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KNY3903A 30V85A DFN5×6 N 溝道 MOSFET | 低內(nèi)阻電源管替代方案

信息來(lái)源:本站 日期:2026-06-11 

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KNY3903A 30V85A DFN5×6 N 溝道 MOSFET | 低內(nèi)阻電源管替代方案

解決電源 MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重問(wèn)題 | KNY3903A 低內(nèi)阻大電流方案

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KNY3903A MOSFET 規(guī)格參數(shù)

KNY3903A 30V/85A N溝道MOSFET(KIA)

1. 產(chǎn)品特性

項(xiàng)目 說(shuō)明
RDS(ON) 典型值4.0mΩ @ VGS=10V
核心優(yōu)勢(shì) 極低導(dǎo)通電阻、低Crss、快速開(kāi)關(guān)
可靠性 100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)dv/dt能力

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

1 PWM應(yīng)用
2 負(fù)載開(kāi)關(guān)
3 電源管理

3. 引腳配置(DFN5×6)

引腳號(hào) 功能
4 Gate(柵極)
5,6,7,8 Drain(漏極)
1,2,3 Source(源極)

4. 訂購(gòu)信息

型號(hào) 封裝 品牌
KNY3903A DFN5×6 KIA

5. 絕對(duì)最大額定值(TC=25℃)

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 30 V
連續(xù)漏極電流 ID 85(TC=25℃) A
55(TC=100℃) A
脈沖漏極電流 IDM 360 A
柵源電壓 VGS ±20 V
單脈沖雪崩能量 EAS 90 mJ
功耗(TC=25℃) PD 90 W
結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度 TJ,TSTG -55~150
引腳焊接溫度 TL 300(5秒)

6. 熱性能參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) 額定值 單位
結(jié)-殼熱阻 RθJC 1.67 ℃/W

7. 電氣特性(TC=25℃)

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 30 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA
VDS=24V,TJ=125℃ - - 10 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 1.0 1.5 2.5 V
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=30A - 4.0 5.5
VGS=4.5V,ID=30A - 6.0 7.5
輸入電容 CISS VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 1951 - pF
輸出電容 COSS - 322 - pF
反向傳輸電容 CRSS - 240 - pF
開(kāi)通延遲時(shí)間 td(on) VGS=10V,VDS=15V
RL=3Ω,ID=30A
- 12 - ns
上升時(shí)間 tr - 35 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - 42 - ns
下降時(shí)間 tf - 15 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=15V,ID=30A
VGS=10V
- 40 - nC
柵源電荷 Qgs - 4 - nC
柵漏電荷 Qgd - 12 - nC
體二極管正向電流 IS - - - 90 A
體二極管脈沖電流 ISM - - - 360 A
體二極管正向壓降 VSD ISD=30A,VGS=0V,TJ=25℃ - - 1.2 V
反向恢復(fù)時(shí)間 Trr IF=20A,dlF/dt=100A/μs - 16 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr - 5 - nC

注:1) 重復(fù)額定值:脈寬受最大結(jié)溫限制;2) EAS條件:TJ=25℃,VDD=15V,VG=10V,RG=25Ω,L=0.5mH,IAS=19A;3) 脈沖測(cè)試:脈寬≤300μs,占空比0.5%

8. 典型特性曲線(概述)

圖號(hào) 曲線內(nèi)容
圖1 導(dǎo)通區(qū)特性(ID vs VDS,不同VGS
圖2 傳輸特性(ID vs VGS,不同溫度)
圖3 RDS(ON) vs ID(不同VGS
圖4 體二極管正向特性(VF vs IF,不同溫度)
圖5 電容特性(CISS/COSS/CRSS vs VDS
圖6 柵極電荷特性(VGS vs Qg
圖7-11 溫度特性、SOA、熱響應(yīng)曲線

9. 測(cè)試電路(概述)

10、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

電路類型 測(cè)試項(xiàng)目
柵極電荷測(cè)試電路 Qg/Qgs/Qgd
電阻性開(kāi)關(guān)測(cè)試電路 開(kāi)關(guān)時(shí)間ton/toff
非鉗位感性開(kāi)關(guān)測(cè)試電路 EAS雪崩能量
體二極管反向恢復(fù)dv/dt測(cè)試電路 Trr/Qrr/dv/dt
產(chǎn)品型號(hào) 封裝 類型 主要參數(shù)
KNY3903A DFN5×6 N溝道MOSFET 30V/85A,Rds(on)低至4.0mΩ

