草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

KCB040N10N TO-263 100V 172A MOSFET 低內阻大功率管

信息來源:本站 日期:2026-05-18 

分享到:

KCB040N10N TO-263 100V 172A MOSFET 低內阻大功率管

3.4mΩ超低內阻|高雪崩耐量|電機/電源/BMS專用

KIA KCX040N10N(KCB040N10N/KCT040N10N)100V 172A N溝道MOSFET|低內阻高效率功率管

一、產品概述

KCX040N10N 是KIA采用先進溝槽工藝制造的N溝道增強型功率MOSFET,TO-263和TOLL雙封裝可選,具有極低的導通電阻、優異的開關性能和FOM值,通過JEDDEC標準認證,適合電機驅動、電池管理、UPS等大功率應用場景。

二、核心特性

  • 采用先進溝槽MOS工藝,性能優異
  • 極低導通電阻:RDS(on)典型值低至3.2mΩ(TOLL封裝)/3.4mΩ(TO-263封裝)
  • 優異的FOM(Qg×RDS(on))值,開關損耗極低
  • 通過JEDDEC標準認證,可靠性高
  • 100% DVDS測試、100%雪崩測試,抗沖擊能力強
  • 符合RoHS環保標準,無鹵設計

三、型號與封裝信息

型號 絲印/標記 封裝 包裝形式 單卷數量
KCB040N10N KCB040N10N TO-263 編帶(Tape) 1000pcs
KCT040N10N KCT040N10N TOLL 編帶(Tape) 2000pcs

KCB040N10N / KCT040N10N 100V 172A N溝道MOSFET|TO?263/TOLL 低內阻大功率管

一、產品概述

KCB040N10N(TO?263)/ KCT040N10N(TOLL)是KIA采用先進溝槽工藝的大功率N溝道MOSFET,主打100V/172A、低至3.2mΩ超低內阻、高雪崩耐量、TO?263/TOLL雙封裝,完美解決傳統MOS管發熱炸機、電流不足、散熱差、體積受限四大痛點,適配電機驅動、BMS、UPS、儲能電源等大功率場景,國產替代首選。

二、核心優勢(客戶難點直擊)

  • 超低內阻3.2mΩ(TOLL)/3.4mΩ(TO?263):導通損耗極小,解決大電流發熱嚴重、效率低問題
  • 172A大電流+100V高耐壓:功率冗余足,杜絕過載炸機,可靠性高
  • TO?263/TOLL雙封裝:TOLL散熱更強、體積更小;TO?263兼容傳統設計,靈活適配PCB空間
  • 高EAS雪崩耐量+100%雪崩測試:抗沖擊、抗浪涌,惡劣工況穩定
  • 國產替代|交期穩|價格優|RoHS無鹵:替代英飛凌/安森美等高成本進口型號,降本不降質

三、型號與封裝信息

型號 封裝 絲印 包裝 單卷數量
KCB040N10N TO?263(D2PAK) KCB040N10N 編帶 1000pcs
KCT040N10N TOLL(TO?263?8L) KCT040N10N 編帶 2000pcs

四、核心參數(絕對最大額定值)

參數 符號 數值 單位
漏源電壓 VDS 100 V
連續漏極電流(25℃) ID 172 A
脈沖漏極電流 IDM 480 A
單脈沖雪崩能量 EAS 256 mJ
柵源電壓 VGS ±20 V
功耗(25℃) Ptot 227 W
工作結溫 TJ ?55 ~ +150

五、電氣特性(TJ=25℃)

參數 符號 條件 典型值 單位
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A(TOLL) 3.2
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A(TO?263) 3.4
柵極電荷 QG VGS=10V, VDS=50V 90 nC
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=50V 6772 pF
輸出電容 Coss VGS=0V, VDS=50V 952 pF

六、可替換對標(同參數100V/160~170A)

