KND/KNP/KNF41100A 1000V 2A MOSFET 國產替代
信息來源：本站 日期：2026-05-20
TO-252/TO-220/TO-220F 適配器 / 充電器專用
| 項目 | 詳情 |
|---|---|
| 產品系列 | 41100A系列（N溝道MOSFET） |
| 產品型號 | KND41100A / KNP41100A / KNF41100A |
| 封裝形式 | TO-252 / TO-220 / TO-220F |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心規格 | 2.0A/1000V，Rds(on)=9.6Ω（典型值） |
| 特性項 | 說明 |
|---|---|
| 合規標準 | RoHS Compliant（環保無鉛） |
| 導通電阻 | Rds(on)=9.6Ω（典型值）@VGS=10V |
| 開關損耗 | 低柵極電荷設計，降低開關損耗 |
| 體二極管 | 快恢復體二極管，抑制反向尖峰 |
| 型號 | 封裝 | 品牌 | 核心規格 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | TO-252（貼片） | KIA（KMOS） | N溝道 1000V 2A |
| KNP41100A | TO-220（直插） | KIA（KMOS） | N溝道 1000V 2A |
| KNF41100A | TO-220F（絕緣） | KIA（KMOS） | N溝道 1000V 2A |
| 特性 | 參數/說明 |
|---|---|
| 耐壓 VDSS | 1000V（最小值） |
| 電流 ID | 2A（連續） |
| 導通電阻 Rds(on) | 9.6Ω（典型值）@VGS=10V |
| 柵極電荷 Qg | 15nC（典型值） |
| 體二極管 | 快恢復，抑制反向尖峰 |
| 環保等級 | RoHS Compliant |
| 國產型號 | 進口對標 | 封裝 | 參數一致性 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | IXFN4N100 | TO-252 | 1000V/2A 一致 |
| KNP41100A | IXFP4N100/2SK1119 | TO-220 | 1000V/2A 一致 |
| KNF41100A | IXFP4N100F/STW2N100F | TO-220F | 1000V/2A 一致 |
| 應用領域 | 使用場景說明 |
|---|---|
| 適配器電源 | 家電/手機適配器、小功率開關電源 |
| 充電器電路 | 快充充電器、小功率充電模塊 |
| SMPS輔助電源 | 高壓待機電源、工業輔助電源 |
| LED驅動 | 高壓LED驅動、照明電源 |
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 2 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 8 | A |
| 功耗 | PD | 60 | W |
| 結溫范圍 | Tj | -55~150 | ℃ |
| 參數 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 擊穿電壓 BV | VGS=0V,ID=250μA | 1000 | V |
| 導通電阻 Rds(on) | VGS=10V,ID=1A | 9.6 | Ω |
| 柵極閾值 Vgs(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2~4 | V |
| 輸入電容 Ciss | VGS=0V,VDS=25V | 370 | pF |
| 反向恢復時間 trr | IF=2A,di/dt=100A/μs | 320 | ns |
| 應用領域 | 說明 |
|---|---|
| 適配器電源 | 手機/家電適配器、開關電源 |
| 充電器電路 | 快充充電器、小功率充電模塊 |
| SMPS待機電源 | 開關電源待機電路、輔助電源 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 參數項 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 2.0 | A |
| 脈沖漏極電流@VGS=10V | IDM | 8.0 | A |
| 單脈沖雪崩能量（VDD=50V） | EAS | 80 | mJ |
| 功耗@25℃ | PD | 60 | W |
| 最高結溫 | TJmax | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 參數項 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 2.08 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 75 | ℃/W |
| 參數項 | 符號 | 測試條件 | 典型值/范圍 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 1000（Min） | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=1.0A | 9.6（Typ）/≤12（Max） | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0~4.0 | V |
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 370（Typ） | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | 同上條件 | 4.0（Typ） | pF |
| 輸出電容 | Coss | 同上條件 | 40（Typ） | pF |
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, ID=2.0A, VGS=0~10V | 15（Typ） | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | 同上條件 | 2.1（Typ） | nC |
| 柵漏（米勒）電荷 | Qgd | 同上條件 | 6.0（Typ） | nC |
| 開通延遲時間 | td(ON) | VDD=500V, ID=2.0A, RG=12Ω | 8.0（Typ） | ns |
| 上升時間 | trise | 同上條件 | 6.0（Typ） | ns |
| 關斷延遲時間 | td(OFF) | 同上條件 | 36（Typ） | ns |
| 下降時間 | tfall | 同上條件 | 15（Typ） | ns |
| 連續源極電流 | ISD | 體二極管電流 | 2（Typ） | A |
| 二極管正向壓降 | VSD | IS=2.0A, VGS=0V | ≤1.5（Max） | V |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=2.0A, diF/dt=100A/μs | 320（Typ） | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 同上條件 | 1.0（Typ） | uC |
| 測試項目 | 電路類型 |
|---|---|
| 開關特性測試 | 帶電阻負載的開關測試電路 |
| 柵極電荷測試 | 帶輔助電容的柵極電荷測試電路 |
| 輸出特性測試 | 不同VGS條件下的輸出特性曲線 |
| 熱阻抗測試 | 瞬態熱阻抗測試電路 |
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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