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igbt米勒平臺(tái)形成的原理,解決方法-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2026-02-02 

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igbt米勒平臺(tái)形成的原理,解決方法-KIA MOS管


igbt米勒平臺(tái)

米勒平臺(tái)是IGBT在開關(guān)瞬間,由于集電極電壓的快速變化通過(guò)內(nèi)部寄生電容Cgc耦合到門極,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電流被“轉(zhuǎn)移”而無(wú)法繼續(xù)提升門極電壓所造成的現(xiàn)象。

米勒平臺(tái)形成的原理

1.寄生電容的存在:IGBT內(nèi)部存在多個(gè)寄生電容,其中最關(guān)鍵的是柵極-集電極寄生電容(Cgc),也稱為米勒電容。此外,還有柵極-發(fā)射極電容(Cge)和集電極-發(fā)射極電容(Cce)。

2.開關(guān)過(guò)程中的電壓變化:當(dāng)IGBT從關(guān)斷狀態(tài)開啟時(shí),驅(qū)動(dòng)電流首先對(duì)Cge充電,使門極電壓Vge上升。當(dāng)Vge達(dá)到閾值電壓后,IGBT開始導(dǎo)通,集電極電流(Ic)開始流動(dòng),同時(shí)集電極-發(fā)射極電壓(Vce)開始從母線電壓快速下降。

3.米勒效應(yīng)的觸發(fā):Vce的快速下降(即高dv/dt)會(huì)通過(guò)米勒電容(Cgc)耦合到門極。此時(shí),驅(qū)動(dòng)器輸出的電流不再用于提升Vge,而是主要流向Cgc,對(duì)其進(jìn)行充電。由于Cge已基本充滿,而驅(qū)動(dòng)電流被Cgc“分流”,因此門極電壓Vge會(huì)暫時(shí)停止上升,維持在一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的電壓水平,這個(gè)平臺(tái)就是米勒平臺(tái)。

4.平臺(tái)的結(jié)束:當(dāng)Vce下降至接近IGBT的飽和電壓(Vcesat)時(shí),其變化率(dv/dt)減小,通過(guò)Cgc的位移電流也隨之減小。此時(shí),驅(qū)動(dòng)器的電流再次能夠同時(shí)對(duì)Cgc和Cge充電,門極電壓Vge才會(huì)繼續(xù)上升,直至達(dá)到最終的驅(qū)動(dòng)電壓(如15V),完成開通過(guò)程。

igbt米勒平臺(tái)

改善米勒效應(yīng)的方法

1.改變門極電阻

igbt米勒平臺(tái)

備注:Rgoff=(Rgon//Rgoff)

門極導(dǎo)通電阻Rgon影響IGBT導(dǎo)通期間的門極充電電壓和電流;增大這個(gè)電阻將減小門極充電的電壓和電流,但會(huì)增加開通損耗。

寄生米勒電容引起的導(dǎo)通通過(guò)減小關(guān)斷電阻Rgoff可以有效抑制。越小的Rgoff同樣也能減少IGBT的關(guān)斷損耗,然而需要付出的代價(jià)是在關(guān)斷期間由于雜散電感的存在會(huì)產(chǎn)生很高的過(guò)壓尖峰和門極震蕩;

總之,要減小米勒效應(yīng)產(chǎn)生的過(guò)電壓尖峰就是放大Rgon而減小Rgoff。

2.在門極G和射極E之間增加電容

igbt米勒平臺(tái)

G-E間增加電容Cge將影響IGBT開關(guān)的特性。Cge分擔(dān)了米勒電容產(chǎn)生的門極充電電流,鑒于這種情況,IGBT的總的輸入電容為Cge||Ccg。門極充電要達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的閾值電壓需要更多的電荷(如圖3)。但G-E間增加電容,驅(qū)動(dòng)電源功耗會(huì)增加,相同的門極驅(qū)動(dòng)電阻情況下IGBT的開關(guān)損耗也會(huì)增加。

3.有源米勒鉗位解決方案

igbt米勒平臺(tái)

為了避免Rg優(yōu)化問(wèn)題、Cge的損耗和效率等問(wèn)題,另一種通過(guò)門極G與射極E短路的方法被采用來(lái)抑制因?yàn)榧纳桌针娙輰?dǎo)致的意想不到的開通。這種方法可以在門極G與射極E之間增加三級(jí)管來(lái)實(shí)現(xiàn),在VGE電壓達(dá)到某個(gè)值時(shí),門極G與射極E的短路開關(guān)(三級(jí)管)將觸發(fā)工作。這樣流經(jīng)米勒電容的電流將通過(guò)三極管旁路而不至于流向驅(qū)動(dòng)器引腳VOUT。

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