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KPE4403A2 雙 P 溝道 MOSFET 30V/5A

信息來源:本站 日期:2026-05-11 

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KPE4403A2 雙 P 溝道 MOSFET 30V/5A

SOP-8 封裝 42mΩ 低阻 可直接替換 AO4403/SI4403

雙P溝道功率MOSFET 產品參數表

KPE4403A2

一、產品核心信息

項目 參數詳情
產品型號 KPE4403A2
產品類型 雙P溝道溝槽工藝MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
核心規格 -30V / -5.0A 雙P溝道MOSFET
核心特點 ? 低導通電阻:RDS(ON)=42mΩ(典型值 @ VGS=-10V)
? 超低柵極電荷(Super low gate charge)
? 優異的Cdv/dt性能(Excellent Cdv/dt effect decline)
? 高密度溝槽工藝,滿足RoHS環保要求
典型應用 ? 同步降壓轉換器(Synchronous buck converter)
? 電源管理電路
? 負載開關與電池保護應用

二、引腳定義(SOP-8封裝)

引腳號 功能定義
1 S1(源極1)
2 G1(柵極1)
3 S2(源極2)
4 G2(柵極2)
5 D2(漏極2)
6 D2(漏極2)
7 D1(漏極1)
8 D1(漏極1)

KPE4403A2 雙P溝道功率MOSFET 產品介紹

KPE4403A2

KPE4403A2 是一款采用先進溝槽工藝制造的**雙P溝道增強型功率MOSFET**,專為低壓電源管理、同步降壓、負載開關等高精度應用設計。產品具備超低導通電阻、超低柵極電荷、優異的抗干擾特性,完全滿足RoHS環保要求。

耐壓 -30V,連續漏極電流 -5.0A,典型導通電阻僅 42mΩ@VGS=-10V,開關速度快、損耗極低,廣泛應用于電源管理、電池保護、同步降壓轉換器、負載開關等高可靠性場景,SOP-8標準封裝可直接兼容主流設計方案。

KPE4403A2 可直接替換國際/國內同規格競品,實現性能升級與成本優化,是低壓P溝道MOS管領域的高性價比優選方案。

核心優勢

  • -30V 耐壓 / -5.0A 大電流,雙P溝道結構,單芯片集成
  • 超低導通電阻:42mΩ(典型值@VGS=-10V),系統損耗更低
  • 超低柵極電荷,快速開關速度,高頻應用更穩定
  • 優異 Cdv/dt 抗干擾性能,提升系統可靠性
  • SOP-8 標準封裝,引腳兼容,可直接替換競品
  • 工作溫度 -55℃~150℃,滿足工業級應用要求
  • 符合RoHS環保標準,無鉛綠色器件

典型應用

  • 同步降壓轉換器(Synchronous Buck)
  • 電源管理模塊 / 負載開關
  • 電池保護板 / 鋰電管理系統
  • 便攜式設備電源控制
  • 小功率電機驅動 / 電磁閥控制
  • 工業控制、消費電子、儀表電源

KPE4403A2 行業競品型號對比

品牌 競品型號 規格 封裝 替換關系
KIA KPE4403A2 -30V/-5A 雙P SOP-8 標準型號
AO AO4403 -30V/-6A 雙P SOP-8 直接替換
ON NDS3403 -30V/-4.6A 雙P SOP-8 直接替換
VISHAY SI4403 -30V/-5.7A 雙P SOP-8 直接替換
新潔能 NCE4403 -30V/-5.8A 雙P SOP-8 直接替換
韋爾 WSD4403 -30V/-5A 雙P SOP-8 直接替換
富鼎 APM4403 -30V/-5A 雙P SOP-8 直接替換
長電 CJ4403 -30V/-5A 雙P SOP-8 直接替換
華瑞 CRS4403 -30V/-5A 雙P SOP-8 直接替換

KPE4403A2 VS 主流競品 關鍵參數對比

型號 VDS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)
mΩ@-10V
封裝 優勢
KPE4403A2 -30 -5.0 42(典型) SOP-8 低阻、低電荷、性價比高
AO4403 -30 -6.0 48 SOP-8 電阻更高
SI4403 -30 -5.7 45 SOP-8 電阻略高
NCE4403 -30 -5.8 46 SOP-8 電阻略高
NDS3403 -30 -4.6 50 SOP-8 電流小、電阻高

三、絕對最大額定值

參數名稱 符號 額定值 單位 備注
漏源電壓 VDS -30 V -
柵源電壓 VGS ±20 V -
連續漏極電流 ID -5.0 A Tc=25℃, VGS@-10V
連續漏極電流 ID -3.9 A Tc=70℃, VGS@-10V
脈沖漏極電流 IDM -25 A -
單脈沖雪崩能量 EAS 18.1 mJ -
雪崩電流 IAS -19 A -
總功耗 PD 1.5 W TA=25℃
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150 -
結到環境熱阻 RθJA 85 ℃/W -
結到殼熱阻 RθJC 25 ℃/W -

四、電氣特性(TJ=25℃,除非另有說明)

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVOSS VGS=0V, ID=-250uA -30 - - V
擊穿電壓溫度系數 ΔBVOSS/ΔTJ Reference to 25℃, ID=-1mA - -0.023 - V/℃
漏源漏電流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
漏源漏電流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ - - 5 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250uA -1.2 - -2.5 V
閾值電壓溫度系數 ΔVGS(th) VDS=VGS, ID=-250uA - 4 - mV/℃
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-4A - 42 55
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=-4.5V, ID=-3A - 64 78
正向跨導 gFS VDS=-5V, ID=-4A - 10 - S
總柵極電荷 Qg VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 6.5 - nC
柵源電荷 Qgs VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 2.2 - nC
柵漏電荷 Qgd VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 2 - nC
開啟延遲時間 td(on) VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 2.7 - ns
上升時間 tr VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 8.6 - ns
關斷延遲時間 td(off) VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 40 - ns
下降時間 tf VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 5 - ns
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 580 - pF
輸出電容 Coss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 95 - pF
反向傳輸電容 Crss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 80 - pF
連續源極電流 Is VG=VD=0V, Force current - - -5.0 A
脈沖源極電流 IsM VG=VD=0V, Force current - - -25 A
二極管正向電壓 VSD VGS=0V, Is=-1A, TJ=25℃ - - -1.3 V
反向恢復時間 trr IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 7.5 - ns
反向恢復電荷 Qrr IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 2.6 - nC



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KPE4403A2

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