11、KNY3903A同規(guī)格平替替代型號(hào)(DFN5×6 30V/80~85A N溝道)

KNY3903A

競(jìng)品型號(hào) 品牌 電壓/電流 核心特點(diǎn)
IRL3803S IR 30V/83A 經(jīng)典通用款,導(dǎo)通電阻適中
NCE3085K NCE 30V/85A 性價(jià)比高,市面流通量大
AOZ3903 AOS 30V/85A 開(kāi)關(guān)速度快,適用于高頻場(chǎng)景
WSP3085 Winsok 30V/85A 低內(nèi)阻,面向電源類應(yīng)用
SMB3085 SM 30V/84A 穩(wěn)定性強(qiáng),工業(yè)常用

12、KNY3903A產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)介紹

分類 宣傳文案
整體簡(jiǎn)介 KNY3903A為DFN5×6封裝N溝道MOS管,30V/85A大電流規(guī)格,綜合性能優(yōu)異。
電氣性能 超低導(dǎo)通電阻,典型值4.0mΩ,損耗低、發(fā)熱小,負(fù)載能力強(qiáng)勁。
開(kāi)關(guān)特性 結(jié)電容小、反向傳輸電容低,開(kāi)關(guān)速度快,高頻工況表現(xiàn)穩(wěn)定。
可靠性 全檢雪崩耐受能力,dv/dt抗干擾強(qiáng),高低溫環(huán)境運(yùn)行可靠。
封裝優(yōu)勢(shì) DFN5×6貼片封裝,體積小巧,散熱優(yōu)良,適配高密度PCB布局。
適配場(chǎng)景 廣泛用于PWM電路、負(fù)載開(kāi)關(guān)、整機(jī)電源管理等主流電路方案。

13、應(yīng)用場(chǎng)景宣傳介紹

應(yīng)用領(lǐng)域 場(chǎng)景說(shuō)明
電源適配器 大電流輸出回路,低內(nèi)阻降低整機(jī)功耗,提升轉(zhuǎn)換效率。
LED驅(qū)動(dòng)電源 高頻開(kāi)關(guān)穩(wěn)定,耐壓充足,適配各類恒流驅(qū)動(dòng)方案。
安防設(shè)備電源 抗干擾強(qiáng)、可靠性高,滿足設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行需求。
工控小電源 大電流承載能力強(qiáng),耐受沖擊電流,工業(yè)場(chǎng)景適配度高。
通用負(fù)載開(kāi)關(guān) 響應(yīng)迅速,導(dǎo)通損耗低,適合各類電路通斷控制單元。

14、對(duì)比競(jìng)品核心賣點(diǎn)文案

對(duì)比維度 賣點(diǎn)文案
內(nèi)阻對(duì)比 相比同規(guī)格競(jìng)品,導(dǎo)通電阻更低,有效減少電路發(fā)熱。
可靠性 出廠100%雪崩測(cè)試,耐受異常工況,使用壽命更長(zhǎng)。
開(kāi)關(guān)性能 優(yōu)化電容參數(shù),開(kāi)關(guān)延時(shí)與升降時(shí)間更短,高頻表現(xiàn)更佳。
供貨&性價(jià)比 貨源穩(wěn)定,品質(zhì)統(tǒng)一,兼顧性能與采購(gòu)成本,替代無(wú)憂。
兼容性 引腳定義標(biāo)準(zhǔn)DFN5×6,可直接兼容市面同封裝競(jìng)品替換。

15、簡(jiǎn)短標(biāo)語(yǔ)(首頁(yè)/產(chǎn)品列表使用)

使用位置 宣傳標(biāo)語(yǔ)
短標(biāo)語(yǔ)1 KNY3903A 30V85A低內(nèi)阻MOS管,高效穩(wěn)定
短標(biāo)語(yǔ)2 DFN5×6封裝,大電流強(qiáng)負(fù)載,適配多類電源方案
短標(biāo)語(yǔ)3 極速開(kāi)關(guān)+高可靠性,理想競(jìng)品替代型號(hào)


座機(jī):0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950(微信同號(hào))

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個(gè)qq)

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