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KNY3903A DFN5×6 30V 85A MOSFET 低內(nèi)阻功率管

信息來源：本站　日期：2026-05-18　

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KNY3903A DFN5×6 30V 85A MOSFET 低內(nèi)阻功率管

4.0mΩ超低內(nèi)阻｜小體積大電流｜BMS/電機(jī)/快充專用

KNY3903A 30V 85A N溝道MOSFET｜DFN5×6封裝 低內(nèi)阻高效率功率管


一、產(chǎn)品概述

KNY3903A 是KIA推出的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用先進(jìn)工藝制造，具有極低的導(dǎo)通電阻、低Crss、快速開關(guān)特性，通過100%雪崩測試，抗dv/dt能力優(yōu)異，適合PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景，是高密度PCB設(shè)計的理想選擇。

二、核心特性

  • 超低導(dǎo)通電阻：RDS(on)典型值4.0mΩ @ VGS=10V
  • 極低反向傳輸電容Crss，開關(guān)損耗小
  • 快速開關(guān)特性，高頻應(yīng)用效率高
  • 100%雪崩測試，可靠性強(qiáng)
  • 優(yōu)異的抗dv/dt能力，抗干擾性能好

三、型號與封裝信息

型號 封裝 品牌
KNY3903A DFN5×6 KIA

四、引腳配置（DFN5×6）

引腳號 功能定義
4 Gate（柵極）
5,6,7,8 Drain（漏極）
1,2,3 Source（源極）

五、典型應(yīng)用場景

應(yīng)用領(lǐng)域 具體場景
PWM應(yīng)用 DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、LED調(diào)光
負(fù)載開關(guān) 電池保護(hù)板、電源分配、電子開關(guān)
電源管理 低壓大電流電源、快充適配器、便攜式設(shè)備電源

KNY3903A DFN5×6 30V 85A N溝道MOSFET 低內(nèi)阻功率管

KNY3903A

一、產(chǎn)品簡介

KNY3903A 是KIA高性能N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用DFN5×6超薄貼片封裝，具備超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、快速開關(guān)等優(yōu)勢。

專為高密度PCB、大電流低壓電源、電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)等場景設(shè)計，有效解決發(fā)熱大、效率低、體積受限等痛點。

二、核心優(yōu)勢（客戶痛點解決方案）

? 超低內(nèi)阻：RDS(on) = 4.0mΩ@10V，發(fā)熱更低、效率更高

? 大電流輸出：85A連續(xù)電流，滿足大功率場景

? DFN5×6小體積：節(jié)省空間，適合高密度布局

? 低Qg、低Crss：開關(guān)速度快，高頻損耗小

? 100%雪崩測試：穩(wěn)定性強(qiáng)，惡劣工況不掉鏈

? 國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)替代：交期穩(wěn)定、性價比更高

三、型號與封裝信息

型號 封裝 極性 耐壓 電流 內(nèi)阻典型值
KNY3903A DFN5×6 N溝道 30V 85A 4.0mΩ

四、核心參數(shù)一覽表

參數(shù)名稱 符號 數(shù)值 單位
漏源電壓 VDS 30 V
連續(xù)漏極電流@25℃ ID 85 A
脈沖漏極電流 IDM 360 A
柵源電壓 VGS ±20 V
導(dǎo)通電阻 RDS(on) 4.0 mΩ
總柵極電荷 Qg 40 nC
工作溫度 Tj -55~+150 ℃

五、全行業(yè)競品對標(biāo)（DFN5×6 30V 85A）

KNY3903A

品牌 競品型號 封裝 耐壓 電流 內(nèi)阻 替換關(guān)系
AOS AON6962 DFN5×6 30V 85A 4.6mΩ 直接PIN對PIN替換
新潔能 NCE3085Q DFN5×6 30V 85A 4.5mΩ 直接替換
華羿微 HY3903A DFN5×6 30V 85A 4.2mΩ 直接替換
拓鋒 TF030N03N DFN5×6 30V 85A 4.5mΩ 直接替換
安森美 FDMS0308N DFN5×6 30V 80A 4.8mΩ 性能優(yōu)于競品
威兆 VS3903AE DFN5×6 30V 85A 4.3mΩ 直接替換

