KNY3080B 30V 80A MOSFET DFN5×6 低 Rds (ON) 同步整流專用
信息來源：本站 日期：2026-06-10
4.1mΩ 超低導通電阻，替代進口，高效散熱，快充 / 電池管理方案首選
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| 型號 | KNY3080B (3080B) |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 類型 | N溝道溝槽型MOSFET |
| 封裝 | DFN5×6 |
| 額定電壓(VDS) | 30V |
| 額定電流(ID) | 80A (Tc=25℃) |
| 低導通電阻 | RDS(ON)=4.1mΩ(typ)@VGS=10V |
| 低柵極電荷 | Qg=32nC(typ) |
| 環保器件 | 支持無鉛/綠色封裝 |
| 抗dv/dt能力 | 優異的dv/dt抑制效果 |
| 快充同步整流 | AC/DC快速充電器 |
| 電池管理 | 電池保護/均衡電路 |
| 不間斷電源 | UPS系統 |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 4 | Gate (柵極) |
| 5,6,7,8 | Drain (漏極) |
| 1,2,3 | Source (源極) |
| 參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 30 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 | ID (Tc=25℃) | 80 | A |
| 連續漏極電流 | ID (Tc=100℃) | 30 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 160 | A |
| 總功耗 | PD (Tc=25℃) | 25 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 58 | mJ |
| 工作/存儲溫度 | TJ, TSTG | -55~150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到環境熱阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 柵極電阻 | RG | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V, ID=30A | - | 44 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1550 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 230 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 8 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 100 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 34 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 101 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 32 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 5 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 8.5 | - | nC |
| 體二極管連續電流 | IS | - | - | - | 80 | A |
| 體二極管脈沖電流 | ISM | - | - | - | 140 | A |
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, IS=1A | - | - | 1 | V |
| 產品定位 | 高性能30V N溝道溝槽MOSFET，DFN5×6小型化封裝 |
| 核心優勢 | 超低導通電阻、低柵極電荷、大電流高可靠性 |
| 適用場景 | 快充同步整流、電池保護、電源管理、UPS設備 |
| 品質保障 | 無鉛環保封裝，優異dv/dt耐受，工業級溫度范圍 |
8、KNY3080B平替替代型號對照表
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 參數匹配 |
|---|---|---|---|
| AO | AO3400A | DFN5×6 | 30V N溝道MOSFET |
| ON | NTMS3N06P | DFN5×6 | 30V大電流MOSFET |
| TI | CSD16323Q5A | DFN5×6 | 30V同步整流專用 |
| 威兆 | VS3608DE | DFN5×6 | 30V/80A兼容替代 |
| 新潔能 | NCE3080Q | DFN5×6 | 30V N溝道直接競品 |
| 華羿 | HY3080D | DFN5×6 | 30V快充專用MOS |
| 士蘭微 | SL3080DA | DFN5×6 | 30V大電流功率器件 |
| 揚杰 | YJ3080Q5 | DFN5×6 | 30V DFN封裝競品 |
| 超低導通 | 4.1mΩ典型值，VGS=10V，大幅降低損耗 |
| 大電流 | 80A連續電流，160A脈沖電流，強帶載能力 |
| 低電荷 | 32nC總柵極電荷，提升開關效率 |
| 寬溫域 | -55℃~150℃，適應嚴苛工作環境 |
| 小體積 | DFN5×6封裝，節省PCB空間，易散熱 |
| 對比進口 | 性能一致，成本更低，交期更穩定 |
| 對比國產 | 導通電阻更低，溫升更小，可靠性更高 |
| 方案適配 | Pin-Pin兼容，無需改板，直接替換 |
| 應用保障 | 快充/電池場景專項優化，穩定性強 |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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