KND8606B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制...KND8606B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 15mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并...
變壓器連接在四橋臂中間，相對(duì)的兩對(duì)功率開(kāi)關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截...變壓器連接在四橋臂中間，相對(duì)的兩對(duì)功率開(kāi)關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截止，使變壓器的二次側(cè)有功率輸出。當(dāng)功率開(kāi)關(guān)器件VT1-VT4-導(dǎo)通時(shí)，VT2-VT3則截止，...
已知UP由RV1和R4串聯(lián)從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調(diào)整到UP=0.5V，由于運(yùn)放都具...已知UP由RV1和R4串聯(lián)從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調(diào)整到UP=0.5V，由于運(yùn)放都具有虛短特性，當(dāng)流過(guò)NMOS管Q1的電流大于1A時(shí)，R2兩端電壓大于0.5V，此時(shí)虛短特性發(fā)揮...
KNF6450A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用...KNF6450A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，?低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.40Ω，低柵極電荷，最小化開(kāi)關(guān)損耗，穩(wěn)定可靠；快速...
當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)，電流經(jīng)過(guò)S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時(shí)...當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)，電流經(jīng)過(guò)S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時(shí)，也在給電感充電，由于D1二極管的單向?qū)щ娦裕藭r(shí)二極管D1不會(huì)工作。
