KIA2904A 系列 MOS 管 40V130A 低內(nèi)阻多封裝國產(chǎn)替代
信息來源:本站 日期:2026-06-01
KNY/KND/KNB/KNP2904A N 溝道大功率 MOSFET
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| 項目 | 參數(shù)說明 |
|---|---|
| 型號 | 2904A(KNY/KND/KNB/KNP系列) |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 類型 | N-Channel MOSFET |
| 額定電流 | 130A |
| 額定電壓 | 40V |
| RDS(ON)=2.0mΩ@VGS=10V(DFN5×6) |
| RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V(TO-252/263/220) |
| 極低導(dǎo)通電阻RDS(ON) |
| 低Crss,快速開關(guān)特性 |
| 100%雪崩測試,可靠性高 |
| 改進的dv/dt抗干擾能力 |
| PWM應(yīng)用電路 |
| 負載開關(guān) |
| 電源管理模塊 |
| 型號 | 封裝 | 引腳功能說明 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5×6 | 4:Gate 5/6/7/8:Drain 1/2/3:Source |
| KND2904A | TO-252 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| KNB2904A | TO-263 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| KNP2904A | TO-220 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| 參數(shù)項 | 符號 | DFN5×6 | TO-252 | TO-263/TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 40 | 40 | 40 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±20 | ±20 | ±20 | V |
| 連續(xù)漏電流(25℃) | ID | 130 | 130 | 130 | A |
| 連續(xù)漏電流(100℃) | ID | 84 | 84 | 84 | A |
| 脈沖漏電流 | IDM | 400 | 400 | 400 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 250 | 250 | 250 | mJ |
| 功耗(25℃) | PD | 54 | 130 | 328 | W |
| 焊接溫度(5秒) | TL | 300 | 300 | 300 | ℃ |
| 工作/存儲溫度 | TJ/TSTG | -55~150 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 參數(shù)項 | 符號 | DFN5×6 | TO-252 | TO-263/TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 2.3 | 0.96 | 0.38 | ℃/W |
| 參數(shù)項 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | >1.0 | 1.5 | 2.3 | V |
| 導(dǎo)通電阻(DFN5×6) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 2.0 | 2.7 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 2.6 | 3.5 | mΩ | ||
| 導(dǎo)通電阻(其他封裝) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 2.5 | 3.2 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 3.1 | 4.2 | mΩ | ||
| 柵極串聯(lián)電阻 | RG | f=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 6260 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 580 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | 570 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VGS=10V,VDS=20V,RL=3Ω,ID=10A,TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 20 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | - | 50 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 16 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V,ID=20A,VGS=10V | - | 135 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 19 | - | nC | |
| 體二極管連續(xù)電流 | IS | - | - | - | 130 | A |
| 體二極管脈沖電流 | ISM | - | - | - | 400 | A |
| 體二極管正向電壓 | VSD | ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 型號 | 封裝 | 類型 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5×6 貼片 | N溝道MOSFET |
| KND2904A | TO-252 貼片 | N溝道MOSFET |
| KNB2904A | TO-263 貼片 | N溝道MOSFET |
| KNP2904A | TO-220 直插 | N溝道MOSFET |
| 參數(shù)項 | 規(guī)格 |
|---|---|
| 漏源耐壓 VDSS | 40V |
| 連續(xù)漏極電流 ID | 130A |
| 導(dǎo)通電阻 RDS(on) | 2.0~2.5mΩ @VGS=10V |
| 柵源耐壓 VGSS | ±20V |
| 工作結(jié)溫 | -55℃ ~ +150℃ |
| 特色優(yōu)勢 | 超低內(nèi)阻、快速開關(guān)、雪崩測試 |
| 超低內(nèi)阻,發(fā)熱更低,轉(zhuǎn)換效率更高 |
| 130A超大電流,滿足大功率驅(qū)動需求 |
| 快速開關(guān)特性,低損耗,適配高頻電路 |
| 100%雪崩測試,高可靠,不易炸管 |
| 多封裝可選,適配各類PCB結(jié)構(gòu)設(shè)計 |
| 工業(yè)級寬溫,穩(wěn)定運行,壽命更長 |
| 國產(chǎn)原廠,交期穩(wěn)定,性價比更高 |
四、全行業(yè)競品對標型號
| 品牌 | 平替產(chǎn)品型號 | 封裝 | 對標參數(shù) |
|---|---|---|---|
| 萬代/AOS | AON6414/AO4407 | DFN/TO-252 | 40V 130A 對標 |
| 英飛凌 | IRL3803/IRL4040 | TO-252/220 | 40V 大電流對標 |
| 安森美 | NTD4960N/NTD3055 | TO-252 | 40V 低內(nèi)阻對標 |
| 新潔能 | NCE40H120/NCE4080 | 全封裝 | 40V 120A+ 直接替代 |
| 士蘭微 | SVF40120P/SVF4080 | 全封裝 | 40V 大電流替代 |
| 揚杰科技 | YJ40120/YJ4080 | 全封裝 | 40V 低內(nèi)阻替代 |
| 華羿微 | HY40120/HY3803 | 全封裝 | 40V 120A+ 替代 |
| 捷捷微 | JJM40120/JJM4080 | 全封裝 | 40V 大電流替代 |
| 東微半導(dǎo) | TDM40120 | 全封裝 | 40V 低內(nèi)阻替代 |
| 【KIA2904A系列】40V 130A 超低內(nèi)阻MOS管 |
| 內(nèi)阻低至2.0mΩ,大電流低發(fā)熱,效率更高 |
| DFN/TO-252/263/220全封裝,適配全場景 |
| 100%雪崩測試,高可靠,工業(yè)級品質(zhì) |
| 開關(guān)速度快,損耗低,完美替代進口型號 |
| 電源管理、電機驅(qū)動、大功率電路首選 |
| 國產(chǎn)原廠現(xiàn)貨,交期穩(wěn),性價比行業(yè)領(lǐng)先 |
| 大功率電源管理模塊、動力電池保護板 |
| 電機驅(qū)動、無刷電機控制器、電動工具 |
| 光伏逆變器、儲能電源、大功率放電回路 |
| 快充協(xié)議、PWM調(diào)壓、大電流負載開關(guān) |
| 汽車電子、工業(yè)控制、智能設(shè)備驅(qū)動 |
聯(lián)系方式:鄒先生
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