)險(xiǎn)
6. 完美替代進(jìn)口,性價(jià)比高交期穩(wěn)定
7. 符合RoHS,適用于工業(yè)與消費(fèi)類產(chǎn)品

全系列直接平替替代型號(hào)

KNY3403C

品牌 競(jìng)品型號(hào) 參數(shù) 對(duì)應(yīng)封裝
AOS萬代 AON3403 / AO3403 30V 80A DFN3*3/DFN5*6
ON安森美 NTMS3403 30V 80A DFN3*3/TO-252
TI德州儀器 CSD16340Q5A 30V 80A DFN3*3
威兆 VS3403DE 30V 80A DFN3*3
新潔能 NCE30ND80 30V 80A DFN3*3/TO-252
華羿 HY3403A 30V 80A DFN3*3/TO-252
揚(yáng)杰 YJQ3403A 30V 80A DFN3*3
長(zhǎng)電 CJAC3403 30V 80A DFN3*3/TO-252
典型應(yīng)用領(lǐng)域
PD/QC快充、同步整流、DC-DC電源
BMS電池管理、電池保護(hù)板、負(fù)載開關(guān)
UPS、工控設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子

注:以上參數(shù)數(shù)據(jù)來源于KIA官方規(guī)格書,僅供選型參考。


座機(jī):0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950(微信同號(hào))

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個(gè)qq)

聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902

KNY3403C

搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)

關(guān)注官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)支持


s