KNF7650A/KNH7650A 500V25A MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-12
170mΩ 低內阻 低損耗 電源 / 電機驅動優選
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 產品型號 | KNF7650A (TO-220F) / KNH7650A (TO-3P) |
| 產品類型 | N溝道增強型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 核心規格 | 500V / 25A N溝道MOSFET |
| 封裝形式 | TO-220F / TO-3P |
| 核心特點 |
? 先進平面工藝（Advanced Planar Process） ? 低導通電阻：RDS(on)=170mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低柵極電荷，降低開關損耗（Low Gate Charge Minimize Switching Loss） ? 堅固多晶硅柵極結構（Rugged Poly silicon Gate Structure） |
| 典型應用 |
? 無刷直流電機驅動（BLDC Motor Driver） ? 電焊機（Electric Welder） ? 高效開關電源（High Efficiency SMPS） |
產品簡介：KNF7650A（TO-220F）、KNH7650A（TO-3P）是高性能500V/25A N溝道增強型MOSFET，采用先進平面工藝，具備低導通電阻、低柵極電荷、高雪崩能量、快速開關等優勢，專為大功率開關電源、無刷電機驅動、電焊機等高可靠場景設計。
核心優勢：低損耗、低發熱、寬溫穩定運行、抗干擾能力強，工業級品質，可直接PIN腳兼容替代國際/國產同規格型號，性價比行業領先，完美滿足大功率設備嚴苛應用需求。
| 競品分類 | 替代型號 |
|---|---|
| 國際品牌 | IRF7650、FQP7650、STP7650、7N50、8N50 |
| 國產主流 | NCE7650、CS7650、HY7650、WND7650、YJ7650 |
| 規格對標 | 500V 25A N溝道 TO-220F/TO-3P MOS管 |
| 參數 | KNF7650A | KNH7650A | IRF7650 | FQP7650 |
|---|---|---|---|---|
| 通道類型 | N溝道 | N溝道 | N溝道 | N溝道 |
| VDS | 500V | 500V | 500V | 500V |
| ID | 25A | 25A | 24A | 24A |
| RDS(on) | 170mΩ | 170mΩ | 180mΩ | 185mΩ |
| 封裝 | TO-220F | TO-3P | TO-220 | TO-220 |
| 優勢 | 內阻更低、損耗更小 | 散熱更強、功率更大 | 通用款 | 通用款 |
| 參數名稱 | 規格值 |
|---|---|
| 產品型號 | KNF7650A / KNH7650A |
| 通道類型 | N溝道增強型 |
| 漏源電壓 VDS | 500V |
| 連續漏極電流 | 25A@25℃ |
| 導通電阻 RDS(on) | 170mΩ@VGS=10V |
| 柵極閾值電壓 | 2~4V |
| 封裝形式 | TO-220F / TO-3P |
| 工作溫度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 無刷直流電機驅動 | 大功率開關電源 |
| 電焊機設備 | 工業控制電源 |
| UPS不間斷電源 | 電動車控制器 |
| 高頻逆變設備 | 大功率照明設備 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極 G） |
| 2 | Drain（漏極 D） |
| 3 | Source（源極 S） |
| 參數名稱 | 符號 | TO-220F | TO-3P | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 500 | 500 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 連續漏極電流 (Tc=25℃) | ID | 25 | 25 | A |
| 連續漏極電流 (Tc=100℃) | ID | 16 | 16 | A |
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 100 | 100 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1800 | 1800 | mJ |
| 二極管恢復峰值dv/dt | dv/dt | 5 | 5 | V/ns |
| 功耗 (Tc=25℃) | PD | 105 | 290 | W |
| 25℃以上降額系數 | - | 0.84 | 2.33 | W/℃ |
| 焊接引線最高溫度(10秒) | TL | 300 | 300 | ℃ |
| 封裝本體最高溫度(10秒) | TPAK | 260 | 260 | ℃ |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | TO-220F | TO-3P | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-環境熱阻 | RθJA | 100 | 55 | ℃/W |
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.19 | 0.43 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 500 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=500V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 漏源漏電流 (高溫) | IDSS | VDS=400V, VGS=0V, TC=125℃ | - | - | 125 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 柵源漏電流 (反向) | IGSS | VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=14A | - | 170 | 210 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | - | 4 | V |
| 正向跨導 | gfs | VDS=30V, ID=14A | - | 30 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 4280 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1400 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 185 | - | pF |
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 24 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 40 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 100 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 35 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 76 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 20 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 19 | - | nC |
| 漏源二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=18A | - | - | 1.5 | V |
| 連續源極電流 (二極管) | ISD | - | - | - | 25 | A |
| 脈沖源極電流 (二極管) | ISM | - | - | - | 100 | A |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=28A, dIF/dt=100A/μs | - | 530 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | VGS=0V, IF=28A, dIF/dt=100A/μs | - | 4.5 | - | μC |
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座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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