15n10,15n10參數(shù),100v15a,?KND6610A場效應(yīng)管現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-13
15n10主流規(guī)格參數(shù)為漏源電壓100V、連續(xù)漏極電流15A，廣泛應(yīng)用于電源管理及開關(guān)電路中。
漏源電壓（Vdss）：主流規(guī)格為100V，部分型號可能為60V，選型時(shí)需確認(rèn)。
連續(xù)漏極電流（Id）：在25℃環(huán)境下通常為14.6A至15A。
漏源導(dǎo)通電阻（RDS（on)）：典型值在90mΩ至110mΩ之間（Vgs=10V)。
最大功率耗散（Pd）：根據(jù)封裝和散熱條件不同，范圍約為30W至60W。
柵源極閾值電壓（Vgs(th))：一般在2.5V至3V@250uA。
工作溫度：標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級范圍通常為-55℃至+150℃。
常見封裝類型：TO-252（DPAK），貼片封裝形式，適用于表面貼裝技術(shù)。
原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KND6610A場效應(yīng)管可代換15n10使用，參數(shù)兼容、性價(jià)比高，KND6610A漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，采用先進(jìn)的平面溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 83mΩ，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，提供卓越的開關(guān)性能；具有低crss、快速切換、并能夠承受雪崩和換向模式的高能脈沖、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，高效穩(wěn)定可靠；適用于PWM應(yīng)用、電源管理、負(fù)載開關(guān)等；封裝形式：TO-252。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：100V
漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻：83mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：60A
單脈沖雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
閾值電壓：1.7V
總柵極電荷：19.2nC
輸入電容：1073PF
輸出電容：57PF
反向傳輸電容：31PF
開通延遲時(shí)間：12.6nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：32.5nS
上升時(shí)間：6ns
下降時(shí)間：4.3ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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