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KIA2904A 系列 MOS 管 40V130A 低內(nèi)阻多封裝國產(chǎn)替代

信息來源:本站 日期:2026-06-01 

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KIA2904A 系列 MOS 管 40V130A 低內(nèi)阻多封裝國產(chǎn)替代

KNY/KND/KNB/KNP2904A N 溝道大功率 MOSFET

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KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

KIA 2904A MOSFET 產(chǎn)品規(guī)格

一、產(chǎn)品基本信息
項目 參數(shù)說明
型號 2904A(KNY/KND/KNB/KNP系列)
品牌 KIA KMOS Semiconductor
類型 N-Channel MOSFET
額定電流 130A
額定電壓 40V
二、產(chǎn)品特性
RDS(ON)=2.0mΩ@VGS=10V(DFN5×6)
RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V(TO-252/263/220)
極低導(dǎo)通電阻RDS(ON)
低Crss,快速開關(guān)特性
100%雪崩測試,可靠性高
改進的dv/dt抗干擾能力
三、應(yīng)用場景
PWM應(yīng)用電路
負載開關(guān)
電源管理模塊
四、封裝與引腳信息
型號 封裝 引腳功能說明
KNY2904A DFN5×6 4:Gate 5/6/7/8:Drain 1/2/3:Source
KND2904A TO-252 1:Gate 2:Drain 3:Source
KNB2904A TO-263 1:Gate 2:Drain 3:Source
KNP2904A TO-220 1:Gate 2:Drain 3:Source
五、絕對最大額定值(Tc=25℃)
參數(shù)項 符號 DFN5×6 TO-252 TO-263/TO-220 單位
漏源電壓 VDSS 40 40 40 V
柵源電壓 VGSS ±20 ±20 ±20 V
連續(xù)漏電流(25℃) ID 130 130 130 A
連續(xù)漏電流(100℃) ID 84 84 84 A
脈沖漏電流 IDM 400 400 400 A
單脈沖雪崩能量 EAS 250 250 250 mJ
功耗(25℃) PD 54 130 328 W
焊接溫度(5秒) TL 300 300 300
工作/存儲溫度 TJ/TSTG -55~150 -55~150 -55~150
六、熱特性參數(shù)
參數(shù)項 符號 DFN5×6 TO-252 TO-263/TO-220 單位
結(jié)-殼熱阻 RθJC 2.3 0.96 0.38 ℃/W
七、電氣特性參數(shù)(Tc=25℃)
參數(shù)項 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V,VGS=0V - - 1 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250uA >1.0 1.5 2.3 V
導(dǎo)通電阻(DFN5×6) RDS(ON) VGS=10V,ID=20A - 2.0 2.7
VGS=4.5V,ID=15A - 2.6 3.5
導(dǎo)通電阻(其他封裝) RDS(ON) VGS=10V,ID=20A - 2.5 3.2
VGS=4.5V,ID=15A - 3.1 4.2
柵極串聯(lián)電阻 RG f=1MHz - 1.3 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 6260 - pF
反向傳輸電容 Crss - 580 - pF
輸出電容 Coss - 570 - pF
開通延遲時間 td(on) VGS=10V,VDS=20V,RL=3Ω,ID=10A,TJ=25℃ - 18 - ns
上升時間 tr - 20 - ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) - 50 - ns
下降時間 tf - 16 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=15V,ID=20A,VGS=10V - 135 - nC
柵源電荷 Qgs - 30 - nC
柵漏電荷 Qgd - 19 - nC
體二極管連續(xù)電流 IS - - - 130 A
體二極管脈沖電流 ISM - - - 400 A
體二極管正向電壓 VSD ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ - - 1.2 V
一、產(chǎn)品型號與封裝
型號 封裝 類型
KNY2904A DFN5×6 貼片 N溝道MOSFET
KND2904A TO-252 貼片 N溝道MOSFET
KNB2904A TO-263 貼片 N溝道MOSFET
KNP2904A TO-220 直插 N溝道MOSFET
二、核心電氣參數(shù)
參數(shù)項 規(guī)格
漏源耐壓 VDSS 40V
連續(xù)漏極電流 ID 130A
導(dǎo)通電阻 RDS(on) 2.0~2.5mΩ @VGS=10V
柵源耐壓 VGSS ±20V
工作結(jié)溫 -55℃ ~ +150℃
特色優(yōu)勢 超低內(nèi)阻、快速開關(guān)、雪崩測試
三、核心優(yōu)勢(客戶痛點解決)
超低內(nèi)阻,發(fā)熱更低,轉(zhuǎn)換效率更高
130A超大電流,滿足大功率驅(qū)動需求
快速開關(guān)特性,低損耗,適配高頻電路
100%雪崩測試,高可靠,不易炸管
多封裝可選,適配各類PCB結(jié)構(gòu)設(shè)計
工業(yè)級寬溫,穩(wěn)定運行,壽命更長
國產(chǎn)原廠,交期穩(wěn)定,性價比更高


四、全行業(yè)競品對標型號

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

品牌 平替產(chǎn)品型號 封裝 對標參數(shù)
萬代/AOS AON6414/AO4407 DFN/TO-252 40V 130A 對標
英飛凌 IRL3803/IRL4040 TO-252/220 40V 大電流對標
安森美 NTD4960N/NTD3055 TO-252 40V 低內(nèi)阻對標
新潔能 NCE40H120/NCE4080 全封裝 40V 120A+ 直接替代
士蘭微 SVF40120P/SVF4080 全封裝 40V 大電流替代
揚杰科技 YJ40120/YJ4080 全封裝 40V 低內(nèi)阻替代
華羿微 HY40120/HY3803 全封裝 40V 120A+ 替代
捷捷微 JJM40120/JJM4080 全封裝 40V 大電流替代
東微半導(dǎo) TDM40120 全封裝 40V 低內(nèi)阻替代


五、官網(wǎng)宣傳文案
【KIA2904A系列】40V 130A 超低內(nèi)阻MOS管
內(nèi)阻低至2.0mΩ,大電流低發(fā)熱,效率更高
DFN/TO-252/263/220全封裝,適配全場景
100%雪崩測試,高可靠,工業(yè)級品質(zhì)
開關(guān)速度快,損耗低,完美替代進口型號
電源管理、電機驅(qū)動、大功率電路首選
國產(chǎn)原廠現(xiàn)貨,交期穩(wěn),性價比行業(yè)領(lǐng)先
六、典型應(yīng)用領(lǐng)域
大功率電源管理模塊、動力電池保護板
電機驅(qū)動、無刷電機控制器、電動工具
光伏逆變器、儲能電源、大功率放電回路
快充協(xié)議、PWM調(diào)壓、大電流負載開關(guān)
汽車電子、工業(yè)控制、智能設(shè)備驅(qū)動


聯(lián)系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個qq)

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