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替代進口!KNY3403B DFN5×6 MOSFET 30V/85A,成本更低

信息來源:本站 日期:2026-06-10 

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替代進口!KNY3403B DFN5×6 MOSFET 30V/85A,成本更低

國產低阻大電流 MOSFET,Pin-Pin 兼容,交期穩定,無需改板

KNY3403B

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KNX3403B (3403B) 30V/85A N溝道MOSFET 參數表
1. 產品基本信息
型號 KNX3403B (3403B)
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
類型 N溝道增強型功率MOSFET
封裝1 KND3403B - TO-252
封裝2 KNY3403B - DFN5×6
額定電壓(VDS) 30V
額定電流(ID) 85A (Tc=25℃)
2. 產品特性
核心工藝 KIA LV MOSFET技術,低導通電阻
導通電阻 RDS(ON)=4.5mΩ(typ.) @VGS=10V
柵極電荷 低Qg,開關性能優異
反向電容 低Crss,降低開關損耗
開關速度 Fast switching,高頻場景適配
抗干擾能力 Improved dv/dt capability
3. 應用場景
主要領域 UPS不間斷電源、逆變系統電源管理
4. 引腳配置
功能 DFN5×6引腳 TO-252引腳
Gate (柵極) 4 1
Drain (漏極) 5,6,7,8 2
Source (源極) 1,2,3 3
5. 訂購信息
型號 封裝 品牌
KND3403B TO-252 KIA
KNY3403B DFN5×6 KIA
6. 絕對最大額定值 (Tc=25℃)
參數 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDS - 30 V
連續漏極電流 ID Tc=25℃ 85 A
連續漏極電流 ID Tc=100℃ 61 A
脈沖漏極電流 IDM - 340 A
柵源電壓 VGS - ±20 V
單脈沖雪崩能量 EAS - 156 mJ
總功耗 PD Tc=25℃ 71 W
功耗降額系數 - Above 25℃ 0.47 W/℃
工作/存儲溫度 TJ, TSTG - -55~150
7. 熱特性
參數 符號 單位
結到外殼熱阻 RθJC 2.1 ℃/W
結到環境熱阻 RθJA 62 ℃/W
8. 電氣特性 (Tc=25℃)
9、產品核心KNY3403B (DFN5×6封裝)介紹
參數 符號 條件 Min Typ Max 單位
關斷特性
漏源擊穿電壓 BVDS VGS=0V, I=250μA 30 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=30V, VGS=0V - - 1 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
導通特性
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 0.8 1.3 2.5 V
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A - 4.5 5.5
導通電阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A - 5.5 7.2
柵極電阻 RG f=1.0MHz - 5 - Ω
動態特性
輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 2200 - pF
輸出電容 Coss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 270 - pF
反向傳輸電容 Crss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 205 - pF
開關特性
開通延遲時間 td(on) VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω - 11 - ns
上升時間 tr VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω - 87 - ns
關斷延遲時間 td(off) VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω - 140 - ns
下降時間 tf VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω - 82 - ns
總柵極電荷 Qg VDD=24V, ID=30A, VGS=10V - 47 - nC
柵源電荷 Qgs VDD=24V, ID=30A, VGS=10V - 8.5 - nC
柵漏電荷 Qgd VDD=24V, ID=30A, VGS=10V - 9.9 - nC
體二極管特性
連續源極電流 IS - - - 85 A
脈沖源極電流 ISM - - - 340 A
二極管正向壓降 VSD VGS=0V, IS=20A - - 1.4 V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IS=30A, di/dt=100A/μs - 15 - ns
反向恢復電荷 Qrr VGS=0V, IS=30A, di/dt=100A/μs - 7 - μC
產品型號 KNY3403B
封裝規格 DFN5×6 低損耗大電流封裝
核心定位 30V/85A 低阻N溝道功率MOSFET
核心優勢 4.5mΩ超低導通,低Qg,高效率
品質保障 寬溫域,高雪崩,抗沖擊耐用

10、KNY3403B (DFN5×6封裝)型號完全對照表

KNY3403B

品牌 競品型號 封裝 參數匹配
萬代 AO3404A DFN5×6 30V N溝道MOSFET
安森美 NTZD3156N DFN5×6 30V大電流MOS
德州儀器 CSD16326Q5A DFN5×6 30V同步整流專用
威兆 VS3609DE DFN5×6 30V/85A直接替代
新潔能 NCE3403Q DFN5×6 30V DFN5×6競品
華羿 HY3403D DFN5×6 30V UPS/逆變專用
士蘭微 SL3403DA DFN5×6 30V功率MOSFET
揚杰 YJ3403Q5 DFN5×6 30V DFN5×6對標
11、核心賣點(客戶痛點解決)
超低導通 4.5mΩ典型值,降低發熱損耗
超大電流 85A連續,340A脈沖,強帶載
穩定可靠 156mJ雪崩能量,抗沖擊不炸管
低柵電荷 47nC Qg,開關快損耗小
適配高頻 優異dv/dt能力,高頻更穩定
12、替代競品核心優勢
對比進口 性能一致,成本更低,交期更穩
對比國產 導通電阻更低,溫升更小更耐用
替換方案 Pin-Pin兼容,無需改板直接換
應用適配 UPS/逆變/電源管理場景專用
13、典型應用領域
工業電源 UPS不間斷電源、逆變系統
電源管理 大功率電源、DC-DC轉換器
消費電子 快充適配器、同步整流模塊
通訊設備 通信電源、負載開關控制


座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KNY3403B

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