原廠優(yōu)質(zhì)P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進的溝...原廠優(yōu)質(zhì)P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進的溝槽技術生產(chǎn)，極低導通電阻RDS(導通) 45mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供...
體積：TO-247在長度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實（金屬外殼）。 散熱...體積：TO-247在長度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實（金屬外殼）。 散熱方式：TO-247依賴外部散熱器；TO-3P通過金屬殼直接散熱。 應用場景：兩者均用于大...
1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm...1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm（不含引腳）。 3.本體寬度：16.0mm（僅器件主體）。20.2-20.4mm（含引腳輪廓）。高...
原廠現(xiàn)貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生...原廠現(xiàn)貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生產(chǎn)，極低導通電阻RDS(導通) 7.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的...
TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插...TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插腳編。 TO-220-3是通用的編碼，指具有TO-220本體和3引腳的零件。相同的封裝系列中...
