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廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

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KGM50N65AI｜50A650V 國產(chǎn) IGBT 直接替進(jìn)口

信息來源：本站　日期：2026-06-05　

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KGM50N65AI｜50A650V 國產(chǎn) IGBT 直接替進(jìn)口

KIA 原廠現(xiàn)貨 50A650V，兼容 IKW50N65，降本替代進(jìn)口料

KGM50N65AI，50A650V IGBT，TO247 IGBT，國產(chǎn) IGBT，可易亞 IGBT

KGM50N65I（50N65AI）IGBT參數(shù)規(guī)格

一、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息｜KGM50N65I（50N65AI）

項(xiàng)目 參數(shù)詳情
產(chǎn)品名稱 50A 650V Silicon Power IGBT
物料型號 KGM50N65I（絲印：50N65AI）
封裝規(guī)格 TO-247；引腳：1-G、2-C、3-E，內(nèi)置續(xù)流二極管
品牌廠商 KIA可易亞半導(dǎo)體

二、KGM50N65AI 競品完全替代型號

分類 明細(xì)內(nèi)容
核心產(chǎn)品特點(diǎn) 1.VCE(sat)典型1.58V@25℃；2.低飽和壓降損耗
3.高速開關(guān)；4.高魯棒性；5.短路耐受規(guī)格
產(chǎn)品應(yīng)用場景 光伏逆變器、UPS不間斷電源、工業(yè)感應(yīng)加熱、儲(chǔ)能電源設(shè)備
品牌 競品型號 封裝 規(guī)格
英飛凌 IKW50N65H5 TO-247 50A 650V IGBT
英飛凌 IKW50N65T TO-247 50A 650V IGBT
仙童/ON FGL50N65 TO-247 50A 650V IGBT
IR IRG50C60PD TO-247 50A 650V IGBT
三菱 GT50J65 TO-247 50A 650V IGBT
富士 2MBI50N65 TO-247 50A 650V IGBT
士蘭微 SVF50N65 TO-247 50A 650V IGBT
華潤微 CRG50T65 TO-247 50A 650V IGBT
揚(yáng)杰 YGD50N65 TO-247 50A 650V IGBT
捷捷 JJW50N65 TO-247 50A 650V IGBT

三、KGM50N65AI 官方產(chǎn)品介紹


項(xiàng)目 內(nèi)容說明
產(chǎn)品型號 KGM50N65AI
封裝類型 TO-247 直插大功率封裝
核心規(guī)格 650V/50A 高功率IGBT
內(nèi)置結(jié)構(gòu) 集成快速續(xù)流二極管
飽和壓降 典型1.58V@25℃，低損耗
開關(guān)特性 高速開關(guān)，低開關(guān)損耗
短路能力 高魯棒性，短路耐受更強(qiáng)
工作溫度 -40℃~+150℃，寬溫穩(wěn)定
適用領(lǐng)域 光伏、UPS、儲(chǔ)能、感應(yīng)加熱

四、KGM50N65AI 核心賣點(diǎn)

賣點(diǎn) 優(yōu)勢說明
低損耗 VCE(sat)低，發(fā)熱小，效率高
高速開關(guān) 開關(guān)速度快，系統(tǒng)效率更高
高可靠性 芯片穩(wěn)定，長期工作不失效
強(qiáng)抗沖擊 短路耐受，適合工業(yè)環(huán)境
直接替代 引腳兼容主流品牌，免改板
成本優(yōu)勢 國產(chǎn)原廠，性價(jià)比更高

五、KGM50N65AI 典型應(yīng)用

應(yīng)用分類 適用產(chǎn)品
新能源 光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器
工業(yè)電源 UPS、EPS、高頻開關(guān)電源
工業(yè)加熱 電磁感應(yīng)加熱、焊機(jī)設(shè)備
電機(jī)驅(qū)動(dòng) 變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
通用大功率 高頻逆變、大功率設(shè)備

六、最大額定極限參數(shù)

