使用兩個(gè)MOS管（一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的...使用兩個(gè)MOS管（一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當(dāng)電源正向供電時(shí)，PMOS導(dǎo)通，NMOS截止；反向時(shí)，PMOS截止，...
KNM48150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，低...KNM48150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.8Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有低...
當(dāng)輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發(fā)射集電壓，則Q2將導(dǎo)通，進(jìn)...當(dāng)輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發(fā)射集電壓，則Q2將導(dǎo)通，進(jìn)而導(dǎo)致Q1的基極電壓低于發(fā)射集電壓，使Q1也導(dǎo)通，此時(shí)輸出電壓Uo與輸入電壓Ui相等。...
Buck（降壓型）拓?fù)洌? 核心功能是將輸入的高電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓（例如1...Buck（降壓型）拓?fù)洌? 核心功能是將輸入的高電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓（例如12V降至5V）。 工作原理是通過開關(guān)管的通斷控制，將輸入電壓“斬波”后經(jīng)電感濾波輸...
KNP2912A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極...KNP2912A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；高密...
