100n03,30v90a mos管?,KIA100N03AP場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-02
KIA100N03AP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.3mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有增強(qiáng)的dv/dt能力、快速切換，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖，綠色設(shè)備可用；廣泛應(yīng)用于高效率開關(guān)電源，有功功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)?/span>以及小功率LED、鋰電池保護(hù)板等，封裝形式：TO-220。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：30V
漏電流連續(xù)：90A
導(dǎo)通電阻：3.3mΩ
柵源電壓：±20A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：158W
柵極閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：24nC
輸入電容：3070PF
輸出電容：400PF
反向傳輸電容：315PF
開啟延遲時間：12.6ns
關(guān)斷延遲時間：12.6ns
上升時間：42.8ns
下降時間：13.2ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
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