KCB2920K/KCP2920K/KCM2920K 200V/130A MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-12
9.8mΩ 超低內阻 低損耗 高頻開關 / 同步整流優選
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 產品型號 | KCB2920K (TO-263) / KCP2920K (TO-220) / KCM2920K (TO-247) |
| 產品類型 | N溝道增強型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 核心規格 | 200V / 130A N溝道MOSFET |
| 封裝形式 | TO-263 / TO-220 / TO-247 |
| 核心特點 |
? SGT MOSFET 技術 ? 專有新型溝槽工藝（Proprietary New Trench Technology） ? 低導通電阻：RDS(on)=9.8mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低柵極電荷，降低開關損耗（Low Gate Charge Minimize Switching Loss） ? 快速恢復體二極管（Fast Recovery Body Diode） |
| 典型應用 |
? DC-DC 轉換器 ? 高頻開關與同步整流應用（Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification） |
IRFP4668PBF（英飛凌 / IR，TO-247）
IRFB4227PBF（英飛凌 / IR，TO-220）
IXTQ130N20T（Littelfuse，TO-3P）
HY3215W（華羿微，TO-247，150V/130A，參數接近
| 客戶問題 | 產品解決方案 |
|---|---|
| 發熱大、效率低 | SGT溝槽工藝，RDS(on)=9.8mΩ超低內阻，損耗更低 |
| 進口器件價格高、交期長 | 國產替代，PIN對PIN兼容IRFP4668/IRFB4227，成本降30%+ |
| 大電流/高壓下易損壞 | 200V/130A高規格，單脈沖雪崩能量2000mJ，抗沖擊強 |
| 高頻開關損耗大 | 低柵極電荷(Qg=75nC)，快速恢復體二極管，適配高頻場景 |
| 封裝單一，適配性差 | TO-263(貼片)/TO-220(直插)/TO-247(大功率)三封裝，全場景覆蓋 |
| 型號 | 封裝 | VDS | ID(25℃) | RDS(on)(Typ) |
|---|---|---|---|---|
| KCB2920K | TO-263 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| KCP2920K | TO-220 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| KCM2920K | TO-247 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| 應用領域 | 具體場景 |
|---|---|
| 工業電源 | 開關電源(SMPS)、DC-DC轉換器、UPS電源、高頻逆變電源 |
| 電機驅動 | 無刷電機(BLDC)驅動、伺服電機控制、電動車控制器 |
| 新能源設備 | 光伏逆變器、儲能電源、充電樁模塊 |
| 其他大功率設備 | 電焊機、LED大功率驅動、工業自動化控制模塊 |
| 對比項目 | KCB/KCP/KCM2920K | IRFP4668/IRFB4227 |
|---|---|---|
| RDS(on)(典型值) | 9.8mΩ | 19.7mΩ |
| 雪崩能量EAS | 2000mJ | 1500mJ |
| 柵極電荷Qg | 75nC | 110nC |
| 價格優勢 | 國產，性價比高 | 進口，價格高 |
| 交期 | 現貨供應，交期短 | 交期長，缺貨風險高 |
| 項目 | 承諾內容 |
|---|---|
| 品質保障 | 100%雪崩測試、高溫老化測試，符合RoHS環保標準 |
| 供貨能力 | 原廠現貨，批量穩定供貨，支持定制化需求 |
| 技術支持 | 提供免費樣品、規格書、技術方案，7×24小時技術服務 |
| 售后保障 | 質量問題無條件退換，長期合作客戶優先供貨 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極 G） |
| 2 | Drain（漏極 D） |
| 3 | Source（源極 S） |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 200 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 (Tc=25℃) | ID | 130 | A |
| 連續漏極電流 (Tc=100℃) | ID | 75 | A |
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 440 | A |
| 單脈沖雪崩能量 (L=10mH) | EAS | 2000 | mJ |
| 功耗 (Tc=25℃) | PD | 333 | W |
| 25℃以上降額系數 | - | 2.22 | W/℃ |
| 焊接引線最高溫度(10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封裝本體最高溫度(10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 175 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 漏源漏電流 (高溫) | IDSS | VDS=160V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=40A | - | 9.8 | 11.5 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 6780 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 5 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 390 | - | pF |
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 75 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 35 | - | nC |
| 柵漏電荷 (米勒電荷) | Qgd | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 10 | - | nC |
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 40 | - | ns |
| 上升時間 | trise | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 15 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 45 | - | ns |
| 下降時間 | tfall | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 10 | - | ns |
| 連續源極電流 (二極管) | ISD | Integral PN-diode in MOSFET | - | - | 130 | A |
| 脈沖源極電流 (二極管) | ISM | - | - | - | 440 | A |
| 正向電壓 | VSD | IS=80A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 163 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 570 | - | uC |
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