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KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低內(nèi)阻現(xiàn)貨

信息來源:本站 日期:2026-05-21 

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KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低內(nèi)阻現(xiàn)貨

2.2mΩ超低導通電阻 | 電機驅(qū)動專用貼片MOS管

KIA2803A MOSFET 參數(shù)規(guī)格

KIA2803A 150A/30V N溝道MOSFET

1. 產(chǎn)品概述

KIA2803AB

產(chǎn)品描述 KIA2803A采用溝槽工藝,實現(xiàn)極低導通電阻。 結(jié)溫150℃,開關(guān)速度快,雪崩能力強。 適用于電機驅(qū)動等多種高效、可靠場景。

2. 核心特性

特性項目 說明
RDS(on)典型值 2.2mΩ @ VGS=10V
低導通電阻 減少導通損耗,提升效率
快速開關(guān) 適合高頻應(yīng)用場景
100%雪崩測試 重復(fù)雪崩能力強
環(huán)保認證 無鉛、RoHS合規(guī)

KIA2803系列MOSFET 產(chǎn)品詳情
一、KIA2803系列 官方宣傳介紹
KIA2803系列是KIA原廠高性能N溝道MOSFET,采用先進溝槽工藝制造, 具備超低導通電阻、大電流、高雪崩、快速開關(guān)四大核心優(yōu)勢。 全系列通過100%雪崩測試,結(jié)溫耐受150℃,穩(wěn)定性遠超行業(yè)標準。 提供TO-263(KIA2803AB)、TO-220(KIA2803AP)兩種主流封裝, 完美適配電機驅(qū)動、電池保護、DC-DC轉(zhuǎn)換、低壓大電流電源系統(tǒng)。 產(chǎn)品無鉛環(huán)保、RoHS合規(guī),性價比領(lǐng)先同級競品,是工業(yè)級、消費級 電源與動力系統(tǒng)的首選功率器件。
核心賣點:30V耐壓/150A大電流/2.2mΩ超低內(nèi)阻, 低損耗、高效率、長壽命、高可靠性, 封裝齊全,直接替代同級進口/國產(chǎn)競品, 交期穩(wěn)定、價格優(yōu)勢顯著,批量供貨無憂。


二、同級競品型號對照表(30V 150A N溝道MOSFET)

KIA2803AB

封裝類型 品牌 競品型號 關(guān)鍵參數(shù)對標
TO-263
(KIA2803AB)
Infineon IRL3803
IRF3703
30V N溝道 大電流低內(nèi)阻
TO-263 VISHAY Si7140DP
SiR166DP
30V 低RDS(on) 大電流
TO-263 ON NTMT350N
NTD3055L
30V 工業(yè)級功率MOS
TO-263 國產(chǎn)替代 HY3803
IRL3803國產(chǎn)版
AOD3803
同規(guī)格通用替代型號
TO-220
(KIA2803AP)
Infineon IRF3203
IRL3803PBF
30V 直插大電流MOS
TO-220 ST STB36N30
STD30NF03L
30V 大電流 直插封裝
TO-220 國產(chǎn)替代 HY3803P
CS3803
AP3803
直插30V主流競品


三、產(chǎn)品型號與封裝定義
產(chǎn)品型號 封裝形式 適用場景
KIA2803AB TO-263(貼片) 貼片PCB、高密度電源、電機驅(qū)動板
KIA2803AP TO-220(直插) 直插PCB、大功率模組、工業(yè)控制器
四、KIA2803系列 VS 同級競品 核心優(yōu)勢
對比項目 KIA2803系列 行業(yè)同類競品
導通電阻 2.2mΩ(行業(yè)極低) 普遍2.5~3.5mΩ
雪崩能力 100%全檢 625mJ 部分無雪崩測試
工作結(jié)溫 -50~150℃ 多數(shù)125℃上限
開關(guān)速度 高頻快速響應(yīng) 常規(guī)開關(guān)速度
可靠性 車規(guī)級工藝標準 工業(yè)/消費級標準
性價比 原廠直供 高性價比 進口品牌價格偏高
供貨能力 穩(wěn)定批量現(xiàn)貨 部分型號缺貨/交期長
五、目標應(yīng)用場景
無刷/有刷電機驅(qū)動模塊
大功率電池保護板(BMS)
DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、降壓/升壓模塊
低壓大電流開關(guān)電源、適配器
電動工具、平衡車、儲能電源
工業(yè)控制器、汽車電子輔助系統(tǒng)
3. 引腳定義

