KIA9435 P 溝道 MOSFET 低發熱高效率
信息來源:本站 日期:2026-05-12
-30V/-5.3A 50mΩ 低內阻 電源負載開關優選
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 產品型號 | KIA9435 |
| 產品類型 | P溝道增強型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KIA Semiconductors) |
| 核心規格 | -30V / -5.3A P溝道MOSFET |
| 封裝形式 | SOP-8 |
| 核心特點 |
? 低導通電阻:RDS(on)=50mΩ(典型值 @ VGS=-10V) ? 超低柵極電荷(Super low gate charge) ? 環保無鉛器件(Green device available) ? 優異的Cdv/dt抑制性能(Excellent Cdv/dt effect decline) ? 高密度溝槽工藝(Advanced high cell density trench technology) ? 符合RoHS環保標準 |
| 典型應用 |
? 同步降壓轉換器(Synchronous buck converter) ? 電源管理模塊 ? 負載開關與電池保護電路 ? 消費電子與工業控制 |
產品介紹:KIA9435是一款SOP-8封裝、-30V/-5.3A高性能P溝道MOSFET,采用先進高密度溝槽工藝,具備超低導通電阻、超低柵極電荷、優異抗干擾能力,廣泛用于電源管理、負載開關、電池保護、同步降壓電路等場景,性能對標國際品牌,是國產替代優選方案。
核心價值:低內阻、低損耗、開關速度快、工作溫度范圍寬、無鉛環保,滿足消費電子、工業控制、便攜式設備等高可靠性需求,可直接PIN對PIN替代主流9435系列型號。
| 競品分類 | 對應型號 |
|---|---|
| 國際品牌 | AO9435、SI9435、NTD4964、AP9435 |
| 國產主流 | NCE9435、WSD9435、HY9435、CJ9435、SM9435 |
| 通用對標 | 9435全系列 P溝道SOP-8 MOS管 |
| 參數項目 | KIA9435 | AO9435 | SI9435 | NCE9435 |
|---|---|---|---|---|
| 通道類型 | P溝道 | P溝道 | P溝道 | P溝道 |
| 漏源電壓VDS | -30V | -30V | -30V | -30V |
| 連續電流ID | -5.3A | -5.3A | -5.1A | -5.0A |
| 導通電阻 | 50mΩ | 55mΩ | 58mΩ | 60mΩ |
| 封裝 | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 |
| 產品優勢 | 內阻更低、損耗更小、性能更穩 | 通用型 | 通用型 | 通用型 |
| 參數名稱 | 規格值 |
|---|---|
| 產品型號 | KIA9435 |
| 通道類型 | P溝道增強型 |
| 漏源電壓 VDS | -30V |
| 連續漏極電流 | -5.3A@25℃ |
| 導通電阻 RDS(on) | 50mΩ@VGS=-10V |
| 柵極閾值電壓 | -1.0~-3.0V |
| 封裝形式 | SOP-8 |
| 工作溫度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 同步降壓轉換器 | 電源管理模塊 |
| 負載開關電路 | 電池保護板 |
| 消費電子設備 | 便攜式電源 |
| 工業控制設備 | 汽車電子輔助系統 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1, 2, 3 | Source(源極 S) |
| 4 | Gate(柵極 G) |
| 5, 6, 7, 8 | Drain(漏極 D) |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | -30 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 (TA=25℃) | ID | -5.3 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | -20 | A |
| 總功耗 (TA=25℃) | PD | 2.5 | W |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 結到殼熱阻 | RθJC | 50 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250uA | -30 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓溫度系數 | ΔBVDSS/ΔTJ | 參考25℃, ID=-1mA | - | -0.023 | - | V/℃ |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | -1 | uA |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ | - | - | -5 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250uA | -1.0 | -1.6 | -3.0 | V |
| 柵極閾值電壓溫度系數 | ΔVGS(th)/ΔTJ | - | - | 4 | - | mV/℃ |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-4A | - | 50 | 65 | mΩ |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=-4.5V, ID=-4A | - | 75 | 105 | mΩ |
| 正向跨導 | gFS | VDS=-15V, ID=-4.5A | - | 8 | - | S |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 12 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 2.3 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 3.1 | - | nC |
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 5 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 13.2 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 57 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 20 | - | ns |
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 525 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 132 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 70 | - | pF |
| 連續源極電流 (二極管正向) | IS | VG=VD=0V, 強制電流 | - | - | -5.3 | A |
| 脈沖源極電流 (二極管正向) | ISM | - | - | - | -20 | A |
| 源漏二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=-4A, TJ=25℃ | - | - | 1.5 | V |
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持