六、典型應(yīng)用領(lǐng)域

? DC-DC電源轉(zhuǎn)換、同步整流

? 鋰電池保護(hù)板BMS、充放電管理

? 電機(jī)驅(qū)動、無刷電機(jī)、電動工具

? 快充電源、適配器、LED驅(qū)動

? 便攜式設(shè)備、高密度PCB電源

? 負(fù)載開關(guān)、大電流配電、逆變器

七、產(chǎn)品選型亮點

1. 內(nèi)阻更低 → 發(fā)熱更少 → 系統(tǒng)更穩(wěn)定

2. DFN5×6超薄小體積 → 適合緊湊型產(chǎn)品

3. 85A大電流 → 滿足大功率設(shè)備需求

4. 開關(guān)速度快 → 高頻應(yīng)用損耗更低

5. 國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)供貨 → 交期穩(wěn)定、成本更優(yōu)

八、使用說明

本產(chǎn)品參數(shù)以KIA官方規(guī)格書為準(zhǔn)，可提供樣品測試、技術(shù)支持。

KNY3903A 是 DFN5×6 30V 85A 低內(nèi)阻MOSFET 理想選擇。

六、絕對最大額定值（TC=25℃，除非另有說明）

參數(shù) 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 30 V
連續(xù)漏極電流 ID TC=25℃ 85 A
TC=100℃ 55 A
脈沖漏極電流 IDM - 360 A
柵源電壓 VGS - ±20 V
單脈沖雪崩能量 EAS L=0.5mH, VDD=15V, VGS=10V, RG=25Ω, TJ=25℃ 90 mJ
功耗 PD TC=25℃ 90 W
工作結(jié)溫與存儲溫度 TJ, TSTG - -55 ~ +150 ℃
焊接最高溫度 TL 離外殼1/8"，焊接5秒 300 ℃

七、熱特性參數(shù)

參數(shù) 符號 額定值 單位
結(jié)-殼熱阻 RθJC 1.67 ℃/W

八、電氣特性（TC=25℃，除非另有說明）

8.1 靜態(tài)特性

參數(shù) 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 30 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=30V, VGS=0V - - 1 uA
VDS=24V, TC=125℃ - - 10 uA
柵源正向漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.5 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=30A - 4.0 5.5 mΩ
VGS=4.5V, ID=30A - 6.0 7.5 mΩ

8.2 電容特性

參數(shù) 符號 測試條件 典型值 單位
輸入電容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 1951 pF
輸出電容 Coss 322 pF
反向傳輸電容 Crss 240 pF

8.3 開關(guān)特性

參數(shù) 符號 測試條件 典型值 單位
開通延遲時間 td(on) VGS=10V, VDS=15V, RL=3Ω, ID=30A 12 ns
上升時間 tr 35 ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) 42 ns
下降時間 tf 15 ns

8.4 柵極電荷特性

參數(shù) 符號 測試條件 典型值 單位
總柵極電荷 Qg VDS=15V, ID=30A, VGS=10V 40 nC
柵源電荷 Qgs 4 nC
柵漏電荷 Qgd 12 nC

8.5 體二極管特性

參數(shù) 符號 測試條件 最大值 單位
連續(xù)源極電流 IS - 90 A
脈沖源極電流 ISM - 360 A
二極管正向壓降 VSD ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ 1.2 V
反向恢復(fù)時間 Trr IF=20A, di/dt=100A/μs 16 ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr 5 nC

備注：以上數(shù)據(jù)基于KIA官方規(guī)格書（Rev 1.0, Dec 2025），批量應(yīng)用前請以最新版規(guī)格書為準(zhǔn)。


聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

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