20n50參數(shù),20n50mos管,500v20a場效應管,KIA20N50HM-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-09
KIA20N50HM場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，專為高壓、高速功率開關(guān)應用設(shè)計，低導通電阻RDS(on)0.21Ω，低柵極電荷70nC，降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率；快速開關(guān)能力、指定雪崩能量、改進的dvdt功能，高效穩(wěn)定可靠；廣泛應用于高效開關(guān)電源和有源功率因數(shù)校正等；封裝形式：TO-247，散熱能力出色、高電流與高電壓承載能力。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：500V
漏極電流：20A
導通電阻：0.21Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：80A
單脈沖雪崩能量：1110MJ
功率耗散：280W
總柵極電荷：70nC
輸入電容：2700PF
輸出電容：400PF
反向傳輸電容：40PF
開通延遲時間：100nS
關(guān)斷延遲時間：100nS
上升時間：400ns
下降時間：100ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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