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KNP4890A/KNF4890A 900V 9A 1.2Ω低內阻 可替代FQP9N90

信息來源：本站　日期：2026-05-25　

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KNP4890A/KNF4890A 900V 9A MOSFET 1.2Ω低內阻 可替代FQP9N90

1.2Ω低內阻｜高雪崩耐量｜快恢復二極管｜TO-220/TO-220F雙封裝

KNP4890A/KNF4890A (4890A) N溝道MOSFET 規格參數

KNP4890A/KNF4890A

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）| 封裝：TO-220/TO-220F | 類型：N-Channel MOSFET

一、產品特性

項目 參數說明
RDS(ON) 典型值1.2Ω @ VGS=10V
工藝技術 專有新型平面工藝
優勢特性 低柵極電荷，降低開關損耗
內置二極管 快恢復體二極管

二、典型應用

應用場景
適配器充電器
SMPS開關電源
LCD面板電源

KNP4890A / KNF4890A N溝道MOSFET 規格參數

品牌：KIA（KMOS Semiconductor） | 封裝：KNP4890A=TO?220；KNF4890A=TO?220F | 類型：N?Channel MOSFET

一、產品特性

項目 參數說明
RDS(ON) 1.2Ω(typ)/1.4Ω(max) @ VGS=10V
工藝技術 專有平面DMOS工藝
優勢特性 低柵極電荷，開關損耗小
內置二極管 快恢復體二極管

二、典型應用

應用場景
電源適配器、充電器
SMPS開關電源
LCD/LED面板電源
高壓DC?DC、逆變器

KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）
900V 9A N溝道MOSFET

1.2Ω低內阻｜快恢復體二極管｜高雪崩耐量｜國產替代優選

KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）是KIA半導體推出的高壓MOSFET。 采用平面DMOS工藝，具備低RDS(on)、低柵荷、高雪崩能量特性。 適配電源適配器、充電器、SMPS、LCD/LED電源等高壓場景。 可直接替代進口9N90系列，降成本、交期穩、供貨足。

KNP4890A/KNF4890A

二、平起替代清單（同參數900V/9A，TO-220/TO-220F）
品牌 競品型號 封裝 備注
英飛凌 FQP9N90、FQA9N90、FQP9N90C TO-220/TO-220F Pin-to-Pin兼容
意法ST STP9NK90Z、STP9NK90ZFP TO-220/TO-220F 可直接替代
安森美ON NDF9N90、NTGF9N90、FQPF9N90CT TO-220/TO-220F 參數一致
威世Vishay SUP9N90、SIHP9N90 TO-220 高壓低損耗
東芝 TK9A90E、2SK4006 TO-220 工業級可靠
新潔能 NCE9N90、NCE9N90F TO-220/TO-220F 國產替代
華潤微 CR9N90、CRS9N90 TO-220/TO-220F 高性價比
士蘭微 SVF9N90、SVF9N90F TO-220/TO-220F 國產主流
微碧VBsemi VBM9N90、VBL9N90 TO-220/TO-220F 國產替代
三、產品特性
項目 參數說明
型號 KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）
溝道類型 N溝道MOSFET
耐壓VDSS 900V
電流ID 9A（Tc=25℃）
RDS(ON) 1.2Ω(typ)/1.4Ω(max) @ VGS=10V
工藝 平面DMOS工藝
特性 低柵荷、開關損耗小、快恢復體二極管
四、典型應用
應用場景
電源適配器、充電器
SMPS開關電源
LCD/LED面板電源
高壓DC-DC、逆變器
五、引腳定義（TO-220 / TO-220F）
引腳號 功能定義
1 Gate（柵極）
2 Drain（漏極）
3 Source（源極）
六、絕對最大額定值（Tc=25℃）
參數名稱 符號 TO-220 TO-220F 單位
漏源電壓 VDSS 900 900 V
柵源電壓 VGS ±30 ±30 V
連續漏極電流 ID 9 9 A
連續漏極電流(100℃) ID 5.7 5.7 A
脈沖漏極電流 IDM 36 36 A
單脈沖雪崩能量 EAS 580 580 mJ
耗散功率 PD 208 67 W
工作溫度范圍 TJ -55~+150 -55~+150 ℃
七、熱特性參數
參數名稱 符號 TO-220 TO-220F 單位
結-殼熱阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA 62 100 ℃/W
八、電氣特性參數（TJ=25℃）
參數名稱 符號 測試條件 參數值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900（min） V
漏源漏電流 IDSS VDS=900V,VGS=0V ≤1 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V,VDS=0V ±100（max） nA
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
輸入電容 Ciss VGS=0V,VDS=25V 2595（typ） pF
輸出電容 Coss VGS=0V,VDS=25V 145（typ） pF
反向傳輸電容 Crss VGS=0V,VDS=25V 15（typ） pF
總柵極電荷 Qg VDD=450V,ID=9A 48（typ） nC
開通延遲時間 td(ON) VDD=450V,VGS=10V 36（typ） ns
關斷延遲時間 td(OFF) VDD=450V,VGS=10V 136（typ） ns
體二極管正向電壓 VSD IS=9A,VGS=0V ≤1.5 V
注：以上參數來自KIA官方規格書，使用請以原廠手冊為準。


