新型儲能產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料及核心部件，其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器...新型儲能產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料及核心部件，其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器(PCS)、能量管理系統(tǒng)（EMS）、電池管理系統(tǒng)(BMS)四大部分；中游為系統(tǒng)集成商和安裝...
溝道型MOSFET已成為當(dāng)前大部分車載應(yīng)用的標準應(yīng)用。傳統(tǒng)的平面型MOSFET建立在硅...溝道型MOSFET已成為當(dāng)前大部分車載應(yīng)用的標準應(yīng)用。傳統(tǒng)的平面型MOSFET建立在硅晶圓表面之上，而溝道型MOSFET是在硅片上蝕刻垂直溝道，從而讓功率開關(guān)得以擁有更高...
MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率...MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動系統(tǒng)中的變速箱控...
變頻器也稱為變頻驅(qū)動器或驅(qū)動控制器，是可調(diào)速驅(qū)動系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動...變頻器也稱為變頻驅(qū)動器或驅(qū)動控制器，是可調(diào)速驅(qū)動系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動技術(shù)改變交流電動機工作電壓的頻率和幅度，來平滑控制交流電動機速度及轉(zhuǎn)矩。
根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失...根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等...
雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝...雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝道；P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。