引腳號 功能定義
1 Gate(柵極)
2 Drain(漏極)
3 Source(源極)

4. 型號與封裝

型號 封裝 品牌
KIA2803AB TO-263 KIA
KIA2803AP TO-220 KIA

5. 絕對最大額定值(Tc=25℃)

參數(shù)名稱 符號 額定值 單位
漏源電壓 Vdss 30 V
柵源電壓 Vgss ±20 V
連續(xù)漏極電流 Id 150 A
脈沖漏極電流 Idm 600 A
單脈沖雪崩能量 Eas 625 mJ
功耗(Tc=25℃) Pd 160 W
最高結(jié)溫 Tj 150
存儲溫度范圍 Tstg -50~+150
二極管正向電流 Is 150 A

6. 熱特性

參數(shù)名稱 符號 額定值 單位
結(jié)到殼熱阻 RθJC 0.8 ℃/W

7. 電氣特性(Tc=25℃)

參數(shù)名稱 符號 條件 典型值 最大值 單位
關(guān)斷特性
漏源擊穿電壓 BVdss Vgs=0V, Id=250μA - - V(Min:30)
漏源漏電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V - 1 μA
漏源漏電流(125℃) Idss Vds=24V, Vgs=0V, Tc=125℃ - 100 μA
柵源漏電流 Igss Vgs=20V, Vds=0V - 100 nA
柵源漏電流 Igss Vgs=-20V, Vds=0V - -100 nA
導通特性
柵極閾值電壓 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.3 2.0 V(Min:0.8)
導通電阻 Rds(on) Vgs=10V, Id=40A 2.2 3.0
導通電阻 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=40A 2.8 4.0
動態(tài)特性
輸入電容 Ciss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 5350 - pF
輸出電容 Coss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 715 - pF
反向傳輸電容 Crss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 605 - pF
總柵極電荷 Qg Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 110 - nC
柵源電荷 Qgs Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 35 - nC
柵漏電荷(Miller) Qgd Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 14 - nC
開關(guān)特性
開通延遲時間 Td(on) Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 19 - ns
上升時間 trise Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 50 - ns
關(guān)斷延遲時間 Td(off) Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 20 - ns
下降時間 tfall Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 26 - ns
體二極管特性(Tj=25℃)
二極管正向電壓 Vsd Vgs=0V, Isd=20A - 1.3 V
反向恢復(fù)時間 trr Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ 32 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ 33 - nC

8. 典型特性曲線說明

曲線編號 曲線名稱 說明
Fig1 輸出特性曲線 Id與Vds關(guān)系,不同Vgs下的導通特性
Fig2 最大漏極電流-殼溫 電流隨殼溫升高的衰減曲線
Fig3 轉(zhuǎn)移特性曲線 Id與Vgs關(guān)系,不同結(jié)溫對比
Fig4 歸一化導通電阻-結(jié)溫 Rds(on)隨溫度變化趨勢
Fig5 正向跨導-漏極電流 Gfs隨Id變化特性
Fig6 安全工作區(qū)(SOA) 不同脈寬下的Id-Vds安全邊界
Fig7 體二極管正向電壓 Vsd與Isd關(guān)系,不同結(jié)溫對比
Fig8 柵極電荷-柵源電壓 Vgs隨Qg變化曲線,不同Vds對比
Fig9 閾值電壓-結(jié)溫 Vgs(th)隨溫度變化趨勢
Fig10 電容-漏源電壓 Ciss/Coss/Crss隨Vds變化曲線
Fig11 無鉗位感性測試電路 雪崩能量測試電路與波形
Fig12 開關(guān)時間測試電路 開關(guān)特性測試電路與波形

9. 應(yīng)用場景

電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、 開關(guān)電源、電池保護、低壓大電流場景


聯(lián)系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個qq)

聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

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