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KNX2408A 替代 IRF2807 NCE2408A SVT2408A

信息來源:本站 日期:2026-05-15 

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KNX2408A 替代 IRF2807 NCE2408A SVT2408A

80V190A MOS 管 引腳 1:1 兼容 成本降低 45%

KNX2408A


KNX2408A 190A 80V N溝道MOSFET 規格參數

1. 產品描述

KNX2408A采用先進溝槽技術,提供出色的導通電阻和低柵極電荷特性,

可廣泛應用于各種功率電子領域。

2. 核心特性

  • VDS=80V, ID=190A, RDS(ON)(typ.)=3.7mΩ @ VGS=10V
  • 高密度單元設計,實現更低導通電阻
  • 全面表征的雪崩電壓和電流特性
  • 高EAS能量,出色的穩定性和一致性
  • 優秀的封裝散熱性能

3. 典型應用

  • 功率開關應用 (Power switching application)
  • 硬開關和高頻電路 (Hard switched and High frequency circuits)
  • 不間斷電源 (Uninterruptible power supply)
  • 電機驅動
  • 工業電源
  • 電池管理系統

KNX2408A 80V190A N溝道MOSFET 產品詳情


產品簡介:KNX2408A是一款采用先進高密度溝槽技術的高性能中壓大電流MOSFET,

提供TO-263、TO-220、TO-247三種封裝,具備80V耐壓、190A連續電流、3.7mΩ超

低導通電阻與175℃高結溫,專為功率開關、UPS、電機驅動設計。

核心優勢:3.7mΩ低內阻|190A大電流|175℃高結溫|高密度溝槽工藝|三封裝可選|高可靠性

封裝選型:KNB2408A(TO-263)貼片|KNP2408A(TO-220)通用|KNM2408A(TO-247)大功率

KNX2408A


一、封裝選型指南

訂貨型號 封裝形式 適用場景
KNB2408A TO-263 高密度PCB、中小功率電源、消費電子
KNP2408A TO-220 通用工業電源、UPS、中小功率電機驅動
KNM2408A TO-247 大功率工業電源、重載電機驅動、新能源設備

二、行業平替對標表(1:1兼容 無需改板)

品牌 競品型號 兼容封裝 核心對標參數 KNX2408A優勢
新潔能 NCE2408A 全封裝 80V/190A 4.0mΩ 導通電阻低8%,發熱更小
士蘭微 SVT2408A 全封裝 80V/190A 3.9mΩ 結溫高25℃,可靠性更強
英飛凌 IRF2807PBF TO-220/247 80V/190A 4.5mΩ 成本降低45%,交期穩定
安森美 NTD2408A TO-220/247 80V/180A 4.3mΩ 電流更大,承載能力更強

三、絕對最大額定值(Tc=25℃)

參數 符號 TO-220/263 TO-247 單位
漏源電壓 VDSS 80 80 V
柵源電壓 VGSS ±20 ±20 V
連續漏極電流(25℃) ID 190 190 A
脈沖漏極電流 IDM 760 760 A
單脈沖雪崩能量 EAS 1.4 326 J
最大耗散功率 PD 270 326 W
工作結溫 TJ -55~+175 -55~+175

四、熱特性參數

參數 符號 TO-220/263 TO-247 單位
結到外殼熱阻 RθJC 0.55 0.46 ℃/W

五、核心電氣特性(TA=25℃)

參數 符號 測試條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 80 V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA 2.8 V
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V,ID=40A 3.7
總柵極電荷 Qg VDS=64V,ID=80A,VGS=10V 260 nC
體二極管正向電壓 VSD IS=40A,VGS=0V 1.3 V


備注:
1) 脈沖測試:脈沖寬度 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%
2) EAS測試條件:L=0.5mH, IAS=190A, TJ=25℃
3) 產品符合RoHS環保標準,無鉛合規



4. 引腳定義 (TO-263 / TO-220 / TO-247)

引腳號 功能
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)
4 (僅TO-263) Drain (漏極)

5. 訂貨信息

訂貨型號 封裝形式 品牌
KNB2408A TO-263 KIA
KNP2408A TO-220 KIA
KNM2408A TO-247 KIA

6. 絕對最大額定值 (TC=25℃ 除非另有說明)

參數 符號 TO-220/TO-263 TO-247 單位
漏源電壓 VDSS 80 80 V
柵源電壓 VGSS ±20 ±20 V
最高結溫 TJ 175 175
存儲溫度范圍 TSTG -55 ~ +175 -55 ~ +175
連續漏極電流 (TC=25℃) ID 190 190 A
脈沖漏極電流 (TC=25℃) IDM 760 760 A
單脈沖雪崩能量 (L=0.5mH) EAS 1.4 326 J
最大耗散功率 (TC=25℃) PD 270 326 W

7. 熱特性參數

參數 符號 TO-220/TO-263 TO-247 單位
結到外殼熱阻 RθJC 0.55 0.46 ℃/W

8. 電氣特性 (TA=25℃ 除非另有說明)

參數 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
關斷特性 (Off Characteristics)
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 80 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=80V, VGS=0V - - 1 μA
柵源正向漏電流 IGSS(F) VGS=+20V - - 100 nA
柵源反向漏電流 IGSS(R) VGS=-20V - - -100 nA
導通特性 (On Characteristics)
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=40A - 3.7 4.5
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 2.8 4.0 V
正向跨導 gfs VDS=5V, ID=15A - 15 - S
動態特性 (Dynamic Characteristics)
總柵極電荷 Qg VDS=64V, VGS=10V, ID=80A - 260 - nC
柵源電荷 Qgs - 75 -
柵漏電荷 Qgd - 80 -
開通延遲時間 td(on) VDD=40V, ID=40A, RGEN=3Ω, VGS=10V - 25 - ns
上升時間 tr - 21 -
關斷延遲時間 td(off) - 48 -
下降時間 tf - 18 -
開關電容特性 (Switching Characteristics)
輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 13500 - pF
輸出電容 Coss - 950 -
反向傳輸電容 Crss - 810 -
漏源體二極管特性 (Drain-Source Diode Characteristics)
二極管正向電壓 VSD VGS=0V, IS=40A - - 1.3 V


備注:
1) 重復額定值:脈沖寬度受最大結溫限制
2) EAS測試條件:TJ=25℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, RG=25Ω
3) 脈沖測試:脈沖寬度 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%
4) 設計保證,不進行生產測試




聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KNX2408A

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