KCB2920A 替代 IRFP4668 NCE2920A SVT2920A
信息來源：本站 日期：2026-05-14
200V130A MOS 管 引腳 1:1 兼容 成本降低 40%
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 型號 | KIA 2920A |
| 類型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 技術 | SGT MOSFET 先進溝槽技術 |
| 版本日期 | Rev 1.0 Mar. 2026 |
產品簡介：KCB2920A是一款采用SGT先進溝槽技術的高性能中壓大電流MOSFET，
提供TO-263、TO-220、TO-247三種封裝，具備200V耐壓、130A連續電流、9mΩ超低導通電阻與2000mJ
高雪崩能量，快恢復體二極管，專為DC-DC轉換器、同步整流、高頻開關電源設計。
核心優勢：SGT先進工藝｜9mΩ低內阻｜130A大電流｜2000mJ雪崩能量｜快恢復體二極管｜三封裝可選
封裝選型：KCB2920A(TO-263)小體積｜KCP2920A(TO-220)通用｜KCM2920A(TO-247)大功率
| 訂貨型號 | 封裝形式 | 適用場景 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | 高密度PCB、消費電子電源、DC-DC轉換器 |
| KCP2920A | TO-220 | 通用開關電源、中小功率工業設備 |
| KCM2920A | TO-247 | 大功率工業電源、電機驅動、同步整流 |
| 品牌 | 競品型號 | 兼容封裝 | 核心對標參數 | KCB2920A優勢 |
|---|---|---|---|---|
| 士蘭微 | SVT2920A | 全封裝 | 200V/130A 9.5mΩ | 導通電阻低5%，發熱更小 |
| 新潔能 | NCE2920A | 全封裝 | 200V/130A 9.2mΩ | 雪崩能量更高，抗浪涌更強 |
| 英飛凌 | IRFP4668PBF | TO-247 | 200V/130A 9.7mΩ | 成本降低40%，交期穩定 |
| IXYS | IXTH130N20T | TO-247 | 200V/130A 進口 | 性能相當，價格僅為1/3 |
| 參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 200 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±20 | V |
| 連續漏極電流(25℃) | ID | 130 | A |
| 連續漏極電流(100℃) | ID | 75 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 440 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 2000 | mJ |
| 峰值二極管恢復dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 最大耗散功率 | PD | 278 | W |
| 工作結溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結到外殼熱阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 3.5 | V |
| 漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=35A | 9.0 | mΩ |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=100V,ID=55A | 143 | nC |
| 反向恢復時間 | trr | IF=55A,di/dt=100A/μs | 185 | ns |
| 體二極管正向電壓 | VSD | IS=70A,VGS=0V | 1.2 | V |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (柵極) |
| 2 | Drain (漏極) |
| 3 | Source (源極) |
| 訂貨型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | KIA |
| KCP2920A | TO-220 | KIA |
| KCM2920A | TO-247 | KIA |
| 參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 200 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 130 (TC=25℃) | A |
| 75 (TC=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 440 | A |
| 單脈沖雪崩能量 (L=10mH) | EAS | 2000 | mJ |
| 峰值二極管恢復dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 278 | W |
| 25℃以上降額系數 | PD | 2.22 | W/℃ |
| 焊接溫度 (距外殼1.6mm，10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封裝本體焊接溫度 (10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作結溫/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
注意：超過"絕對最大額定值"的應力可能導致器件永久性損壞
| 參數 | 符號 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結到外殼熱阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=200V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=160V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=35A | - | 9.0 | 10.5 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V, VDS=100V, f=1.0MHz | - | 10686 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 18 | - | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 392 | - | ||
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 143 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 46 | - | ||
| 柵漏(米勒)電荷 | Qgd | - | 25 | - | ||
| 開通延遲時間 | td(ON) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 45 | - | ns |
| 上升時間 | trise | - | 20 | - | ||
| 關斷延遲時間 | td(OFF) | - | 86 | - | ||
| 下降時間 | tfall | - | 16 | - | ||
| 連續源極電流 | ISD | MOSFET內置PN二極管 | - | - | 110 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 440 | ||
| 二極管正向電壓 | VSD | IS=70A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 185 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 469 | - | μC |
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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