KIA75100A 1000V/24A 高壓 MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-08
| 工藝技術 | Advanced Planar Process（先進平面工藝） |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 典型值380mΩ @ VGS=10V，最大值450mΩ |
| 柵極電荷特性 | Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低柵極電荷，降低開關損耗） |
| 柵極結(jié)構(gòu) | Rugged Poly silicon Gate Structure（堅固的多晶硅柵極結(jié)構(gòu)） |
| BLDC無刷直流電機驅(qū)動 | BLDC Motor Driver |
| 電焊機設備 | Electric Welder |
| 高效率開關電源 | High Efficiency SMPS |
KIA75100A（KNK75100A）是一款**1000V/24A 超高壓大功率N溝道MOSFET**，采用先進平面工藝，TO-264大功耗封裝，具備低內(nèi)阻、低柵極電荷、超高雪崩能量、超強散熱能力，專為高壓工業(yè)設備、大功率電源系統(tǒng)設計。
產(chǎn)品完美解決高壓設備耐壓不足、發(fā)熱嚴重、開關損耗大、可靠性低等痛點，廣泛用于電焊機、BLDC無刷電機、高壓開關電源、工業(yè)控制等高要求場景，性能對標國際一線品牌，是超高壓MOS的優(yōu)選方案。
? 1000V超高耐壓 + 24A大電流，滿足超高壓系統(tǒng)需求
? 低導通電阻380mΩ，高壓低損耗，發(fā)熱更低
? 低柵極電荷，開關速度快，系統(tǒng)效率更高
? 2500mJ超高雪崩能量，抗沖擊、抗損壞能力極強
? TO-264大功率封裝，散熱性能行業(yè)頂尖
? 堅固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，長期工作穩(wěn)定可靠
? 工作溫度-55℃~150℃，工業(yè)級寬溫穩(wěn)定
? 符合RoHS環(huán)保標準，適配高端設備
| 品牌 | 競品型號 | 規(guī)格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | SPA24N100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 意法半導體 | STP24NM100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 安森美 | NTNL24N100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 威世 | SiHP24N100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 東芝 | TK24A100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 士蘭微 | SVF24N100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 新潔能 | NCE24TD100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 揚杰 | YJ24N100 | 1000V 24A N溝道 | TO-264 |
| 參數(shù) | KIA75100A | 國際品牌競品 | 國內(nèi)品牌競品 |
|---|---|---|---|
| 耐壓 Vdss | 1000V | 1000V | 1000V |
| 連續(xù)電流 Id | 24A | 24A | 20~24A |
| 導通電阻 | 380mΩ(典型) | 400~480mΩ | 420~500mΩ |
| 雪崩能量 | 2500mJ | 2000~2300mJ | 1800~2200mJ |
| 封裝 | TO-264 | TO-264 | TO-264 |
| 優(yōu)勢 | 內(nèi)阻更低、雪崩更強、更耐用 | 價格昂貴、交期極長 | 雪崩能量偏低、一致性一般 |
| 完整型號 | 封裝 | 適用場景 |
|---|---|---|
| KNK75100A | TO-264 | 電焊機、高壓電源、無刷電機、工業(yè)控制 |
| 工業(yè)電焊機 / 逆變焊機設備 |
| BLDC無刷直流電機驅(qū)動 |
| 1000V超高壓開關電源 |
| 大功率工業(yè)控制模塊 |
| 高壓逆變器、UPS不間斷電源 |
| 新能源高壓控制系統(tǒng) |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNK75100A | TO-264 | KIA |
| 參數(shù) | 符號 | 規(guī)格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 (VGS=0V) | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 (VDS=0V) | VGSS | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 24 (Tc=25℃) | A |
| 15 (Tc=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 96 | A |
| 單脈沖雪崩能量 (L=0.5mH) | EAS | 2500 | mJ |
| 峰值二極管恢復dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 650 | W |
| 25℃以上降額系數(shù) | - | 5.44 | W/℃ |
| 焊接溫度 | TL | 300 (引線1.6mm處10秒) | ℃ |
| TPAK | 260 (封裝體10秒) | ℃ | |
| 工作與存儲溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號 | 規(guī)格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 0.192 | ℃/W |
| 結(jié)-環(huán)境熱阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 參數(shù)類別 | 參數(shù)名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V | - | - | 5 | μA | |
| VDS=800V, TC=125℃ | - | - | 125 | μA | |||
| 柵源正向漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導通特性 | 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=12A | - | 380 | 450 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| 正向跨導 | gFS | VDS=25V, ID=12A | - | 18 | - | S | |
| 動態(tài)特性 | 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 7300 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 52 | - | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 552 | - | pF | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, ID=12A, VGS=0~10V | - | 180 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 50 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 60 | - | nC | ||
| 開關特性 | 開通延遲時間 | td(on) | VDD=500V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=12A | - | 68 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 118 | - | ns | ||
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 100 | - | ns | ||
| 下降時間 | tf | - | 110 | - | ns | ||
| 體二極管特性 | 連續(xù)源極電流 | ISD | - | - | - | 24 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | - | 96 | A | |
| 二極管正向壓降 | VSD | IS=24A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=24A, diF/dt=100A/μs | - | 900 | - | ns | |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 2.0 | - | μC |
注：以上數(shù)據(jù)基于TA=25℃條件，完整特性曲線、測試電路及波形請參考原廠數(shù)據(jù)手冊。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
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