KGM75N120AI|75A1200V 國(guó)產(chǎn) IGBT 可直接替代進(jìn)口
信息來(lái)源：本站 日期：2026-06-05
原廠現(xiàn)貨 75A1200V，兼容 IKW75N120，低損耗省散熱成本
KGM75N120AI，75A1200V IGBT，TO247 IGBT，國(guó)產(chǎn) IGBT，可易亞 IGBT
| 品牌 | 競(jìng)品型號(hào) | 封裝 | 規(guī)格 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | IKW75N120CS6 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 英飛凌 | IKW75N120T2 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 仙童/ON | FGL75N120ANTD | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| IR | IRG75C120UD | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 三菱 | GT75J122 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 富士 | 2MBI75N120 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 士蘭微 | SVF75N120P | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 華潤(rùn)微 | CRG75T120AU | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 揚(yáng)杰 | YGD75N120C | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 捷捷 | JJW75N120 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容說(shuō)明 |
|---|---|
| 產(chǎn)品型號(hào) | KGM75N120AI |
| 封裝類型 | TO-247 直插大功率封裝 |
| 核心規(guī)格 | 1200V/75A 高功率IGBT |
| 內(nèi)置結(jié)構(gòu) | 集成快速續(xù)流二極管 |
| 飽和壓降 | 典型1.55V@25℃，低損耗 |
| 開(kāi)關(guān)特性 | 高速開(kāi)關(guān)，低開(kāi)關(guān)損耗 |
| 短路能力 | 高魯棒性，短路耐受更強(qiáng) |
| 工作溫度 | -40℃~+175℃，寬溫穩(wěn)定 |
| 適用領(lǐng)域 | 光伏、UPS、儲(chǔ)能、感應(yīng)加熱 |
| 賣點(diǎn) | 優(yōu)勢(shì)說(shuō)明 |
|---|---|
| 低損耗 | VCE(sat)低，發(fā)熱小，效率高 |
| 高速開(kāi)關(guān) | 開(kāi)關(guān)速度快，系統(tǒng)效率更高 |
| 高可靠性 | 芯片穩(wěn)定，長(zhǎng)期工作不失效 |
| 強(qiáng)抗沖擊 | 短路耐受，適合工業(yè)環(huán)境 |
| 直接替代 | 引腳兼容主流品牌，免改板 |
| 成本優(yōu)勢(shì) | 國(guó)產(chǎn)原廠，性價(jià)比更高 |
| 應(yīng)用分類 | 適用產(chǎn)品 |
|---|---|
| 新能源 | 光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器 |
| 工業(yè)電源 | UPS、EPS、高頻開(kāi)關(guān)電源 |
| 工業(yè)加熱 | 電磁感應(yīng)加熱、焊機(jī)設(shè)備 |
| 電機(jī)驅(qū)動(dòng) | 變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) |
| 通用大功率 | 高頻逆變、大功率設(shè)備 |
| 項(xiàng)目 | 參數(shù)詳情 |
|---|---|
| 產(chǎn)品全稱 | 75A 1200V Silicon Power IGBT |
| 料號(hào) | KGM75N120AI |
| 封裝 | TO-247（引腳：1-G、2-C、3-E，內(nèi)置續(xù)流二極管） |
| 品牌 | KIA(可易亞半導(dǎo)體) |
| 分類 | 明細(xì) |
|---|---|
| 核心特性 |
1.VCE(sat)典型1.55V@25℃；2.低飽和壓降； 3.高速開(kāi)關(guān)；4.高魯棒性；5.短路耐受設(shè)計(jì) |
| 應(yīng)用場(chǎng)景 | 光伏逆變器、UPS不間斷電源、工業(yè)感應(yīng)加熱、儲(chǔ)能設(shè)備 |
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 額定值 | 單位 | 備注條件 |
|---|---|---|---|---|
| 集射極耐壓 | VCE | 1200 | V | Tj=25℃,VGE=0V |
| 直流集電極電流 | IC | 155 | A | Tjmax，Tc=25℃ |
| 直流集電極電流 | IC | 100 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 脈沖集電極電流 | ICpuls | 300 | A | 脈沖受結(jié)溫限值 |
