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KND8104A 40V/30A TO-252 N 溝道 | 12mΩ 低內(nèi)阻功率管

信息來源：本站　日期：2026-06-12　

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KND8104A 40V/30A TO-252 N 溝道 MOSFET | 12mΩ 低內(nèi)阻功率管

解決 MOS 管發(fā)熱、效率低難題 | KND8104A 低損耗方案

KND8104A


KIA 8104A系列 40V/30A N溝道MOSFET參數(shù)規(guī)格

KIA8104A系列 40V/30A N溝道MOSFET

1. KND8104A產(chǎn)品型號與封裝

型號 封裝 品牌
KNG8104A DFN3*3 KIA
KNY8104A DFN5*6 KIA
KND8104A TO-252 KIA

2. KND8104A引腳定義

TO-252引腳 DFN3*3/5*6引腳 功能
1 4 Gate（柵極）
2 5,6,7,8 Drain（漏極）
3 1,2,3 Source（源極）

3. KND8104A產(chǎn)品特性

項目 說明
導(dǎo)通電阻 RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=10V
核心優(yōu)勢 極低導(dǎo)通電阻、低Crss、快速開關(guān)
可靠性測試 100%雪崩測試、改進的dv/dt能力

4. KND8104A應(yīng)用領(lǐng)域

序號 應(yīng)用場景
1 PWM控制應(yīng)用
2 電源管理
3 負載開關(guān)

5. KND8104A絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數(shù) 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDS VGS=0V 40 V
連續(xù)漏極電流 ID Tc=25℃ 30 A
Tc=100℃ 19 A
脈沖漏極電流 IDM 脈沖測試 120 A
柵源電壓 VGS - ±20 V
單脈沖雪崩能量 EAS - 25 mJ
功耗 PD Tc=25℃ 96 W
結(jié)溫/存儲溫度 TJ,TSTG - -55~150 ℃
焊接溫度 TL 引腳焊接5秒 300 ℃

注：漏極電流受最大結(jié)溫限制。

6. KND8104A熱性能參數(shù)

參數(shù) 符號 額定值 單位
結(jié)-殼熱阻 RθJC 1.3 ℃/W

7. 電氣特性（Tc=25℃）

參數(shù) 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDS VGS=0V,ID=250uA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V,VGS=0V - - 1 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250uA 1.0 1.5 2.5 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=20A - 12 16 mΩ
VGS=4.5V,ID=10A - 16.5 24 mΩ
柵極電阻 RG f=1MHz - 4 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz - 850 - pF
輸出電容 Coss - 70 - pF
反向傳輸電容 Crss - 62 - pF
開通延遲時間 td(on) VGS=10V,VDS=30V,RG=4.7Ω,ID=30A - 4 - ns
上升時間 tr - 8 - ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) - 30 - ns
下降時間 tf - 10 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=20V,ID=30A,VGS=10V - 18 - nC
柵源電荷 Qgs - 2.5 - nC
柵漏電荷 Qgd - 5 - nC
體二極管正向電流 Is - - - 30 A
體二極管脈沖電流 IsM - - - 120 A
二極管正向壓降 VSD ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ - - 1.2 V

注：1. 重復(fù)額定值：脈寬受最大結(jié)溫限制；2. EAS測試條件：TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω；3. 脈沖測試：脈寬≤300μs，占空比≤0.5%。

8. KND8104A典型特性曲線說明

圖號 曲線內(nèi)容
圖1 導(dǎo)通區(qū)特性（ID vs VDS，不同VGS）
圖2 傳輸特性（ID vs VGS）
圖3 導(dǎo)通電阻隨漏極電流與柵極電壓變化
圖4 體二極管正向電壓隨源電流變化
圖5 電容特性（Ciss/Coss/Crss vs VDS）
圖6 柵極電荷特性（VGS vs Qg）
圖7 漏源電壓隨柵極電壓變化
圖8 導(dǎo)通電阻隨柵極電壓變化
圖9 最大安全工作區(qū)（SOA）
圖10 最大連續(xù)漏極電流隨結(jié)溫變化
圖11 瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線