三、引腳定義（TO?220 / TO?220F）

引腳號 功能定義
1 Gate（柵極）
2 Drain（漏極）
3 Source（源極）

四、型號與封裝信息

型號 封裝 品牌
KNP4890A TO?220 KIA
KNF4890A TO?220F KIA

五、絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數名稱 符號 TO?220 TO?220F 單位
漏源電壓 VDSS 900 900 V
柵源電壓 VGS ±30 ±30 V
連續漏極電流(Tc=25℃) ID 9 9 A
連續漏極電流(Tc=100℃) ID 5.7 5.7 A
脈沖漏極電流(VGS=10V) IDM 36 36 A
單脈沖雪崩能量 EAS 580 580 mJ
二極管恢復峰值dv/dt dv/dt 1000 1000 V/ns
耗散功率(Tc=25℃) PD 208 67 W
25℃以上降額系數 PD 1.67 0.54 W/℃
焊接引腳最高溫度(10s) TL 300 300 ℃
封裝本體焊接溫度(10s) TPAK 260 260 ℃
工作/存儲溫度范圍 TJ&TSTG -55~150 -55~150 ℃

六、熱特性參數

參數名稱 符號 TO?220 TO?220F 單位
結?殼熱阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
結?環境熱阻 RθJA 62 100 ℃/W

七、電氣特性參數（TJ=25℃）

參數名稱 符號 測試條件 參數值 單位
關斷特性
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900（min） V
漏源漏電流IDSS IDSS VDS=900V,VGS=0V ≤1 μA
VDS=720V,VGS=0V,TJ=125℃ ≤100 μA
柵源漏電流IGSS IGSS VGS=±30V,VDS=0V ±100（max） nA
導通特性
導通電阻RDS(ON) RDS(ON) VGS=10V,ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
正向跨導gfs gfs VDS=30V,ID=5A 9.2（typ） S
動態特性（f=1.0MHz）
輸入電容Ciss Ciss VGS=0V,VDS=25V 2595（typ） pF
輸出電容Coss Coss VGS=0V,VDS=25V 145（typ） pF
反向傳輸電容Crss Crss VGS=0V,VDS=25V 15（typ） pF
柵極電阻Rg Rg VDS=0V,f=1MHz 1.4（typ） Ω
總柵極電荷Qg Qg VDD=450V,ID=9A,VGS=0→10V 48（typ） nC
柵源電荷Qgs Qgs 同上 15（typ） nC
柵漏電荷Qgd Qgd 同上 18（typ） nC
開關特性（VDD=450V,VGS=10V,RG=25Ω,ID=9A）
開通延遲時間td(ON) td(ON) 同上 36（typ） ns
上升時間trise trise 同上 42（typ） ns
關斷延遲時間td(OFF) td(OFF) 同上 136（typ） ns
下降時間tfall tfall 同上 48（typ） ns
體二極管特性
連續源極電流ISD ISD 集成PN二極管 9（max） A
脈沖源極電流ISM ISM 同上 36（max） A
二極管正向電壓VSD VSD IS=9A,VGS=0V ≤1.5 V
反向恢復時間trr trr VGS=0V,IF=9A,diF/dt=100A/μs 562（typ） ns
反向恢復電荷Qrr Qrr 同上 3.5（typ） nC