| 續(xù)流二極管正向電流 | IF | 112 | A | Tjmax，Tc=25℃ |
| 續(xù)流二極管正向電流 | IF | 75 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 二極管脈沖電流 | IFpuls | 300 | A | 脈沖受結(jié)溫限值 |
| 柵射極額定電壓 | VGE | ±20 | V | 常規(guī)驅(qū)動(dòng)電壓 |
| 瞬態(tài)柵射極電壓 | VGE | ±30 | V | 短時(shí)瞬態(tài)耐壓 |
| 25℃功耗 | Ptot | 625 | W | Tc=25℃ |
| 工作結(jié)溫 | Tj(op) | -40~+175 | ℃ | 芯片正常工作區(qū)間 |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | -40~+150 | ℃ | 器件倉(cāng)儲(chǔ)溫度 |
| 焊接溫度 | - | 260 | ℃ | 引腳1.6mm處，焊接10s |
| 安裝扭力 | M | - | Nm | M3螺絲固定 |
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| IGBT結(jié)到殼熱阻 | Rθ(J-C) | 0.24 | ℃/W |
| 續(xù)流二極管結(jié)殼熱阻 | Rθ(J-C) | 0.45 | ℃/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | Rθ(J-A) | 40 | ℃/W |
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 | 測(cè)試條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集射極擊穿電壓 | V(BR)CES | 1200 | - | - | V | VGE=0V,IC=250μA |
| 集射極擊穿電壓 | V(BR)CES | 1200 | - | - | V | VGE=0V,IC=1mA |
| 飽和壓降(25℃) | VCE(sat) | - | 1.55 | 1.9 | V | VGE=15V,IC=75A,Tj=25℃ |
| 飽和壓降(175℃) | VCE(sat) | - | 2.0 | - | V | VGE=15V,IC=75A,Tj=175℃ |
| 二極管正向壓降(25℃) | VF | - | 2.44 | 2.9 | V | VGE=0V,IF=75A,Tj=25℃ |
| 二極管正向壓降(175℃) | VF | - | 2.1 | - | V | VGE=0V,IF=75A,Tj=175℃ |
| 柵極閾值電壓 | VGE(th) | 4.2 | 5.2 | 6.2 | V | VCE=20V,IC=1.5mA |
| 零柵壓漏電流(25℃) | ICES | - | - | 10 | μA | VCE=1200V,VGE=0V,Tj=25℃ |
| 零柵壓漏電流(175℃) | ICES | - | - | 5000 | μA | VCE=1200V,VGE=0V,Tj=175℃ |
| 柵極漏電流 | IGES | - | - | 100 | nA | VCE=0V,VGE=±20V |
| 跨導(dǎo) | gfs | - | TBC | - | S | VCE=20V,IC=75A |
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 典型值 | 單位 | 測(cè)試條件 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Cies | 8200 | pF | VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz |
| 輸出電容 | Coes | 260 | pF | |
| 反向傳輸電容 | Cres | 150 | pF | |
| 總柵電荷 | QG | 402 | nC | VCC=600V,IC=75A,VGE=15V |
| 開(kāi)通延遲時(shí)間 | td(on) | 50 | nS |
VCC=400V,IC=60A VGE=0/15V,Rg=4Ω |
| 上升時(shí)間 | tr | 45 | nS | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 400 | nS | |
| 下降時(shí)間 | tf | 65 | nS | |
| 開(kāi)通損耗 | Eon | 5.2 | mJ | |
| 關(guān)斷損耗 | Eoff | 2.2 | mJ | |
| 總開(kāi)關(guān)損耗 | Ets | 7.5 | mJ | |
| 二極管反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | 170 | nS |
IF=40A,VR=300V di/dt=600A/μs |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | 3.2 | μC | |
| 反向恢復(fù)峰值電流 | IrrM | 45 | A | |
| 反向電流下降速率 | dirr/dt | TBC | A/μs | 同上二極管條件 |
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個(gè)qq）
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
