KNX6165A 替代10N65 N溝道MOSFET直插
信息來源：本站 日期：2026-05-09
| KIA KNX6165A 核心參數總覽 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | KNX6165A / KNP6165A / KNF6165A | 通道類型 | N溝道增強型功率MOSFET |
| 封裝形式 | TO-220 (KNP6165A) / TO-220F (KNF6165A) | 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 漏源電壓 VDSS | 650V | 連續漏極電流 ID | 10A @ TC=25℃ |
| 導通電阻 RDS(on) | 0.7Ω (典型值) @ VGS=10V, ID=5A | 柵極電荷 Qg | 39nC (典型值) @ VDS=325V, VGS=10V |
| 產品特點 | 典型應用場景 |
|---|---|
|
? 符合ROHS環保標準 ? 低導通電阻，降低傳導損耗 ? 低柵極電荷，減少開關損耗 ? 快恢復體二極管，提升高頻性能 ? 高耐壓、高雪崩能量，可靠性強 |
? 高效率開關電源（SMPS） ? 有源功率因數校正（PFC） ? 半橋拓撲電子鎮流器 ? 高壓電機驅動、逆變器電路 ? 工業電源、適配器、LED驅動 |
| 引腳配置 (TO-220 / TO-220F封裝) | ||
|---|---|---|
| 引腳號 | 功能 | 說明 |
| 1 | Gate (柵極) | 控制MOSFET開關狀態的控制端 |
| 2 / 4 (TO-220) | Drain (漏極) | 功率回路高壓輸入端（TO-220封裝含散熱片） |
| 3 | Source (源極) | 功率回路低壓輸出端 |
| 訂購信息 | ||
|---|---|---|
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
| KNF6165A | TO-220F | KIA |
| KNP6165A | TO-220 | KIA |
| KNX6165A 產品信息 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | KNX6165A / KNP6165A / KNF6165A | 類型 | N溝道增強型MOSFET |
| 封裝 | TO-220 / TO-220F | 品牌 | KIA |
| 漏源電壓 VDSS | 650V | 連續電流 ID | 10A |
| 導通電阻 RDS(on) | 0.7Ω(典型) | 工作溫度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 核心電氣參數 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 參數值 | 單位 |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | ID=250μA | 650 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | ID=250μA | 2.0 ~ 4.0 | V |
| 靜態導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | 0.7(典型)/0.9(最大) | Ω |
| 總柵極電荷 | Qg | VGS=10V | 39 | nC |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | - | 800 | mJ |
| 可直接替代競品型號 | |
|---|---|
| 品牌 | 型號 |
| 英飛凌 | SPA10N60C3、IPA60R120CP |
| 安森美 | FCP11N65、FQP10N65 |
| 意法 | STP10N65、STP11N65 |
| 仙童 / 威世 | FQP10N65、SIHP10N65D |
| 國產通用 | 10N65、CS10N65、HY10N65 |
| 產品特點 | 應用領域 |
|---|---|
|
? 650V超高耐壓 安全穩定 ? 10A大電流 低內阻低發熱 ? 高雪崩能量 抗沖擊能力強 ? 低柵極電荷 高頻開關性能優 ? 工業級寬溫 -55~150℃ ? TO-220/TO-220F雙封裝 ? 直接兼容10N65系列競品 |
? 開關電源 & PFC電路 ? LED驅動 & 電源適配器 ? 高壓逆變器 & 電子鎮流器 ? 工業控制 & 電機驅動 ? 家電主板 & 高壓控制板 |
| 絕對最大額定值 (TC=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | TO-220 | TO-220F | 單位 |
| 漏源電壓 | VDSS | 650 | 650 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±20 | ±20 | V |
| 連續漏極電流 (VGS=10V) | ID | 10 | 10 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 40 | 40 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 800 | 800 | mJ |
| 總功耗 | TC=25℃ | 216 | 50 | W |
| 25℃以上降額系數 | 1.72 | 0.4 | W/℃ | |
| 焊接溫度（引腳距外殼0.063in，10秒） | TL/TPAK | 300 | 300 | ℃ |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ |
| 熱特性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | TO-220 | TO-220F | 單位 |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 62 | 100 | ℃/W |
| 結到殼熱阻 | RθJC | 0.58 | 2.5 | ℃/W |
| 電氣特性 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 650 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=650V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=520V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 柵體漏電流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | - | +1.0 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -1.0 | nA | ||
| 漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | - | 0.7 | 0.9 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 正向跨導 | gfs | VDS=15V, ID=5A | - | 10 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1554 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 153 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 15 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=325V, ID=10A, VGS=10V, RG=9.1Ω | - | 15 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 25 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 51 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 31 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=325V, ID=10A, VGS=0~10V | - | 39 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 7.0 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 16 | - | nC | |
| 漏源二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=10A | - | - | 1.5 | V |
| 連續源極電流 | ISD | 作為集成PN二極管 | - | - | 10 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | - | 40 | A |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=10A, dISD/dt=100A/μs | - | 273 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 1.7 | - | μC | |
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QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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