KIA8104A 40V/30A 超低內阻 MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-08
| 導通電阻(RDS(ON)) | 典型值12mΩ @ VGS=10V，最大值16mΩ（ID=20A）；典型值16.5mΩ @ VGS=4.5V，最大值24mΩ（ID=10A） |
| 低反向傳輸電容 | Low Crss，降低開關損耗 |
| 開關速度 | Fast switching，支持高頻PWM應用 |
| 可靠性測試 | 100% avalanche tested（100%雪崩測試） |
| 抗干擾能力 | Improved dv/dt capability，增強系統穩定性 |
| PWM控制應用 | PWM Application |
| 電源管理模塊 | Power Management |
| 負載開關電路 | Load switch |
一、產品核心KIA8104A 是一款專為小型化、高效率電源系統打造的
40V/30A N溝道功率MOSFET，采用先進工藝設計，搭載超低導通電阻
、超快開關速度及100%雪崩測試保障，提供DFN3*3、DFN5*6、
TO-252三種封裝可選，完美適配多場景結構需求。
針對小體積設備發熱嚴重、開關損耗高、
可靠性不足、封裝適配受限等核心痛點，
KIA8104A 以低內阻降損耗、快開關提效率、多封裝解限制、
高可靠穩運行的核心優勢，廣泛應用于電源管理、
高頻PWM控制、負載開關等領域，性價比遠超同
規格競品，是低壓小體積MOSFET的優選方案。
1.規格適配
40V耐壓+30A連續電流，小體積承載大功率，滿足低壓大電流場景需求
2.超低損耗
典型導通電阻僅12mΩ（VGS=10V），大幅降低設備發熱，提升系統效率
3.超快開關
開關速度快，低反向傳輸電容，適配高頻PWM控制應用，減少開關損耗
4. 高可靠性
100%雪崩測試合格，抗沖擊、抗干擾能力強，工作溫度-55℃~150℃，工業級穩定
5. 多封裝可選
DFN3*3（超小型）、DFN5*6（小體積大電流）、TO-252（常規貼片），適配不同設備結構
6. 高性價比
性能對標國際一線品牌，價格更具優勢，可直接替代進口同規格產品，交期穩定
三、直接競品型號一覽表（100%規格匹配）
四、KIA8104A VS 競品核心參數對比
品牌名稱
競品型號
規格匹配（與KIA8104A一致）
封裝類型
KIA
KIA8104A
40V 30A N溝道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
英飛凌
BSL30104
40V 30A N溝道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
安森美
NTD3055
40V 30A N溝道
DFN3*3/TO-252
威世
Si3443
40V 30A N溝道
DFN5*6/TO-252
東芝
TPN3004
40V 30A N溝道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
士蘭微
SVF3004
40V 30A N溝道
DFN3*3/TO-252
新潔能
NCE8104
40V 30A N溝道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
揚杰
YJ3004
40V 30A N溝道
DFN3*3/TO-252
華微
HM3004
40V 30A N溝道
DFN5*6/TO-252
KIA8104A 導通電阻更低、
開關速度更快，
多封裝適配性更強，
性價比遠超國際品牌，
可靠性優于多數國產品牌
五、型號與封裝選型表
核心參數
KIA8104A
國際品牌競品
國內品牌競品
核心差異優勢
漏源耐壓（Vdss）
40V
40V
40V
連續漏極電流（Id）
30A（Tc=25℃）
25~30A
25~30A
導通電阻（Rds(on)）
12mΩ（典型，VGS=10V）
13~18mΩ
15~22mΩ
開關速度
超快（開通延遲4ns）
快（開通延遲5~8ns）
一般（開通延遲8~12ns）
封裝類型
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
2~3種封裝
2~3種封裝
價格優勢
高性價比，國產親民價
價格昂貴，溢價高
價格適中，無明顯優勢
同等性能下，價格比國際品牌低30%+
交期
穩定，現貨充足
現貨供應，無需長期等待
完整型號
封裝規格
核心特點
適用場景
KNG8104A
DFN3*3
超小型貼片，占用空間極小
超薄智能硬件、微型電源模塊、小型消費電子
KNY8104A
DFN5*6
小體積+大電流承載，散熱性佳快充適配器、移動電源、小型電機驅動
KNY8104A
常規貼片封裝，兼容性強，易焊接
通用電源管理、負載開關、PWM控制設備
| 封裝類型 | 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|---|
| TO-252 | 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） | |
| 3 | Source（源極） | |
| DFN3*3 / DFN5*6 | 4 | Gate（柵極） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏極） | |
| 1,2,3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA |
| KND8104A | TO-252 | KIA |
| 參數 | 符號 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 (VGS=0V) | VDSS | 40 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 30 (Tc=25℃) | A |
| 19 (Tc=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 120 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 25 | mJ |
| 耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 96 | W |
| 焊接溫度（引腳1/8英寸處，5秒） | TL | 300 | ℃ |
| 工作與存儲溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 參數類別 | 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| 柵源正向漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導通特性 | 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 12 | 16 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ | |||
| 柵極電阻 | RG | f=1MHz | - | 4 | - | Ω | |
| 動態特性 | 輸入電容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 70 | - | pF | ||
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 62 | - | pF | ||
| 開關特性 | 開通延遲時間 | td(on) | VGS=10V, VDS=30V, RG=4.7Ω, ID=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 8 | - | ns | ||
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 30 | - | ns | ||
| 下降時間 | tf | - | 10 | - | ns | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷(10V) | Qg | VDS=20V, ID=30A, VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 2.5 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 5 | - | nC | ||
| 體二極管特性 | 連續漏源二極管正向電流 | IS | - | - | - | 30 | A |
| 脈沖漏源二極管正向電流 | ISM | - | - | - | 120 | A | |
| 二極管正向壓降 | VSD | ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
注：以上數據基于Tc=25℃條件，完整特性曲線、測試電路及波形請參考原廠數據手冊。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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