功率MOSFET發生寄生導通（不希望發生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損...功率MOSFET發生寄生導通（不希望發生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損失也更大。寄生導通通常會損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導通機制取決...
在此，R1和C1對晶體管Q4構成一個適度的濾波器。Q5發射極上的3.3V電壓將對Q4的基...在此，R1和C1對晶體管Q4構成一個適度的濾波器。Q5發射極上的3.3V電壓將對Q4的基極發射極結產生反向偏置，并使電流通過R11流向Q4的基極。流經Q4的電流驅動Q3和Q2，...
與MOSFET相關的三個電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數的方式測量這些...與MOSFET相關的三個電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數的方式測量這些電容并不是一件直截了當的工作，在此過程中需要它們中的某些被短路或開路（left flo...
圖1為常用的小功率驅動電路，簡單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關設...圖1為常用的小功率驅動電路，簡單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關設備。其中一路直接接到下管，另外一路經反向器反向后驅動上管。RP1，RP2用于調節死區...
首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時您讓高側面積更大（旨在降低其電阻），則低側的面積必減小，而其電阻增加。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提...P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵極電荷。
