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KNX8103A 替代 NCE3030K AOD484 SPD30N03

信息來源：本站　日期：2026-05-14　

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KNX8103A 替代 NCE3030K AOD484 SPD30N03

30V30A MOS 管 引腳 1:1 兼容 成本降低 50%

KNX8103A


KNX8103A 30A 30V N溝道MOSFET 規格參數

1. 產品描述

KNX8103A是一款高性能溝槽型N溝道MOSFET，采用極高單元密度工藝，

為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的導通電阻和柵極電荷特性。

產品符合RoHS和綠色產品要求，100%通過EAS雪崩測試，全功能可靠性認證。

2. 核心特性

  • RDS(ON) = 15mΩ(typ.) @ VDS=30V
  • 先進高密度溝槽技術 (Advanced high cell density Trench technology)
  • 超低柵極電荷 (Super Low Gate Charge)
  • 優秀的Cdv/dt抑制能力 (Excellent Cdv/dt effect decline)
  • 100% EAS雪崩測試保證
  • 綠色環保器件 (Green Device Available)

3. 典型應用

  • 主板/筆記本/UMPC/VGA高頻負載點同步降壓轉換器
  • 網絡設備DC-DC電源系統
  • 負載開關 (Load Switch)
  • 便攜式電子設備電源
  • 電池管理系統

4. 引腳定義 (TO-251 / TO-252)

引腳號 功能
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)

5. 訂貨信息

訂貨型號 封裝形式 品牌
KND8103A TO-252 KIA
KNU8103A TO-251 KIA

KNX8103A 30V30A N溝道MOSFET 產品詳情


產品簡介：KNX8103A是一款采用先進高密度溝槽技術的高性能低壓大電流MOSFET

，提供TO-251、TO-252兩種封裝，具備30V耐壓、30A連續電流、15mΩ超低導通電阻

與7.2nC超低柵極電荷，專為筆記本主板、高頻同步降壓轉換器設計。

核心優勢：15mΩ低內阻｜7.2nC低柵極電荷｜高密度溝槽工藝｜72mJ雪崩能量｜雙封裝可選｜RoHS合規

封裝選型：KND8103A(TO-252)貼片｜KNU8103A(TO-251)插件

KNX8103A


一、封裝選型指南

訂貨型號 封裝形式 適用場景
KND8103A TO-252 筆記本主板、顯卡供電、高密度PCB、消費電子
KNU8103A TO-251 臺式機主板、工業電源、中小功率設備

二、行業競品對標表（1:1兼容 無需改板）

品牌 競品型號 兼容封裝 核心對標參數 KNX8103A優勢
新潔能 NCE3030K 全封裝 30V/30A 16mΩ 導通電阻更低，開關更快
士蘭微 SVT8103A 全封裝 30V/30A 15.5mΩ 柵極電荷更低，損耗更小
英飛凌 SPD30N03S2L-10 TO-252 30V/30A 進口 成本降低50%，交期穩定
AOS AOD484 TO-252 30V/25A 15mΩ 電流更大，承載能力更強

三、絕對最大額定值（Tc=25℃）

參數 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 30 V
柵源電壓 VGSS +20 V
連續漏極電流(25℃) ID 30 A
連續漏極電流(100℃) ID 18 A
脈沖漏極電流 IDM 60 A
單脈沖雪崩能量 EAS 72 mJ
最大耗散功率 PD 25 W
工作結溫 TJ -55~+150 ℃

四、熱特性參數

參數 符號 Typ Max 單位
結到環境熱阻(瞬態) RθJA -- 25 ℃/W
結到環境熱阻(穩態) RθJA -- 62 ℃/W
結到外殼熱阻 RθJC -- 5 ℃/W

五、核心電氣特性（TJ=25℃）

參數 符號 測試條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 30 V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA 1.5 V
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V,ID=10A 15 mΩ
總柵極電荷 Qg VDS=20V,ID=12A,VGS=4.5V 7.2 nC
反向恢復時間 trr IF=15A,di/dt=100A/μs 185 ns
體二極管正向電壓 VSD IS=15A,VGS=0V 1.2 V

備注：
1) 脈沖測試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%
2) 雪崩能量測試條件：L=0.1mH, IAS=21A, TJ=25℃
3) 產品符合RoHS環保標準，無鉛合規


6. 絕對最大額定值 (TC=25℃ 除非另有說明)

參數 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 30 V
柵源電壓 VGSS +20 V
連續漏極電流 (VGS≥10V) ID 30 (TC=25℃) A
18 (TC=100℃) A
脈沖漏極電流 IDM 60 A
單脈沖雪崩能量 EAS 72 mJ
雪崩電流 IAS 21 A
最大耗散功率 (TC=25℃) PD 25 W
工作結溫范圍 TJ -55 ~ +150 ℃
存儲溫度范圍 TSTG -55 ~ +150 ℃

7. 熱特性參數

參數 符號 Typ Max 單位
結到環境熱阻 (t≤10s) RθJA -- 25 ℃/W
結到環境熱阻 (穩態) RθJA -- 62 ℃/W
結到外殼熱阻 RθJC -- 5 ℃/W

8. 電氣特性 (TJ=25℃ 除非另有說明)

參數 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 30 - - V
擊穿電壓溫度系數 △BVDSS/△TJ 參考25℃, ID=1mA - 0.023 - V/℃
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=10A - 15 18 mΩ
VGS=4.5V, ID=5A - 22 30
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 1.0 1.5 2.5 V
柵極閾值電壓溫度系數 △VGS(TH) - - -5.2 - mV/℃
漏源漏電流 IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ - - 5
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
正向跨導 gfs VDS=15V, ID=10A - 10 - S
柵極電阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 2.5 5 Ω
總柵極電荷 (4.5V) Qg VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A - 7.2 - nC
柵源電荷 Qgs - 1.4 -
柵漏(米勒)電荷 Qgd - 2.2 -
開通延遲時間 td(ON) VDD=12V, ID=5A, RG=3.3Ω, VGS=10V - 4.1 - ns
上升時間 tr - 9.8 -
關斷延遲時間 td(OFF) - 15.5 -
下降時間 tf - 6.0 -
輸入電容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 572 - pF
輸出電容 Coss - 81 -
反向傳輸電容 Crss - 65 -
單脈沖雪崩能量 EAS VDD=25V, L=0.1mH, IAS=10A - 16 - mJ
連續源極電流 IS VGS=0V, VDS=0V - - 30 A
脈沖源極電流 ISM 強制電流 - - 60
二極管正向電壓 VSD VGS=0V, IS=15A, TJ=25℃ - - 1.2 V

備注：
1) 數據測試條件：表面貼裝在1英寸2 FR-4板上，2盎司銅箔
2) 脈沖測試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%
3) EAS數據為最大額定值，測試條件：VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=21A
4) 功耗受150℃結溫限制
5) 最小值為100% EAS測試保證
6) 理論上該數據與ID和IDM相同，實際應用中受總功耗限制



聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KNX8103A

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