KNP6140S/KNF6140S 400V 11A 0.53Ω低內阻可替代SPA11N40

信息來源：本站　日期：2026-05-25　

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KNP6140S/KNF6140S 400V 11A MOSFET 0.53Ω低內阻可替代SPA11N40

0.53Ω低內阻｜15.7nC低柵荷｜365mJ高雪崩｜TO-220/TO-220F雙封裝

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S / KNF6140S (6140S) N溝道MOSFET 規格參數

品牌：KIA（KMOS Semiconductor） | 封裝：KNP6140S=TO-220；KNF6140S=TO-220F | 類型：N-Channel MOSFET

一、產品描述

KNX6140S為N溝道增強型硅柵功率MOSFET，專為高壓、高速開關應用設計，如開關穩壓器、轉換器、電磁閥、電機驅動器、繼電器驅動器等場景。

二、產品特性

項目	參數說明
RDS(ON)	0.53Ω(typ.) @ VGS=10V, ID=5A
電流/電壓	11A, 400V N溝道MOSFET
柵極電荷	低柵極電荷，典型值15.7nC
開關特性	快速開關、改進的dv/dt能力
可靠性	100%雪崩測試，高抗沖擊性

KNP6140S/KNF6140S 400V 11A N溝道MOSFET

TO-220/TO-220F封裝｜低內阻｜快速開關｜高雪崩能力

產品介紹 & 產品介紹

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S/KNF6140S是高壓增強型N溝道MOSFET，采用先進平面工藝。

產品具備400V耐壓、11A大電流、0.53Ω超低內阻，開關速度快。

內置快恢復二極管，100%通過雪崩測試，穩定性強、壽命更長。

廣泛用于開關電源、適配器、電機驅動、電磁閥控制等高壓場景。

可直接PIN-PIN替代同規格國際/國產型號，無需改板，性價比更高。

核心優勢

優勢項目	產品特點
高壓耐壓	400V漏源擊穿電壓，高壓場景更安全
超低內阻	0.53Ω典型導通電阻，發熱更低
快速開關	低柵極電荷，開關損耗小、效率高
高可靠性	365mJ雪崩能量，抗沖擊、防炸管
雙封裝可選	TO-220/TO-220F，滿足絕緣/非絕緣需求

全系列直接平替（可PIN-PIN替換）

品牌	競品型號	封裝	規格
Infineon英飛凌	SPA11N40、FQP11N40	TO-220/F	400V 11A
ON安森美	NTD4960、NTGD11N40	TO-220/F	400V 11A
ST意法	STP11N40、STP11NM40	TO-220/F	400V 11A
VISHAY威世	SIHP11N40、SUP11N40	TO-220	400V 11A
新潔能	NCE40H11、NCE11N40	TO-220/F	400V 11A
揚杰科技	YJQ11N40、40N11	TO-220/F	400V 11A
士蘭微	SVF11N40、SVF11N40F	TO-220/F	400V 11A
華潤微	CR11N40、CRS11N40	TO-220/F	400V 11A

型號與封裝

型號	封裝	類型
KNP6140S	TO-220	N溝道MOSFET
KNF6140S	TO-220F	N溝道MOSFET

絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數	符號	TO-220	TO-220F	單位
漏源電壓	VDSS	400	400	V
柵源電壓	VGS	±30	±30	V
連續漏極電流	ID	11	11	A
脈沖漏極電流	IDM	44	44	A
單脈沖雪崩能量	EAS	365	365	mJ
耗散功率	PD	194.5	40.2	W
工作溫度	TJ	-55~150	-55~150	℃

核心電氣參數（TJ=25℃）

參數	符號	測試條件	數值	單位
漏源擊穿電壓	BVDS	VGS=0V	400(min)	V
柵極閾值電壓	VGS(th)	ID=250μA	2.0~4.0	V
導通電阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=5A	0.53(typ)	Ω
輸入電容	Ciss	VDS=25V	980	pF
總柵極電荷	Qg	VDS=320V	15.7	nC
體二極管電壓	VSD	IS=11A	≤1.4	V