KCB040N10N

KIA型號 封裝 競品品牌 競品型號 競品RDS(on) 對比優勢
KCB040N10N TO?263 英飛凌 Infineon IPB039N10N3G 3.9mΩ 更低內阻、更高EAS、價格更優
KCB040N10N TO?263 飛虹 170N1F4A 3.6mΩ 內阻更低、參數一致性更好
KCT040N10N TOLL 國產TOLL 100V/170A TOLL 3.5~4.0mΩ 3.2mΩ業內領先、散熱更強、體積更小
KCT040N10N TOLL 安森美 ON NTMFS5N10 4.5mΩ 內阻低30%、效率更高、國產替代

七、應用場景

應用領域 具體場景
電機驅動 工業電機、電動工具、BLDC無刷電機、伺服電機
電池管理BMS 鋰電池保護板、儲能系統、電池均衡、大電流放電
電源與儲能 UPS不間斷電源、逆變器、DC?DC電源、光伏儲能
新能源 電動兩輪/三輪車、車載電源、快充電源

八、官網產品介紹

KCB040N10N,KCT040N10N,TO?263 MOSFET,TOLL MOSFET,100V 172A MOSFET,低內阻MOS管,3.2mΩ MOSFET,大電流MOSFET,電機驅動MOS管,BMS保護板MOS管,國產MOS管替代,UPS電源MOSFET,儲能逆變器MOS管

備注:以上參數基于KIA官方規格書,批量應用請以最新版規格書為準;支持樣品申請、批量供貨、技術支持。

四、產品核心參數摘要

參數 符號 數值 單位
漏源電壓 VDS 100 V
導通電阻(典型值) RDS(on) 3.4(TO-263)
3.2(TOLL)
連續漏極電流(TC=25℃) ID 172 A

五、典型應用場景


應用領域 具體場景
電機控制與驅動 工業電機、電動工具、BLDC驅動、伺服電機
電池管理系統(BMS) 鋰電池保護板、儲能系統、電池均衡電路
不間斷電源(UPS) 逆變器、電源轉換、DC-AC變換

六、絕對最大額定值

參數 符號 條件 數值 單位
漏源電壓 VDS - 100 V
連續漏極電流 ID TC=25℃ 172 A
TC=25℃ 120 A
TC=100℃ 109 A
脈沖漏極電流 ID pulse TC=25℃, tp 由TJmax限制 480 A
單脈沖雪崩能量 EAS L=0.5mH, Rg=25Ω 256 mJ
柵源電壓 VGS - ±20 V
功耗 Ptot TC=25℃ 227 W
工作結溫與存儲溫度 TJ, Tstg - -55 ~ +150

七、熱特性參數

參數 符號 最大值 單位
結-殼熱阻 RthJC 0.55 ℃/W
結-環境熱阻(最小PCB footprint) RthJA 62 ℃/W

八、電氣特性(TJ=25℃,除非另有說明)

8.1 靜態特性

參數 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 100 115 - V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA 2 3 4 V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ - 0.05 1 μA
VDS=100V, VGS=0V, TJ=125℃ - - 10 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - ±10 ±100 nA
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A(TO-263) - 3.4 4.2
VGS=10V, ID=50A(TOLL) - 3.2 4.0
跨導 gfs VDS=5V, ID=50A - 50 - S

8.2 動態特性

KCB040N10N

參數 符號 條件 典型值 單位
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz 6772 pF
輸出電容 Coss 952 pF
反向傳輸電容 Crss 33 pF
總柵極電荷 QG VGS=10V, VDS=50V, ID=20A 90 nC
柵源電荷 Qgs 28 nC
柵漏電荷 Qgd 19 nC
開通延遲時間 td(on) VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=3.0Ω 28 ns
上升時間 tr 32 ns
關斷延遲時間 td(off) 48 ns
下降時間 tf 27 ns
柵極電阻 RG VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz 2 Ω

備注:以上數據基于KIA官方規格書,批量應用前請以最新版規格書為準。


聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KCB040N10N

搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持



s