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KND3080B 30V80A N 溝道 MOSFET 低阻高效率

信息來源：本站　日期：2026-05-11　

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KND3080B 30V80A N 溝道 MOSFET 低阻高效率

KND3080B

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 30 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=30V, VGS=0V - - 1 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(th) VGS=VDS, ID=250uA 1.0 1.5 2.0 V
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=15A - 4.1 6 mΩ
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=10A - 7.0 10 mΩ
柵極電阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 5.8 - Ω
正向跨導 gfs VDS=5V, ID=20A - 25 - S
輸入電容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 1510 - pF
輸出電容 Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 200 - pF
反向傳輸電容 Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 180 - pF
開啟延遲時間 td(on) VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A - 9 - ns
上升時間 tr VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A - 40 - ns
關斷延遲時間 td(off) VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A - 90 - ns
下降時間 tf VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A - 50 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=24V, VGS=10V, ID=20A - 34 - nC
柵源電荷 Qgs VDS=24V, VGS=10V, ID=20A - 6 - nC
柵漏電荷 Qgd VDS=24V, VGS=10V, ID=20A - 8 - nC
連續二極管正向電流 Is - - - 80 A
脈沖二極管正向電流 IsM - - - 320 A
二極管正向電壓 VSD VGS=0V, Is=20A - - 1.2 V
反向恢復時間 trr VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 18 - ns
反向恢復電荷 Qrr VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 10 - nC

KND3080B（KIA3080B）N溝道功率MOSFET 產品參數表

一、產品核心信息

項目 參數詳情
產品型號 KND3080B（KIA3080B）
產品類型 N-Channel Trench MOSFET（硅溝槽工藝）
封裝形式 TO-252
品牌 KIA（KMOS Semiconductor）
核心特點 ? 低導通電阻：RDS(ON)=4.1mΩ(典型值 @ VGS=10V)
? 低柵極電荷（Low gate charge）
? 低輸入電容（Low Ciss）
? 快速開關特性（Fast switching）
典型應用 ? PWM應用電路
? 負載開關（Load switch）
? 電源管理（Power Management）

二、引腳定義（TO-252封裝）

引腳號 功能定義
1 Gate（柵極）
2 Drain（漏極）
3 Source（源極）

三、訂購信息

產品型號 封裝形式 品牌
KND3080B TO-252 KIA

KND3080B N溝道功率MOSFET 產品介紹


KND3080B

KND3080B 是一款采用先進溝槽工藝制造的 N 溝道增強型功率 MOSFET，具備超低導通電阻、快速開關、低柵極電荷等優異特性，專為高性能電源管理、大電流開關應用設計。

產品耐壓 30V，連續漏極電流高達 80A，典型導通電阻僅 4.1mΩ，可大幅降低系統損耗、提升轉換效率，廣泛適用于 PWM 控制器、負載開關、電池保護、DC-DC 轉換器、電機驅動等高可靠性應用場景。

KND3080B 采用工業標準 TO-252 封裝，引腳定義通用，可直接替換同規格國際/國內品牌競品，實現成本優化與性能升級雙重價值，是電源與工控領域的理想選擇。


核心優勢

  • 30V 耐壓 / 80A 大電流，滿足高功率應用需求
  • 超低導通電阻 RDS(ON) = 4.1mΩ（典型值@VGS=10V）
  • 低柵極電荷、低輸入電容，開關速度快、損耗小
  • 寬工作溫度 -55℃~150℃，穩定性強
  • TO-252 標準封裝，兼容主流設計，可直接替換
  • 高雪崩能量，抗沖擊能力優異，可靠性更高

典型應用

  • DC-DC 電源轉換器 / 開關電源
  • 電池保護板 / 快充協議電路
  • 電機驅動 / 風扇控制
  • 負載開關 / 大電流配電系統
  • PWM 逆變與整流電路
  • 工業控制、汽車電子（輔助系統）

KND3080B 行業競品型號對比表

品牌 競品型號 規格 封裝 替換關系
KIA KIA3080B 30V 80A N TO-252 完全兼容
Infineon IRL3803 30V 74A N TO-252 直接替換
Infineon IRLHS8030 30V 80A N TO-252 直接替換
VISHAY SI7140DP 30V 80A N TO-252 直接替換
ON NTD4960N 30V 75A N TO-252 直接替換
TI CSD16323Q5A 30V 76A N TO-252 直接替換
FAIRCHILD FDD8447 30V 80A N TO-252 直接替換
華瑞 CRSM3080 30V 80A N TO-252 直接替換
新潔能 NCE3080 30V 80A N TO-252 直接替換
韋爾 WSD3080 30V 80A N TO-252 直接替換
富鼎 APM3080 30V 80A N TO-252 直接替換
萬代 WTD3080 30V 80A N TO-252 直接替換

KND3080B VS 主流競品 關鍵參數對比

型號 VDS
(V) 		ID
(A) 		RDS(ON)
mΩ@10V 		封裝 優勢
KND3080B 30 80 4.1(典型) TO-252 低阻、低損耗、性價比高
IRL3803 30 74 5.5 TO-252 電阻更高、電流更小
NCE3080 30 80 5.0 TO-252 電阻略高
WSD3080 30 80 4.8 TO-252 電阻略高
FDD8447 30 80 4.5 TO-252 電阻略高

四、絕對最大額定值（Tc=25℃，除非另有說明）

參數名稱 符號 額定值 單位 備注
漏源電壓 VDS 30 V -
柵源電壓 VGS ±20 V -
連續漏極電流 ID 80 A Tc=25℃
連續漏極電流 ID 50 A Tc=100℃
脈沖漏極電流 IDM 320 A -
總功耗 PD 70 W Tc=25℃
總功耗 PD 2.8 W Ta=25℃
雪崩能量 EAS 110 mJ L=0.5mH, VD=24V, Tc=25℃
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -

五、熱特性

參數名稱 符號 典型值 單位
結到環境熱阻 RθJA 44 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC 1.95 ℃/W

聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KND3080B

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