典型應用場景

開關電源 & AC/DC適配器

電機驅動與電磁閥控制

工業控制與電源模塊

LED驅動 & 照明電源

充電器與高壓開關設備

注：產品可完全替代上表競品，性能優異、供貨穩定、價格優勢明顯。

三、引腳定義（TO-220 / TO-220F封裝）

引腳號	功能定義
1	Gate（柵極）
2	Drain（漏極）
3	Source（源極）

四、型號與包裝信息

型號	封裝	品牌
KNP6140S	TO-220	KIA
KNF6140S	TO-220F	KIA

五、絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數名稱	符號	TO-220	TO-220F	單位
漏源電壓	VDSS	400	400	V
柵源電壓	VGS	±30	±30	V
連續漏極電流(Tc=25℃)	ID	11	11	A
連續漏極電流(Tc=100℃)	ID	6.6	6.6	A
脈沖漏極電流	IDM	44	44	A
重復雪崩能量	EAR	19.50	19.50	mJ
單脈沖雪崩能量	EAS	365	365	mJ
雪崩電流	IAR	11	11	A
二極管恢復峰值dv/dt	dv/dt	4.5	4.5	V/ns
耗散功率(Tc=25℃)	PD	194.5	40.2	W
25℃以上降額系數	PD	1.55	0.32	W/℃
工作/存儲溫度范圍	TJ&TSTG	-55~+150	-55~+150	℃
焊接引腳最高溫度(5s)	TL	300	300	℃
柵源ESD電壓(HBM)	VESD(G-S)	2500	2500	V

六、熱特性參數

參數名稱	符號	TO-220	TO-220F	單位
結-殼熱阻	RθJC	0.65	3.15	℃/W
結-環境熱阻	RθJA	62.5	62.5	℃/W
殼-散熱器熱阻(典型)	RθJS	0.5	-	℃/W

七、電氣特性參數（TJ=25℃）

參數名稱	符號	測試條件	參數值	單位
關斷特性
漏源擊穿電壓	BVDS	VGS=0V, ID=250μA	400（min）	V
零柵壓漏電流 IDSS	IDSS	VDS=400V, VGS=0V	≤1	μA
零柵壓漏電流 IDSS	IDSS	VDS=320V, TC=125℃	≤10	μA
柵極漏電流 IGSS	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	≤1	nA
柵極漏電流 IGSS	IGSS	VGS=-20V, VDS=0V	≥-1	nA
擊穿電壓溫度系數	ΔBVDS/ΔTJ	ID=250μA, 25℃參考	0.4	V/℃
導通特性
柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	2.0~4.0	V
導通電阻 RDS(ON)	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5A	530(typ)/640(max)	mΩ
正向跨導	gFS	VDS=40V, ID=5A	8（typ）	S
動態特性（f=1.0MHz）
輸入電容 Ciss	Ciss	VGS=0V, VDS=25V	980（typ）	pF
輸出電容 Coss	Coss	VGS=0V, VDS=25V	140（typ）	pF
反向傳輸電容 Crss	Crss	VGS=0V, VDS=25V	2.6（typ）	pF
總柵極電荷 Qg	Qg	VDS=320V, ID=11A, VGS=10V	15.7（typ）	nC
柵源電荷 Qgs	Qgs	同上	4.6（typ）	nC
柵漏電荷 Qgd	Qgd	同上	4.5（typ）	nC
開關特性（VDD=200V, ID=11A, RG=20Ω）
開通延遲時間	td(ON)	同上	33.5（typ）	ns
上升時間 trise	trise	同上	31.5（typ）	ns
關斷延遲時間	td(OFF)	同上	83（typ）	ns
下降時間 tfall	tfall	同上	56（typ）	ns
體二極管特性
體二極管正向電壓	VSD	VGS=0V, ISD=11A	≤1.4	V
連續源極電流	IS	-	11（max）	A
脈沖源極電流	ISM	-	44（max）	A
反向恢復時間 trr	trr	VGS=0V, IS=11A, diF/dt=100A/μs	430（typ）	ns
反向恢復電荷 Qrr	Qrr	同上	3.8（typ）	μC

注：以上參數均來自KIA官方規格書，使用時請以原廠數據手冊為準。

聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

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