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KNM64100A 替代 IXFH13N100 STW13NK100Z

信息來(lái)源：本站　日期：2026-05-15　

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KNM64100A 替代 IXFH13N100 STW13NK100Z

1000V13A MOS 管 引腳 1:1 兼容 成本降低 55%

KNM64100A

KIA64100A 13A 1000V N溝道MOSFET 規(guī)格參數(shù)

1. 產(chǎn)品描述

KIA64100A是一款高性能1000V高壓N溝道MOSFET，采用先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)，具備快速開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通電阻和快恢復(fù)體二極管，適用于各種高壓功率電子應(yīng)用。

2. 核心特性

  • 快速開(kāi)關(guān)特性 (Fast Switching)
  • RDS(ON) = 0.85Ω(typ.) @ VGS=10V
  • 低柵極電荷，最小化開(kāi)關(guān)損耗
  • 快恢復(fù)體二極管 (Fast Recovery Body Diode)
  • 1000V高耐壓設(shè)計(jì)
  • 1000mJ高雪崩能量

3. 典型應(yīng)用

  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器 (DC-DC converters)
  • DC 斬波器 (DC choppers)
  • AC 電機(jī)控制 (AC motor control)
  • 高壓開(kāi)關(guān)電源
  • 工業(yè)逆變器
  • 光伏逆變器

KNM64100A 1000V13A N溝道MOSFET 產(chǎn)品詳情


產(chǎn)品簡(jiǎn)介：KNM64100A是一款高性能1000V高壓N溝道MOSFET，標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，具備13A連續(xù)電流、0.85Ω超低導(dǎo)通電阻與1000mJ高雪崩能量，內(nèi)置快恢復(fù)體二極管，專為光伏逆變器、工業(yè)逆變器和高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。

核心優(yōu)勢(shì)：1000V高耐壓｜0.85Ω低內(nèi)阻｜1000mJ雪崩能量｜快恢復(fù)體二極管｜快速開(kāi)關(guān)｜工業(yè)級(jí)寬溫

封裝選型：KNM64100A(TO-247) 標(biāo)準(zhǔn)大功率插件

KNM64100A


一、封裝選型指南

訂貨型號(hào) 封裝形式 適用場(chǎng)景
KNM64100A TO-247 光伏逆變器、工業(yè)逆變器、高壓電源、電機(jī)控制、UPS

二、行業(yè)競(jìng)品對(duì)標(biāo)表（1:1兼容 無(wú)需改板）

品牌 競(jìng)品型號(hào) 兼容封裝 核心對(duì)標(biāo)參數(shù) KNM64100A優(yōu)勢(shì)
新潔能 NCE1013A TO-247 1000V/13A 0.9Ω 導(dǎo)通電阻低6%，發(fā)熱更小
意法半導(dǎo)體 STW13NK100Z TO-247 1000V/13A 0.92Ω 快恢復(fù)體二極管，效率更高
IXYS IXFH13N100 TO-247 1000V/13A 進(jìn)口 成本降低55%，交期穩(wěn)定
英飛凌 IPP13N10S3-10 TO-247 1000V/13A 0.95Ω 性價(jià)比更高，國(guó)產(chǎn)替代首選

三、絕對(duì)最大額定值（Tc=25℃）

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 1000 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續(xù)漏極電流(25℃) ID 13 A
連續(xù)漏極電流(100℃) ID 8.2 A
脈沖漏極電流 IDM 52 A
單脈沖雪崩能量 EAS 1000 mJ
最大耗散功率 PD 312 W
工作結(jié)溫 TJ -55~+150 ℃

四、熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
結(jié)到外殼熱阻 RθJC 0.4 ℃/W
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 50 ℃/W

五、核心電氣特性（TJ=25℃）

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 1000 V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA 3.5 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on) VGS=10V,ID=6.5A 0.85 Ω
總柵極電荷 Qg VDS=500V,ID=13A,VGS=10V 82 nC
體二極管正向電壓 VSD IS=13A,VGS=0V 1.5 V


備注：
1) 脈沖測(cè)試：脈沖寬度 ≤ 380μs，占空比 ≤ 2%
2) EAS測(cè)試條件：L=0.5mH, IAS=13A, TJ=25℃
3) 產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛合規(guī)


4. 引腳定義 (TO-247)

引腳號(hào) 功能
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)

5. 訂貨信息

訂貨型號(hào) 封裝形式 品牌
KNM64100A TO-247 KIA (KMOS Semiconductor)

6. 絕對(duì)最大額定值 (TC=25℃ 除非另有說(shuō)明)

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 1000 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續(xù)漏極電流 ID 13 (TC=25℃) A
8.2 (TC=100℃) A
脈沖漏極電流 (VGS=10V) IDM 52 A
單脈沖雪崩能量 (L=0.5mH) EAS 1000 mJ
峰值二極管恢復(fù)dv/dt dv/dt 5 V/ns
最大耗散功率 (TC=25℃) PD 312 W
25℃以上降額系數(shù) 2.5 W/℃
焊接溫度 (距外殼1.6mm，10秒) TL 300 ℃
封裝本體焊接溫度 (10秒) TPAK 260 ℃
工作結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ +150 ℃

注意：超過(guò)"絕對(duì)最大額定值"的應(yīng)力可能導(dǎo)致器件永久性損壞

7. 熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
結(jié)到外殼熱阻 RθJC 0.4 ℃/W
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 50 ℃/W

8. 電氣特性 (TJ=25℃ 除非另有說(shuō)明)

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 Min Typ Max 單位
關(guān)斷特性 (Off Characteristics)
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 1000 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=1000V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 10 μA
VDS=800V, TJ=125℃ - - 250
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA
導(dǎo)通特性 (On Characteristics)
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=6.5A - 0.85 1.15 Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 2.5 - 4.5 V
動(dòng)態(tài)特性 (Dynamic Characteristics)
輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 3865 - pF
反向傳輸電容 Crss - 104 -
輸出電容 Coss - 240 -
總柵極電荷 Qg VDD=500V, ID=13A, VGS=0~10V - 82 - nC
柵源電荷 Qgs - 20 -
柵漏(米勒)電荷 Qgd - 26 -
開(kāi)通延遲時(shí)間 td(ON) VDD=500V, VGS=10V, RG=4.7Ω, ID=13A - 30 - ns
上升時(shí)間 tr - 65 -
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(OFF) - 38 -
下降時(shí)間 tf - 35 -
漏源體二極管特性 (Drain-Source Diode Characteristics)
連續(xù)源極電流 ISD MOSFET內(nèi)置PN二極管 - - 13 A
脈沖源極電流 ISM - - 52
二極管正向電壓 VSD IS=13A, VGS=0V - - 1.5 V
反向恢復(fù)時(shí)間 trr VGS=0V, IF=13A, diF/dt=100A/μs - 591 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr - 5.4 - μC


備注：
1) TJ=+25℃ 到 +150℃
2) 重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制
3) 脈沖寬度≤380μs，占空比≤2%



聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個(gè)qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902

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