KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 國產替代
信息來源：本站 日期：2026-05-20
DFN/TO 全封裝，低至 4.3mΩ，快充 / 電源專用
| 項目 | 詳情 |
|---|---|
| 產品系列 | 3403C系列 N溝道MOSFET |
| 產品型號 | KNG3403C/KNY3403C/KND3403C/KNB3403C |
| 封裝形式 | DFN3*3/DFN5*6/TO-252/TO-263 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心規格 | 80A/30V，低Rds(on)大電流MOSFET |
| 特性項 | 說明 |
|---|---|
| 低導通電阻 | DFN封裝4.3mΩ/TO封裝4.5mΩ典型值 |
| 低反向傳輸電容 | Low Crss，降低開關損耗 |
| 快速開關特性 | Fast switching，適合高頻應用 |
| 高可靠性測試 | 100% avalanche tested |
| 抗干擾能力強 | Improved dv/dt capability |
| 系列 | 3403C 系列 N溝道功率MOSFET |
|---|---|
| 型號 | KNG3403C / KNY3403C / KND3403C / KNB3403C |
| 封裝 | DFN3×3 / DFN5×6 / TO?252 / TO?263 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心規格 | 30V / 80A，超低Rds(on)大電流MOSFET |
| 優勢項 | 說明 |
|---|---|
| 超低導通電阻 | 典型4.3mΩ（10V），損耗低、發熱小 |
| 大電流能力 | 連續80A，脈沖320A，適合大功率場景 |
| 開關速度快 | 低Qg、低Crss，高頻效率高 |
| 高可靠性 | 100%雪崩測試，抗沖擊、耐浪涌 |
| 全封裝覆蓋 | 貼片/直插齊全，適配不同PCB布局 |
| 國產替代 | 可直接替換IRL3803/FDB8860/SI7140DP等 |
| 應用領域 | 典型用途 |
|---|---|
| 快充電源 | 適配器、充電器、PD快充、車載快充 |
| 電源管理 | DC?DC、降壓/升壓模塊、工業電源 |
| 電池保護 | 鋰電池BMS、保護板、電動工具電池 |
| 電機驅動 | 風扇、水泵、小型馬達、H橋控制 |
| 負載開關 | 大電流配電、智能設備電源開關 |
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 80 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 功耗（DFN） | PD | 70 | W |
| 功耗（TO） | PD | 83 | W |
| 工作溫度 | TJ | ?55~+150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | V |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | 4.3~4.5 | mΩ |
| 柵極電荷 | Qg | VDS=15V,ID=30A | 37.2 | nC |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V,f=1MHz | 1972 | pF |
| 反向恢復時間 | trr | IF=80A,di/dt=100A/μs | 32 | ns |
| 封裝 | KIA型號 | 進口競品 | 國產競品 |
|---|---|---|---|
| DFN3×3 | KNG3403C | ? | SVG034R3NL5 |
| DFN5×6 | KNY3403C | PH5030AL | MSK80N03NF |
| TO?252 | KND3403C | IRL3803/FDB8860 | NCE3080K |
| TO?263 | KNB3403C | BUZ111SLE3045A | KNB3080B |
| 應用領域 | 說明 |
|---|---|
| PWM應用 | 電機驅動、高頻開關電源 |
| 電源管理 | DC-DC轉換器、電池保護板 |
| 負載開關 | 電子負載、智能設備電源開關 |
| DFN3*3/DFN5*6引腳 | TO-252/TO-263引腳 | 功能定義 |
|---|---|---|
| 4 | 1 | Gate（柵極） |
| 5,6,7,8 | 2 | Drain（漏極） |
| 1,2,3 | 3 | Source（源極） |
| 參數項 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 30 | V |
| 連續漏極電流@25℃ | ID | 80 | A |
| 連續漏極電流@100℃ | ID | 45 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 306 | mJ |
| 功耗（DFN封裝） | PD | 70 | W |
| 功耗（TO封裝） | PD | 83 | W |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 焊接溫度（1/8英寸，5秒） | TL | 300 | ℃ |
| 參數項 | 符號 | DFN封裝值 | TO封裝值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.8 | 1.5 | ℃/W |
| 參數項 | 符號 | 測試條件 | 典型值/范圍 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30（Min） | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0~2.2 | V |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A,DFN封裝 | 4.3~6.0 | mΩ |
| VGS=10V,ID=20A,TO封裝 | 4.5~6.0 | mΩ | ||
| VGS=4.5V,ID=20A,DFN封裝 | 6.7~9.2 | mΩ | ||
| VGS=4.5V,ID=20A,TO封裝 | 7.5~9.2 | mΩ | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | 1972 | pF |
| 輸出電容 | Coss | 214 | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | 176 | pF | |
| 開通延遲時間 | td(ON) | VGS=10V,VDS=15V,RG=2.7Ω,ID=30A | 21 | ns |
| 上升時間 | tr | 16 | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(OFF) | 62 | ns | |
| 下降時間 | tf | 12 | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V,ID=30A,VGS=10V | 37.2 | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | 5.7 | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | 7.6 | nC | |
| 體二極管正向電流 | IS | - | 80 | A |
| 體二極管脈沖電流 | ISM | - | 320 | A |
| 二極管正向壓降 | VSD | ISD=30A,VGS=0V | ≤1.2（Max） | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=80A,di/dt=100A/μs,Tj=25℃ | 32 | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 同上條件 | 12 | nC |
| 測試項目 | 電路類型 |
|---|---|
| 柵極電荷測試 | 帶電流采樣的柵極電荷測試電路 |
| 電阻負載開關測試 | 帶電阻負載的開關特性測試電路 |
| 無鉗位感性開關測試 | 帶電感負載的無鉗位開關測試電路 |
| 二極管恢復測試 | 體二極管反向恢復dv/dt測試電路 |
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QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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