草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

KIA65R700FS 替代 SPA06N65C3 高壓 MOS 管

信息來源:本站 日期:2026-05-26 

分享到:

KIA65R700FS 替代 SPA06N65C3 高壓 MOS 管

參數對標進口型號,成本更低,批量供貨穩定

KIA65R700FS

65R700 650V/7A N溝道MOSFET - KIA半導體

65R700 - 650V/7A N溝道功率MOSFET(TO-220F封裝)
KIA65R700FS N溝道MOSFET(TO-220F封裝)官方介紹
產品核心宣傳亮點
650V超高壓,7A大電流,工業級穩定輸出
超低導通電阻,降低損耗,提升轉換效率
低柵極電荷,開關速度快,適配高頻電源
優異抗雪崩能力,耐沖擊,可靠性更強
TO-220F全絕緣封裝,安全易安裝
寬溫工作-55~150℃,適應嚴苛環境
100%雪崩測試,品質穩定,長期耐用
核心電氣參數(TC=25℃)
參數名稱 符號 參數值 單位
漏源擊穿電壓 VDS 650 V
連續漏極電流 ID 7 A
脈沖漏極電流 IDM 10 A
導通電阻(10V) RDS(ON) 0.6 Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) 2.5~4.5 V
總柵極電荷 Qg 8 nC
單脈沖雪崩能量 EAS 86 mJ
工作結溫范圍 Tj -55~+150

650V/7A 同規格平替產型號對照表

KIA65R700FS

品牌 平替型號 封裝 可替代關系
英飛凌 SPA06N65C3 TO-220F 直接對標替代
安森美 NTD65N02 TO-220F 參數高度一致
意法 STP6N65M5 TO-220F 同規格競品
新潔能 NCE65T70F TO-220F 國產直接替代
華羿微 HY65060F TO-220F 同參數對標
捷捷微 JJW65N65 TO-220F 同規格競品
長電 CJ65N70 TO-220F 主流對標型號
韋爾 WSP65N70 TO-220F 同規格競品
典型應用領域
AC/DC開關電源、適配器、充電器
LED驅動電源、路燈、工業照明
服務器電源、工業電源模塊
家電控制板、電磁爐、微波爐
高壓逆變器、UPS不間斷電源
電動車充電器、通信電源設備
產品概述
采用KIA先進超結技術,專為AC/DC電源轉換設計。
低導通損耗,優異開關性能,高抗雪崩能力。
適用于開關電源,提升轉換效率,工作更穩定。
產品核心特性
超低導通電阻 RDS(ON)典型值0.6Ω @ VGS=10V,損耗更低
低柵極電荷 典型值僅25nC,開關速度快,驅動損耗低
高堅固性設計 優異抗雪崩能力,應對高壓脈沖沖擊
快速開關性能 開關延遲與上升/下降時間短,高頻適配
高可靠性測試 100%雪崩測試,抗浪涌能力強
優異抗干擾能力 改進的dv/dt能力,抗干擾性能更強
封裝與引腳定義
封裝形式 引腳編號 引腳功能
TO-220F(3引腳) 1 柵極(Gate)
2 漏極(Drain)
3 源極(Source)
絕對最大額定值(TC=25℃)
參數名稱 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 650 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續漏極電流 ID (TC=25℃) 7 A
ID (TC=100℃) 5 A
脈沖漏極電流 IDM 10 A
雪崩能量 EAR (重復) 43 mJ
EAS (單脈沖) 86 mJ
雪崩電流 IAR 1.7 A
二極管恢復dv/dt dv/dt 4.5 V/ns
耗散功率 PD (TC=25℃) 35 W
降額系數(25℃以上) 0.3 W/℃
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ +150
焊接引腳最高溫度 TL 300
熱特性
參數名稱 符號 典型值 單位
結到環境熱阻 RθJA 62 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC 3.6 ℃/W
電氣特性(TC=25℃)
參數名稱 符號 測試條件 最小 典型 最大 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS TJ=25℃, VGS=0V, ID=250uA 650 - - V
TJ=125℃, VGS=0V, ID=250uA 700 - - V
零柵壓漏源電流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1 uA
VDS=480V, TC=125℃ - - 10 uA
柵體泄漏電流 IGSS 正向: VGS=30V, VDS=0V - - 100 nA
反向: VGS=-30V, VDS=0V - - -100 nA
擊穿電壓溫度系數 ΔBVDSS/ΔTJ ID=250uA, 參考25℃ - 0.6 - V/℃
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.5 3.5 4.5 V
漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=3.5A - 0.6 0.7 Ω
正向跨導 gFS VDS=40V, ID=3.5A - 16 - S
輸入電容 CISS VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 360 - pF
輸出電容 COSS - 25 - pF
反向傳輸電容 CRSS - 1.2 - pF
開通延遲時間 td(on) VDD=400V, ID=3.5A, RG=20Ω - 25 - ns
上升時間 tr - 55 - ns
關斷延遲時間 td(off) - 70 - ns
下降時間 tf - 40 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=480V, ID=7A, VGS=10V - 8 - nC
柵源電荷 Qgs - 2.0 - nC
柵漏電荷 Qgd - 2.7 - nC
漏源二極管正向電壓 VSD VGS=0V, ISD=A - 1.5 - V
連續漏源二極管電流 IS - - - 7 A
脈沖漏源二極管電流 ISM - - - 18 A
反向恢復時間 trr VGS=0V, ISD=7A, di/dt=100A/μs - 190 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 2.3 - μC
?? 測試條件說明
重復額定值 脈沖寬度受最高結溫限制,占空比≤2%
雪崩測試條件 L=60mH, IAS=1.7A, VDD=150V, TJ=25℃
dv/dt測試條件 ISD≤7.0A, di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS
脈沖測試條件 脈沖寬度≤300us,占空比≤2%
典型應用場景
AC/DC開關電源 適配器、充電器、工業電源、服務器電源
LED驅動電源 大功率LED路燈、景觀燈、工業照明驅動
電源轉換模塊 DC-DC轉換器、車載電源、工業電源模塊
高壓驅動電路 家電控制板、工業控制電路、逆變器



聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KIA65R700FS

搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持


s