9.KND8104A測試電路說明

10、KND8104A產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

電路類型 測試項目
柵極電荷測試電路 Qg/Qgs/Qgd參數(shù)測試
阻性開關(guān)測試電路 開關(guān)時間、上升/下降時間測試
非鉗位感性開關(guān)測試電路 雪崩能量EAS測試
二極管恢復(fù)dv/dt測試電路 體二極管反向恢復(fù)特性測試
產(chǎn)品型號 封裝 器件類型 核心參數(shù)
KND8104A TO-252 N溝道MOSFET 40V/30A，典型Rds(on) 12mΩ

11、KND8104A同規(guī)格平替替代型號（TO-252 40V/30A N溝道）

KND8104A

競品型號 品牌 核心參數(shù) 產(chǎn)品特點
NCE4030K NCE 40V/30A TO-252 市面通用款，供貨渠道廣
AOT4030L AOS 40V/30A TO-252 開關(guān)速度快，高頻電路適配佳
IRLR7843 IR 40V/30A TO-252 老牌型號，工業(yè)設(shè)備常用
WST4030 Winsok 40V/30A TO-252 低內(nèi)阻，性價比突出
FQD30N40 ON 40V/30A TO-252 穩(wěn)定性強，長期工況表現(xiàn)好

12、KND8104A產(chǎn)品核心優(yōu)勢宣傳

分類 宣傳文案
產(chǎn)品簡介 KND8104A為TO-252封裝N溝道MOS管，額定40V/30A。
導(dǎo)通性能 典型內(nèi)阻12mΩ，大幅降低導(dǎo)通損耗與發(fā)熱。
開關(guān)特性 反向傳輸電容低，開關(guān)響應(yīng)迅速、效率高。
抗干擾能力 優(yōu)化dv/dt耐受能力，適配復(fù)雜電磁環(huán)境。
可靠性能 100%雪崩全檢，抗沖擊強，使用壽命長久。
封裝優(yōu)勢 標(biāo)準TO-252封裝，焊接便捷，散熱表現(xiàn)優(yōu)良。

13、KND8104A應(yīng)用領(lǐng)域宣傳

應(yīng)用場景 場景介紹
PWM控制電路 開關(guān)性能優(yōu)異，適配各類脈沖調(diào)制線路。
電源管理模塊 低損耗設(shè)計，提升電源整體轉(zhuǎn)換效率。
大電流負載開關(guān) 30A電流承載，通斷穩(wěn)定安全。
小家電驅(qū)動 參數(shù)匹配度高，適配各類家用電器方案。
工控供電系統(tǒng) 可靠性高，滿足設(shè)備長時間連續(xù)運行。

14、KND8104A競品對比宣傳

對比維度 對比優(yōu)勢文案
發(fā)熱控制 低導(dǎo)通內(nèi)阻，相比同類產(chǎn)品溫升更低。
高頻表現(xiàn) 電容參數(shù)優(yōu)秀，高頻工況效率更有優(yōu)勢。
引腳兼容 標(biāo)準TO-252引腳，可直接替換主流競品。
耐沖擊性 全檢雪崩性能，惡劣工況適應(yīng)性更強。
綜合性價比 品質(zhì)對標(biāo)一線品牌，貨源穩(wěn)定采購成本優(yōu)。

15、KND8104A標(biāo)題及引流短句

使用位置 宣傳文案
產(chǎn)品主標(biāo)題1 KND8104A 40V30A TO-252低內(nèi)阻MOSFET
產(chǎn)品主標(biāo)題2 TO-252封裝40V/30A 高速開關(guān)功率MOS管
引流短句1 可替代NCE4030K/AOT4030L 通用功率管
引流短句2 12mΩ低內(nèi)阻 高可靠TO-252封裝MOS管


座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KND8104A

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