參數(shù)名稱 符號 額定值 單位 備注測試條件
集射極擊穿電壓 VCE 650 V Tj=25℃,VGE=0V
100℃直流集電極電流 IC 50 A Tjmax，Tc=100℃
脈沖集電極電流 ICpuls 100 A 脈沖受芯片結(jié)溫限制
100℃二極管正向電流 IF 50 A Tjmax，Tc=100℃
二極管脈沖電流 IFpuls 100 A 脈沖受芯片結(jié)溫限制
常規(guī)柵射極電壓 VGE ±20 V 常態(tài)驅(qū)動(dòng)額定電壓
瞬態(tài)柵射極耐壓 VGE ±30 V 短時(shí)瞬時(shí)耐壓參數(shù)
25℃芯片耗散功率 Ptot 275 W Tc=25℃殼體溫度
工作結(jié)溫范圍 Tj(op) -40~+150 ℃ 芯片正常工作溫度區(qū)間
器件存儲(chǔ)溫度 Tstg -40~+150 ℃ 元器件倉儲(chǔ)保存溫度
引腳焊接溫度 - 260 ℃ 引腳1.6mm處，焊接時(shí)長10s
M3螺絲安裝扭力 M - Nm 最多3次拆裝安裝工藝

七、熱學(xué)特性參數(shù)

參數(shù)名稱 符號 最大值 單位
IGBT芯片結(jié)到殼熱阻 Rθ(J-C) 0.45 ℃/W
續(xù)流二極管結(jié)殼熱阻 Rθ(J-C) TBC ℃/W
芯片結(jié)到環(huán)境熱阻 Rθ(J-A) TBC ℃/W

八、靜態(tài)電氣參數(shù)（Tj=25℃，無標(biāo)注默認(rèn)25℃）

參數(shù)名稱 符號 Min Typ Max 單位 測試條件
集射極擊穿電壓 V(BR)CES 650 - - V VGE=0V,IC=250μA
集射極擊穿電壓 V(BR)CES 650 - - V VGE=0V,IC=1mA
飽和壓降25℃ VCE(sat) - 1.58 2.1 V VGE=15V,IC=60A,Tj=25℃
飽和壓降150℃ VCE(sat) - 1.95 - V VGE=15V,IC=60A,Tj=150℃
二極管正向壓降25℃ VF - 1.63 2.1 V VGE=0V,IF=60A,Tj=25℃
二極管正向壓降150℃ VF - 1.37 - V VGE=0V,IF=60A,Tj=150℃
柵極開啟閾值電壓 VGE(th) 4.2 5 5.8 V VCE=VGE,IC=250μA
零柵壓集電極漏電流25℃ ICES - - 1 mA VCE=650V,VGE=0V,Tj=25℃
零柵壓集電極漏電流150℃ ICES - TBC - mA VCE=650V,VGE=0V,Tj=150℃
柵極漏電流 IGES - - 200 nA VCE=0V,VGE=±20V
跨導(dǎo)參數(shù) gfs - 77 - S VCE=20V,IC=60A

九、動(dòng)態(tài)開關(guān)&電容參數(shù)（Tj=25℃）

參數(shù)名稱 符號 Typ值 單位 測試條件
輸入電容Cies Cies 5500 pF VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz
輸出電容Coes Coes TBC pF
反向傳輸電容Cres Cres 110 pF
總柵極電荷Qg QG 500 nC VCC=520V,IC=60A,VGE=15V
開通延遲時(shí)間 td(on) 30 nS VCC=400V,IC=60A
VGE=0/15V,Rg=12Ω
電壓上升時(shí)間 tr 70 nS
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) 20 nS
電流下降時(shí)間 tf 40 nS
開通損耗能量 Eon 2.25 mJ 同上開關(guān)測試條件
關(guān)斷損耗能量 Eoff 0.5 mJ 同上開關(guān)測試條件
總開關(guān)損耗 Ets TBC mJ 同上開關(guān)測試條件
二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr 133 nS IF=40A,VR=300V,di/dt=600A/μs
反向恢復(fù)電荷 Qrr 1.48 μC
反向恢復(fù)峰值電流 IrrM 21 A
反向電流下降速率 dirr/dt TBC A/μs 同二極管恢復(fù)測試條件


聯(lián)系方式：鄒先生

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