注：以上參數來自KIA官方規格書，使用請以原廠手冊為準。

三、引腳定義（TO-220/TO-220F封裝）
引腳號 功能定義
1 Gate（柵極）
2 Drain（漏極）
3 Source（源極）

四、型號與包裝信息

型號 封裝 品牌
KNP4890A TO-220 KIA
KNF4890A TO-220F KIA

五、絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數名稱 符號 TO-220 TO-220F 單位
漏源電壓 VDSS 900 900 V
柵源電壓 VGS ±30 ±30 V
連續漏極電流(Tc=25℃) ID 9 9 A
連續漏極電流(Tc=100℃) ID 見規格書Figure3 A
脈沖漏極電流(VGS=10V) IDM 見規格書Figure6 A
單脈沖雪崩能量 EAS 580 580 mJ
二極管恢復峰值dv/dt dv/dt 1000 1000 V/ns
耗散功率(Tc=25℃) PD 208 67 W
25℃以上降額系數 PD 1.67 0.54 W/℃
焊接引腳最高溫度(10s) TL 300 300 ℃
封裝本體焊接溫度(10s) TPAK 260 260 ℃
工作/存儲溫度范圍 TJ&TSTG -55~150 -55~150 ℃

六、熱特性參數

參數名稱 符號 TO-220 TO-220F 單位
結-殼熱阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA 62 100 ℃/W

七、電氣特性參數（TJ=25℃）

參數名稱 符號 測試條件 參數值 單位
關斷特性
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 900（min） V
漏源漏電流 IDSS IDSS VDS=900V, VGS=0V ≤1 uA
VDS=720V, VGS=0V, TJ=125℃ ≤100 uA
柵源漏電流 IGSS IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100（max） nA
導通特性
導通電阻 RDS(ON) RDS(ON) VGS=10V, ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.0~4.0 V
正向跨導 gfs VDS=30V, ID=5A 9.2（typ） S
動態特性（f=1.0MHz）
輸入電容 Ciss Ciss VGS=0V, VDS=25V 2595（typ） pF
輸出電容 Coss Coss VGS=0V, VDS=25V 145（typ） pF
反向傳輸電容 Crss Crss VGS=0V, VDS=25V 15（typ） pF
柵極電阻 Rg VDS=0V, f=1MHz 1.4（typ） Ω
總柵極電荷 Qg Qg VDD=450V, ID=9A, VGS=0→10V 48（typ） nC
柵源電荷 Qgs Qgs 同上 15（typ） nC
柵漏電荷 Qgd Qgd 同上 18（typ） nC
開關特性（VDD=450V, VGS=10V, RG=25Ω, ID=9A）
開通延遲時間 td(ON) 同上 36（typ） ns
上升時間 trise trise 同上 42（typ） ns
關斷延遲時間 td(OFF) 同上 136（typ） ns
下降時間 tfall tfall 同上 48（typ） ns
體二極管特性
連續源極電流 ISD 集成PN二極管 9（max） A
脈沖源極電流 ISM 同上 36（max） A
二極管正向電壓 VSD IS=9A, VGS=0V ≤1.5 V
反向恢復時間 trr trr VGS=0V, IF=9A, diF/dt=100A/us 562（typ） nS
反向恢復電荷 Qrr Qrr 同上 3.5（typ） nC

注：以上參數均來自KIA官方規格書，使用時請以原廠數據手冊為準。



聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

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