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KIA9435 P 溝道 MOSFET 低發熱高效率

信息來源:本站 日期:2026-05-12 

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KIA9435 P 溝道 MOSFET 低發熱高效率


-30V/-5.3A 50mΩ 低內阻 電源負載開關優選

KIA9435 - -30V/-5.3A P溝道MOSFET 產品參數表

KIA9435

一、產品核心信息

項目 參數詳情
產品型號 KIA9435
產品類型 P溝道增強型功率MOSFET
品牌 KIA (KIA Semiconductors)
核心規格 -30V / -5.3A P溝道MOSFET
封裝形式 SOP-8
核心特點 ? 低導通電阻:RDS(on)=50mΩ(典型值 @ VGS=-10V)
? 超低柵極電荷(Super low gate charge)
? 環保無鉛器件(Green device available)
? 優異的Cdv/dt抑制性能(Excellent Cdv/dt effect decline)
? 高密度溝槽工藝(Advanced high cell density trench technology)
? 符合RoHS環保標準
典型應用 ? 同步降壓轉換器(Synchronous buck converter)
? 電源管理模塊
? 負載開關與電池保護電路
? 消費電子與工業控制

KIA9435 P溝道增強型功率MOSFET 產品詳情

KIA9435

產品介紹:KIA9435是一款SOP-8封裝、-30V/-5.3A高性能P溝道MOSFET,采用先進高密度溝槽工藝,具備超低導通電阻、超低柵極電荷、優異抗干擾能力,廣泛用于電源管理、負載開關、電池保護、同步降壓電路等場景,性能對標國際品牌,是國產替代優選方案。

核心價值:低內阻、低損耗、開關速度快、工作溫度范圍寬、無鉛環保,滿足消費電子、工業控制、便攜式設備等高可靠性需求,可直接PIN對PIN替代主流9435系列型號。

一、全行業直接競品型號

競品分類 對應型號
國際品牌 AO9435、SI9435、NTD4964、AP9435
國產主流 NCE9435、WSD9435、HY9435、CJ9435、SM9435
通用對標 9435全系列 P溝道SOP-8 MOS管

二、KIA9435 VS 競品核心參數對比

參數項目 KIA9435 AO9435 SI9435 NCE9435
通道類型 P溝道 P溝道 P溝道 P溝道
漏源電壓VDS -30V -30V -30V -30V
連續電流ID -5.3A -5.3A -5.1A -5.0A
導通電阻 50mΩ 55mΩ 58mΩ 60mΩ
封裝 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8
產品優勢 內阻更低、損耗更小、性能更穩 通用型 通用型 通用型

三、KIA9435 核心參數

參數名稱 規格值
產品型號 KIA9435
通道類型 P溝道增強型
漏源電壓 VDS -30V
連續漏極電流 -5.3A@25℃
導通電阻 RDS(on) 50mΩ@VGS=-10V
柵極閾值電壓 -1.0~-3.0V
封裝形式 SOP-8
工作溫度 -55℃ ~ +150℃

四、KIA9435 核心特點

  • 超低導通電阻,有效降低發熱與損耗,提升轉換效率
  • 超低柵極電荷,開關速度快,適配高頻電路應用
  • 優異dv/dt抗干擾能力,電路運行更穩定可靠
  • SOP-8貼片封裝,體積小巧,適合高密度PCB布局
  • 寬工作溫度范圍,滿足工業級、消費級應用環境
  • 無鉛環保,符合RoHS指令,品質安全可靠
  • 直接PIN腳兼容替代AO9435/SI9435/NCE9435等型號

五、典型應用領域

同步降壓轉換器 電源管理模塊
負載開關電路 電池保護板
消費電子設備 便攜式電源
工業控制設備 汽車電子輔助系統

二、引腳定義 (SOP-8封裝)

引腳號 功能定義
1, 2, 3 Source(源極 S)
4 Gate(柵極 G)
5, 6, 7, 8 Drain(漏極 D)

三、絕對最大額定值(TA=25℃,除非另有說明)

參數名稱 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS -30 V
柵源電壓 VGS ±20 V
連續漏極電流 (TA=25℃) ID -5.3 A
脈沖漏極電流 IDM -20 A
總功耗 (TA=25℃) PD 2.5 W
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150
結到殼熱阻 RθJC 50 ℃/W

四、電氣特性(TJ=25℃,除非另有說明)

參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=-250uA -30 - - V
漏源擊穿電壓溫度系數 ΔBVDSS/ΔTJ 參考25℃, ID=-1mA - -0.023 - V/℃
漏源漏電流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ - - -1 uA
漏源漏電流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ - - -5 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250uA -1.0 -1.6 -3.0 V
柵極閾值電壓溫度系數 ΔVGS(th)/ΔTJ - - 4 - mV/℃
靜態漏源導通電阻 RDS(on) VGS=-10V, ID=-4A - 50 65
靜態漏源導通電阻 RDS(on) VGS=-4.5V, ID=-4A - 75 105
正向跨導 gFS VDS=-15V, ID=-4.5A - 8 - S
總柵極電荷 Qg VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A - 12 - nC
柵源電荷 Qgs VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A - 2.3 - nC
柵漏電荷 Qgd VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A - 3.1 - nC
開啟延遲時間 td(on) VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A - 5 - ns
上升時間 tr VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A - 13.2 - ns
關斷延遲時間 td(off) VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A - 57 - ns
下降時間 tf VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A - 20 - ns
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 525 - pF
輸出電容 Coss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 132 - pF
反向傳輸電容 Crss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 70 - pF
連續源極電流 (二極管正向) IS VG=VD=0V, 強制電流 - - -5.3 A
脈沖源極電流 (二極管正向) ISM - - - -20 A
源漏二極管正向電壓 VSD VGS=0V, IS=-4A, TJ=25℃ - - 1.5 V



聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KIA9435

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