KNB3403C 30V 80A MOSFET TO-263 大功率管

4.5mΩ 低內阻高散熱低發熱

KNB3403C

KNB3403C、KNB3403C MOSFET、30V 80A MOSFET、TO-263 MOSFET、N溝道MOSFET

KIA 3403C系列 MOSFET 規格參數表

KIA 3403C系列 80A 30V N溝道MOSFET
1. 產品基本信息
品牌	KIA	器件類型	N溝道增強型MOSFET
型號系列	3403C	額定電壓VDS	30V
額定電流ID(Tc=25℃)	80A	典型Rds(on)@VGS=10V	4.3~4.5mΩ
2. 型號與對應封裝
Part Number	Package	Brand	備注
KNG3403C	DFN3*3	KIA	8引腳封裝
KNY3403C	DFN5*6	KIA	8引腳封裝
KND3403C	TO-252	KIA	3引腳封裝
KNB3403C	TO-263	KIA	3引腳封裝
3. 產品特點
極低導通電阻，降低電路損耗低Crss，開關速度快，效率高快速開關特性，適配高頻應用 100%雪崩測試，可靠性高優異dv/dt抗干擾能力
4. 典型應用
PWM控制電路、電源管理系統負載開關、DC-DC轉換電路電池保護板、BMS系統
5. 引腳定義
封裝類型	引腳編號	引腳功能	說明
DFN33/DFN56	4	Gate(柵極)	控制極
DFN33/DFN56	5,6,7,8	Drain(漏極)	電流輸入端
DFN33/DFN56	1,2,3	Source(源極)	電流輸出端
TO-252/TO-263	1	Gate(柵極)	控制極
TO-252/TO-263	2	Drain(漏極)	電流輸入端
TO-252/TO-263	3	Source(源極)	電流輸出端
6. 絕對最大額定值 (Tc=25℃)
參數名稱	符號	額定值	單位
漏源電壓	VDSS	30	V
連續漏極電流(Tc=25℃)	ID	80	A
連續漏極電流(Tc=100℃)	ID	45	A
脈沖漏極電流	IDM	320	A
柵源電壓	VGS	±20	V
單脈沖雪崩能量	EAS	306	mJ
功耗(DFN封裝, Tc=25℃)	PD	70	W
功耗(TO封裝, Tc=25℃)	PD	83	W
工作/存儲溫度范圍	TJ, TSTG	-55 ~ 150	℃
焊接最高溫度(5秒)	TL	300	℃
7. 熱特性參數
參數名稱	符號	最大值	單位
結到殼熱阻(DFN封裝)	RθJC	1.8	℃/W
結到殼熱阻(TO封裝)	RθJC	1.5	℃/W
8. 電氣特性參數 (Tc=25℃)
參數名稱	測試條件	典型/范圍值	單位
漏源擊穿電壓BVdss	VGS=0V, ID=250uA	Min: 30V	V
漏源漏電流IDSS	VDS=30V, VGS=0V	Max: 1uA	uA
柵源漏電流IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	Max: ±100nA	nA
柵極閾值電壓VGS(th)	VDS=VDS, ID=250uA	1.0~2.2V(典型1.6V)	V
導通電阻Rds(on)(DFN)	VGS=10V, ID=20A	4.3~6.0mΩ(典型4.3mΩ)	mΩ
導通電阻Rds(on)(TO)	VGS=10V, ID=20A	4.5~6.0mΩ(典型4.5mΩ)	mΩ
導通電阻Rds(on)(DFN)	VGS=4.5V, ID=20A	6.7~9.2mΩ(典型6.7mΩ)	mΩ
導通電阻Rds(on)(TO)	VGS=4.5V, ID=20A	7.5~9.2mΩ(典型7.5mΩ)	mΩ
輸入電容Ciss	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	典型1972pF	pF
輸出電容Coss	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	典型214pF	pF
反向傳輸電容Crss	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	典型176pF	pF
開通延遲時間td(on)	VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A	典型21ns	ns
上升時間tr	VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A	典型16ns	ns
關斷延遲時間td(off)	VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A	典型62ns	ns
下降時間tf	VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A	典型12ns	ns
總柵極電荷Qg	VDS=15V, ID=30A, VGS=10V	典型37.2nC	nC
柵源電荷Qgs	VDS=15V, ID=30A, VGS=10V	典型5.7nC	nC
柵漏電荷Qgd	VDS=15V, ID=30A, VGS=10V	典型7.6nC	nC
連續二極管正向電流Is	—	80	A
脈沖二極管正向電流Ism	—	320	A
二極管正向電壓VSD	ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃	1.2	V
反向恢復時間trr	IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃	典型32ns	ns
反向恢復電荷Qrr	IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃	典型12nC	nC

KNB3403C（TO-263）基礎信息
產品型號	KNB3403C	封裝規格	TO-263
器件類型	N溝道MOSFET	額定電壓	30V
連續漏極電流	80A	典型導通電阻	4.5mΩ@10V
官網宣傳文案（客戶痛點版）
1. TO-263大散熱封裝，高功率場景溫升更低
2. 30V/80A大電流，滿足大功率驅動需求
3. 4.5mΩ低內阻，發熱少、損耗低、效率高
4. 開關速度快，適配高頻電源與同步整流
5. 100%雪崩測試，抗沖擊強，長期穩定
6. 標準封裝易貼裝，量產良率高
7. 國產替代進口，性價比高，交期穩定
KNB3403C 平替替代型號對照表（TO-263）
品牌	競品型號	參數匹配	封裝
AOS萬代	AO3403	30V 80A	TO-263
安森美ON	NTMS3403	30V 80A	TO-263
新潔能	NCE30ND80	30V 80A	TO-263
華羿微	HY3403A	30V 80A	TO-263
威兆半導體	VS3403D	30V 80A	TO-263
長電科技	CJAC3403	30V 80A	TO-263
典型應用場景
PD/QC快充適配器、大功率同步整流電路
BMS電池管理系統、大功率負載開關
電機驅動、UPS電源、工業控制設備